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[Curriculum Vitae]

  • Foto
    • GARCIA ROJA, RAFAEL
    • CIENCIAS QUÍMICAS
    • INVESTIGADOR DOCTOR
    • [Email]: rafael.garcia@uca.es
    • [Departamento]: CIENCIA DE LOS MATERIALES E INGENIERÍA METALÚRGICA Y QUÍMICA INORGÁNICA
    • [Centro]: FACULTAD DE CIENCIAS
    • [Telefono]: 956016336
    • [Fax]: 956016288

[Proyectos I+D dirigidos]

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    • REGLAS DE DISEÑO PARA LA INGENIERÍA DE NANOMATERIALES SEMICONDUCTORES AUTO-ENSAMBLADOS. ENTIDAD FINANCIADORA: JUNTA DE ANDALUCIA
    • [Programa]: JUNTA DE ANDALUCÍA
    • [Fecha de inicio]: 1/1/2006
    • [Fecha de finalizacion]: 31/12/2008
    • PLAN DE ACTUACIÓN HORIZONTAL PARA LA PUESTA EN MARCHA DE UN SISTEMA DE DETECCIÓN DE OPORTUNIDADES TECNOLÓGICAS Y DE GESTIÓN DE LA CALIDAD DE LA FUNCIÓN O.T.R.I.
    • [Programa]: PLAN NACIONAL I+D
    • [Fecha de inicio]: 1/10/2005
    • [Fecha de finalizacion]: 30/9/2008
    • EVALUACIÓN DEL IMPACTO DEL SUSTRATO SOBRE LA CALIDAD DE CAPAS DE INN PARA DISPOSITIVOS OPTOELECTRÓNICOS
    • [Programa]: PLAN NACIONAL I+D
    • [Fecha de inicio]: 13/12/2004
    • [Fecha de finalizacion]: 13/12/2007
    • CLUSTER DE ALTAS PRESTACIONES
    • [Programa]: FEDER (FONDOS EUROPEO DE DESARROLLO REGIONAL)
    • [Fecha de inicio]: 1/7/2006
    • [Fecha de finalizacion]: 30/11/2007
    • TECNOLOGY TRANSFER OT RESEARCH RESULTS IN THE ATLANTIC AREA
    • [Programa]: INTERREG
    • [Fecha de inicio]: 11/10/2003
    • [Fecha de finalizacion]: 30/9/2006
    • TRATAMIENTO Y DEPURACIÓN DE INFORMACIÓN DEL VICERRECTORADO DE I+D+I PARA ACREDITACIÓN Y EVALUACIÓN DE TITULACIONES.
    • [Programa]: PLAN PROPIO (UNIV. CÁDIZ)
    • [Fecha de inicio]: 1/7/2004
    • [Fecha de finalizacion]: 30/6/2005
    • MECANIZADO LÁSER DE FIBRA DE CARBONO PARA LA INDUSTRIA AERONÁUTICA: INTERACCIÓN MATERIAL-FOTONES, ESTUDIO DEL PROCESADO LÁSER Y DE LA METODOLOGÍA DE CORTE
    • [Programa]: PLAN ANDALUZ DE INVESTIGACIÓN
    • [Fecha de inicio]: 30/1/2004
    • [Fecha de finalizacion]: 31/12/2004
    • DESARROLLO DE EXPERIMENTOS EBIC/CL-SEM Y DE OTRAS TÉCNICAS MEDIANTE ANÁLISIS CON HACES DE ELECTRONES PARA SU APLICACIÓN AL DISEÑO E INGENIERÍA DE NANO/HETEROESTRUCTURAS Y DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
    • [Programa]: PLAN NACIONAL I+D
