Líneas de Investigación
| Líneas de Investigación |
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| DIAMANTE SINTéTICO PARA INGENIERíA DE MATERIALES EN LA ELECTRóNICA, LA AERONáUTICA, LAS HERRAMIENTAS Y LA MEDICINA |
| DISEÑO Y CARACTERIZACIÓN NANO Y MICROESTRUCTURAL MEDIANTE TÉCNICAS DE HACES DE ELECTRONES DE NANOESTRUCTURAS AUTO-ENSAMBLADAS DE SEMICONDUCTORES III-V. |
| ESTUDIO MICROESTRUCTURAL Y COMPOSICIONAL DE CAPAS HETEROEPITAXIALES Y DE NANOESTRUCTURAS DE NITRUROS SEMICONDUCTORES III-N (COMPUESTOS BINARIOS Y ALEACIONES TERNARIAS Y CUATERNARIAS) CRECIDAS SOBRE SI, SIC Y ZAFIRO |
| ESTUDIOS DE TRANSFORMACIONES DE FASE DE MINERALES DE INTERéS INDUSTRIAL MEDIANTE TRATAMIENTOS TERMOQUíMICOS. |
| FABRICACIÓN DE OBLEAS DE SIC/SI MEDIANTE CARBURIZACIÓN PARA LA OBTENCIÓN DE SUSTRATOS DE DISPOSITIVOS OPTOELECTRÓNICOS (LÁSERES AZULES) Y MICROELECTRÓNICOS (TRANSISTORES DE POTENCIA) |
| FIABILIDAD DE CELDAS SOLARES PARA APLICACIONES ESPACIALES MEDIANTE EBIC/CL |
| INGENIERíA DE ALEACIONES DE SEMICONDUCTORES III-V-SB Y III-V-BI PARA APLICACIONES EN DISPOSITIVOS EMISORES Y DETECTORES DE ALTO RENDIMIENTO |
| NANOHILOS DE SEMICONDUCTORES, POZOS CUáNTICOS O PUNTOS CUáNTICOS PARA APLICACIONES MICRO Y OPTOELECTRóNICAS |
| POLÍMEROS REFORZADOS PARA LA AERONÁUTICA |
| PROCESOS DE RELAJACIÓN CRISTALINA Y DISTRIBUCIÓN DE DEFECTOS EN ESTRUCTURAS LÁSER INGAAS/GAAS (111) PARA APLICACIONES EN TELECOMUNICACIONES |
| SISTEMAS ELABORADOS POR DEPOSICIóN EN áNGULO OBLICUO RASANTE (óXIDOS Y METALES) PARA APLICACIONES óPTICAS, OPTRóNICAS Y TERMOCRóMICAS. |
| SISTEMAS MúLTIPLES DE CAPAS FINAS Y NANOESTRUCTURAS BASADAS EN LA ACTIVIDAD DE LOS NITRUROS BINARIOS III-N (INN, ALN, GAN), TERNARIOS (INALN, INGAN, ALGAN) Y CUATERNARIOS (INALGAN) PARA LA OPTOELECTRóNICA, LA ELECTRóNICA DE POTENCIA Y LA TECNOLOGíA FOTOVOLTAICA. |
– Semiconductor nanowires, quantum-wells or quantum-dots for micro- and opto-electronic applications.
– GaAsSbN semiconductor alloy engineering for applications in solar cells and high performance photodetectors.
– Multiple systems of thin layers and nanostructures based on the activity of binary III-N nitrides (InN, AlN, GaN), ternary (InAlN, InGaN, AlGaN) and quaternary (InAlGaN) for optoelectronics, power electronics and photovoltaic technology.
– Synthetic diamond for materials engineering in electronics, aeronautics, tools and medicine.
– Systems elaborated by glancing-oblique angle deposition (oxides and metals) for optic, optronic and thermochromic applications.
– Studies of phase transformations of minerals of industrial interest by thermo-chemical treatments.
– Reinforced polymers for aeronautics.