    • [Fecha de inicio]: 1/5/1994
    • [Fecha de finalizacion]: 31/12/1997
    • DESARROLLO DE EXPERIMENTOS EBIC/CL-SEM YDE OTRAS TECNICAS MEDIANTE ANALISIS CONHACES DE ELECTRONES PARA DISEÑO DE SEMI-CONDUCTORES.
    • [Programa]: PLAN NACIONAL I+D
    • [Fecha de inicio]: 12/5/1994
    • [Fecha de finalizacion]: 12/5/1997
    • PROGRAMA ESPRIT: PROYECTO BLES (BUFFERLAYER ENGINEERING IN SEMICONDUCTORS).
    • [Programa]: OTROS PROGRAMAS CON FINANCIACIÓN EUROPEA
    • [Fecha de inicio]: 24/7/1992
    • [Fecha de finalizacion]: 23/7/1995
    • BUFFER LAYER ENGINEERING IN SEMICONDUCTORS (BLES) ENTIDAD FINACIADORA : LA COMUNIDAD EUROPEA, PROGRAMA ESPRIT. ENTIDADES PARTICIPANTES: UPM, CNM, UCA, UNIV. LIVERPOOL, UNIV. SURVEY, NMRC
    • [Programa]: OTROS PROGRAMAS CON FINANCIACIÓN EUROPEA
    • [Fecha de inicio]: 1/7/1992
    • [Fecha de finalizacion]: 30/6/1995
    • CARACTERIZACION MEDIANTE HACES DE ELECTRONES DE HETEROESTRUCTURAS SEMICONDUCTORAS III-V CRECIDAS POR ALMBE DE APLICA--CION EN EL DISEÑO E INGENIERIA DE NUEVOSDISPOSITIVOS OPTO-MICROELECTRONICOS.
    • [Programa]: PLAN NACIONAL I+D
    • [Fecha de inicio]: 23/10/1991
    • [Fecha de finalizacion]: 23/10/1994
    • CARACTERIZACIÓN MEDIANTE HACES DE ELECTRONES DE HETEROESTRUCTURAS SEMICONDUCTORAS III-V CRECIDAS POR ALMBE DE APLICACIÓN EN EL DISEÑO E INGENIERÁ DE NUEVOS DISPOSITIVOS OPTO-ELECTRÓNICOS
    • [Programa]: PLAN NACIONAL I+D
    • [Fecha de inicio]: 1/1/1991
    • [Fecha de finalizacion]: 1/1/1993
    • ESTUDIO MEDIANTE ANALISIS DE ELECTRONESY TEM DE SISTEMAS HETEROEPITAXIALES -GAAS/SI CRECIDO POR EPITAXIA DE CAPASATOMICAS CON HACES MOLECULARES (ALMBE).
    • [Programa]: PLAN NACIONAL I+D
    • [Fecha de inicio]: 27/12/1989
    • [Fecha de finalizacion]: 27/12/1992
    • ESTUDIO MEDIANTE ANÁLISIS DE ELECTRONES Y TEM DE SISTEMAS HETEROEPITAXIALES GAAS/SI, GAAS/GAP Y GAP/SI CRECIDOS POR EPITAXIA DE CAPAS ATÓMICAS CON HACES MOLECULARES (ALMBE)
    • [Programa]: PLAN NACIONAL I+D
    • [Fecha de inicio]: 1/1/1989
    • [Fecha de finalizacion]: 1/1/1991
    • SUBVENCIÓN DE INFRAESTRUCTURA ANTE LA DGICYT (CONVOCATORIA 1990) POR LA MODALIDAD COMUNIDAD AUTÓNOMA PARA LA ADQUISICIÓN DE GRANDES INSTRUMENTOS (MICROSCOPIO ELECTRÓNICO DE TRANSMISIÓN)
    • [Programa]: OTROS PROGRAMAS DEL MEC
    • [Fecha de inicio]: 1/1/1990
    • [Fecha de finalizacion]: 1/6/1990

[Participación Proyectos I+D]

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    • MECANIZADO LÁSER DE FIBRA DE CARBONO PARA LA INDUSTRIA AERONAUTICA. ESTUDIO DEL PROCESADO LÁSER Y DE LA METODOLOGÍA DE CORTE IMPLANTACIÓN DEL SISTEMA EN PLANTA.
    • [Programa]: PROFIT (PROGRAMA DE FOMENTO DE LA INVESTIGACIÓN TÉCNICA)
    • [Fecha de inicio]: 24/9/2003
    • [Descargar]
    • APLICACIÓN DE LA MICROSCOPIA ELECTRÓNICA EN EL DESARROLLO DE NANOESTRUCTURAS SEMICONDUCTORAS DE ALTA CALIDAD: PUNTOS Y NANOHILOS CUÁNTICOS
    • [Programa]: PLAN NACIONAL I+D
    • [Fecha de inicio]: 1/1/2011
    • [Fecha de finalizacion]: 31/12/2013
    • MEJORA DE LA TENACIDAD DE MATERIALES AERONAUTICOS: INTRUDCCIÓN DE NANOPARTICULAS EN RESINAS EPOXI DE POLIMEROS REFORZADOS (CFRP)
    • [Programa]: JUNTA DE ANDALUCÍA. PROYECTOS DE EXCELENCIA
    • [Fecha de inicio]: 19/12/2007
    • [Fecha de finalizacion]: 20/12/2011
    • INTELIGENCIA COMERCIAL PARA LOS GRUPOS DE INVESTIGACIÓN
    • [Programa]: PLAN NACIONAL I+D
    • [Fecha de inicio]: 1/1/2008
    • [Fecha de finalizacion]: 11/4/2011
    • DESARROLLO DE NANO ESTRUCTURAS DE IN(GA)N DE ALTA CALIDAD PARA APLICACIONES EN DISPOSITIVOS OPTO Y MCRO ELECTRÓNICOS.
    • [Programa]: PLAN NACIONAL I+D
    • [Fecha de inicio]: 1/10/2007
    • [Fecha de finalizacion]: 3/8/2010
    • DESARROLLO DE NANO ESTRUCTURAS DE IN(GA)N DE ALTA CALIDAD PARA APLICACIONES EN DISPOSITIVOS OPTO Y MCRO ELECTRÓNICOS.
    • [Programa]: PLAN NACIONAL I+D
    • [Fecha de inicio]: 1/10/2007
    • [Fecha de finalizacion]: 3/8/2010
    • REGLAS DE DISEÑO PARA LA INGENIERÍA DE NANOMATERIALES SEMICONDUCTORES AUTO-ENSAMBLADOS. ENTIDAD FINANCIADORA: JUNTA DE ANDALUCIA
    • [Programa]: JUNTA DE ANDALUCÍA
    • [Fecha de inicio]: 1/1/2006
    • [Fecha de finalizacion]: 31/12/2008
    • SELF-ASSEMBLED SEMICONDUCTOR NANOSTRUCTURES FOR NEW DEVICES IN PHOTONICS AND ELECTRONICS (SANDIE)
    • [Programa]: PROGRAMA MARCO DE LA UE (VI)
    • [Fecha de inicio]: 1/4/2004
    • [Fecha de finalizacion]: 31/3/2008
    • EVALUACIÓN DE LAS CONDICIONES DE CRECIMIENTO SOBRE LA CALIDAD ESTRUCTURAL DE CAPAS DE MGS
    • [Programa]: AGENCIA ESPAÑOLA DE COOPERACIÓN INTERNACIONAL (AECI)
    • [Fecha de inicio]: 1/1/2007
    • [Fecha de finalizacion]: 31/12/2007
    • DISEÑO Y CARACTERIZACIÓN NANO-ESTRUCTURAL DE MATERIALES SEMICONDUCTORES AUTO-ENSAMBLADOS
    • [Programa]: ACCIONES INTEGRADAS. PROGRAMA DE COOPERACIÓN INTERNACIONAL (MEC)
    • [Fecha de inicio]: 1/1/2004
    • [Fecha de finalizacion]: 31/12/2005
    • MECANIZADO LASER DE FIBRA DE CARBONO PARA LA INDUSTRIA AERONAÚTICA: EFECTO SOBRE EL COMPORTAMIENTO MECÁNICO.
    • [Programa]: PROFIT (PROGRAMA DE FOMENTO DE LA INVESTIGACIÓN TÉCNICA)
    • [Fecha de inicio]: 1/1/2005
    • [Fecha de finalizacion]: 31/12/2005
    • MECANIZADO LÁSER DE FIBRA DE CARBONO PARA LA INDUSTRIA AERONÁUTICA: INTERACCIÓN MATERIAL-FOTONES, ESTUDIO DEL PROCESADO LÁSER Y DE LA METODOLOGÍA DE CORTE
    • [Programa]: PLAN ANDALUZ DE INVESTIGACIÓN
    • [Fecha de inicio]: 30/1/2004
    • [Fecha de finalizacion]: 31/12/2004
    • MECANIZADO LÁSER DE FIBRA DE CARBONO PARA LA INDUSTRIA AERONÁUTICA: APROXIMACIÓN NO CONVENCIONAL DE CORTES.
    • [Programa]: PROFIT (PROGRAMA DE FOMENTO DE LA INVESTIGACIÓN TÉCNICA)
    • [Fecha de inicio]: 1/1/2004
    • [Fecha de finalizacion]: 31/12/2004
    • INGENIERÍA DE ALEACIONES SEMICONDUCTORAS INGAAS(N) PARA APLICACIONES EN OPTOELECTRÓNICA.
    • [Programa]: PLAN NACIONAL I+D
    • [Fecha de inicio]: 28/12/2001
    • [Fecha de finalizacion]: 27/12/2004
    • ACTUALIZACIÓN DE LOS MEDIOS INFORMÁTICOS Y LA FORMACIÓN NECESARIOS PARA LA INTERPRETACIÓN DE IMÁGENES DE MICROSCOPÍA ELECTRÓNICA DE MATERIALES
    • [Programa]: ACCIONES ESPECIALES. PROGRAMA DE COOPERACIÓN INTERNACIONAL (MEC)
    • [Fecha de inicio]: 11/6/2003
    • [Fecha de finalizacion]: 10/6/2004
    • DESARROLLO DE NUEVOS PROCESOS DE CRECIMIENTO EPITAXIAL EN HETEROESTRUCTURAS SEMICONDUCTORAS III-V MEDIANTE TECNICAS DE CARACTERIZACION EN TIEMPO REAL
    • [Programa]: PLAN NACIONAL I+D
    • [Fecha de inicio]: 28/12/2000
    • [Fecha de finalizacion]: 27/12/2003
    • TECNOLOGIA DE INTEGRACION MONOLITICA DE DISPOSITIVOS OPTOELECTRONICOS INTEGRADOS VSLI DE GAAS
    • [Programa]: PLAN NACIONAL I+D
    • [Fecha de inicio]: 1/12/1999
    • [Fecha de finalizacion]: 31/12/2002
    • MATERIALS AND DESIGN SCHEME FOR LONG WAVELENGTH OPTOELECTRONIC DEVICES ON GALLIUM ARSENIDE USING HIGH-INDEX SUBSTRATES
    • [Programa]: OTROS PROGRAMAS DEL MEC
    • [Fecha de inicio]: 1/5/2001
    • [Fecha de finalizacion]: 1/5/2002
    • LÁSERES SINTONIZABLES EN LA BANDA 1-1.3 MICRAS SOBRE SUSTRATOS GAAS (III) B.
    • [Programa]: PLAN NACIONAL I+D
    • [Fecha de inicio]: 1/12/1998
    • [Fecha de finalizacion]: 30/11/2001
    • BUFFER LAYER ENGINEERING IN SEMICONDUCTORS (BLES) ENTIDAD FINACIADORA : LA COMUNIDAD EUROPEA, PROGRAMA ESPRIT. ENTIDADES PARTICIPANTES: UPM, CNM, UCA, UNIV. LIVERPOOL, UNIV. SURVEY, NMRC
    • [Programa]: OTROS PROGRAMAS CON FINANCIACIÓN EUROPEA
    • [Fecha de inicio]: 1/7/1992
    • [Fecha de finalizacion]: 30/6/1995
    • CARACTERIZACIÓN MEDIANTE HACES DE ELECTRONES DE HETEROESTRUCTURAS SEMICONDUCTORAS III-V CRECIDAS POR ALMBE DE APLICACIÓN EN EL DISEÑO E INGENIERÍA DE NUEVOS DISPOSITIVOS OPTO-MICROELECTRÓNICOS
    • [Programa]: PLAN NACIONAL I+D
    • [Fecha de inicio]: 1/12/1991
    • [Fecha de finalizacion]: 31/12/1993
    • CARACTERIZACIÓN MEDIANTE HACES DE ELECTRONES DE HETEROESTRUCTURAS SEMICONDUCTORAS III-V CRECIDAS POR ALMBE DE APLICACIÓN EN EL DISEÑO E INGENIERÁ DE NUEVOS DISPOSITIVOS OPTO-ELECTRÓNICOS
    • [Programa]: PLAN NACIONAL I+D
    • [Fecha de inicio]: 1/1/1991
    • [Fecha de finalizacion]: 1/1/1993
    • ESTUDIO MEDIANTE ANÁLISIS DE ELECTRONES Y TEM DE SISTEMAS HETEROEPITAXIALES GAAS/SI, GAAS/GAP Y GAP/SI CRECIDOS POR EPITAXIA DE CAPAS ATÓMICAS CON HACES MOLECULARES (ALMBE)
    • [Programa]: PLAN NACIONAL I+D
    • [Fecha de inicio]: 1/1/1989
    • [Fecha de finalizacion]: 1/1/1991
    • SUBVENCIÓN DE INFRAESTRUCTURA ANTE LA DGICYT (CONVOCATORIA 1990) POR LA MODALIDAD COMUNIDAD AUTÓNOMA PARA LA ADQUISICIÓN DE GRANDES INSTRUMENTOS (MICROSCOPIO ELECTRÓNICO DE TRANSMISIÓN)
    • [Programa]: OTROS PROGRAMAS DEL MEC
    • [Fecha de inicio]: 1/1/1990
    • [Fecha de finalizacion]: 1/6/1990

[Participación Contratos I+D]

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    • NUEVA METODOLOGÍA DE PERFORADO EN ESTRUCTURAS SANDWICH DE FIBRA DE CARBONO-MATERIALES METÁLICOS: APORTACIÓN DEL LÁSER Y DE LA CRIOGENIA
    • [Fecha de inicio]: 30/7/2001
    • [Fecha de finalizacion]: 30/7/2004

[Participación en Convenios]

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    • ESTUDIO PRELIMINAR DE VIABILIDAD TÉCNICA DE LA IMPLANTACIÓN DE METODOLOGÍAS LÁSER EN EL CORTE DE MATERIALES COMPUESTOS DE INTERÉS INDUSTRIAL.
    • [Fecha de inicio]: 1/1/2003
    • [Fecha de finalizacion]: 15/11/2003

[Participación en Ayudas]

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    • CLUSTER DE ALTAS PRESTACIONES
    • [Programa]: FEDER (FONDOS EUROPEO DE DESARROLLO REGIONAL)
    • [Fecha de inicio]: 1/7/2006
    • [Fecha de finalizacion]: 30/9/2007

[Participación en Ayudas]

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    • CLUSTER DE ALTAS PRESTACIONES
    • [Programa]: FEDER (FONDOS EUROPEO DE DESARROLLO REGIONAL)
    • [Fecha de inicio]: 1/7/2006
    • [Fecha de finalizacion]: 30/9/2007

[Capitulos de libros publicados]

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    • STUDY OF MICROSTRUCTURE AND STRAIN RELAXATION ON THIN INXGA1-XN EPILAYERS WITH MEDIUM AND HIGH IN CONTENTS
    • PROCEEDING OF 14TH EUROPEAN MICROSCOPY CONGRESS
    • [Pagina inicial]: 77
    • [Pagina final]: 78
    • [Editorial]: SPRINGER-VERLAG
    • [Año]: 2008
    • CRECIMIENTO DEL POLITIPO CÚBICO DE NITRURO DE INDIO (C-INN)
    • X CONGRESO NACIONAL DE MATERIALES:
    • [Pagina inicial]: 1
    • [Pagina final]: 4
    • [ISBN]: 978-84-608-07
    • [Editorial]: MONDRAGON UNIBERTSITATEKO ZERBITZU
    • [Año]: 2008
    • INFLUENCE OF THE GROWTH TEMPERATURE ON THE COMPOSITION FLUCTUATIONS OF GAINNAS/GAAS QUANTUM WELLS,
    • DILUTE III-V NITRIDE SEMICONDUCTORS AND MATERIAL SYSTEMS
    • [Pagina inicial]: 199
    • [Pagina final]: 221
    • [ISBN]: 978-3-540-745
    • [Editorial]: SPRINGER
    • [Año]: 2008
    • STRAIN RELIEF AND NUCLEATION MECHANISMS OF INN QUANTUM DOTS
    • QUANTUM DOTS: RESEARCH, TECHNOLOGY AND APPLICATIONS
    • [Pagina inicial]: 269
    • [Pagina final]: 300
    • [ISBN]: 978-1-60456-9
    • [Editorial]: NOVA SCIENCE PUBLISHERS
    • [Año]: 2008
    • PHASE MAPPING OF UNCAPPED INN QUANTUM DOTS
    • PROCEEDING OF 14TH EUROPEAN MICROSCOPY CONGRESS
    • [Pagina inicial]: 69
    • [Pagina final]: 70
    • [Editorial]: SPRINGER-VERLAG
    • [Año]: 2008
    • STRUCTURAL DEFECTS IN GAINNAS/GAAS QUANTUM WELLS STUDIED BY TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY
    • NITRIDES AND DILUTE NITRIDES: GROWTH, PHYSICS AND DEVICES
    • [Pagina inicial]: 1
    • [Pagina final]: 21
    • [ISBN]: 9788178952505
    • [Editorial]: TRANSWORLD RESEARCH NETWORK
    • [Año]: 2007
    • CARACTERIZACIÓN ESTRUCTURAL Y ÓPTICA DE POZOS CUÁNTICOS DE GAINNAS/GAAS(001)
    • ACTAS
    • [Pagina inicial]: 1295
    • [Pagina final]: 1300
    • [ISBN]: 84-9705-594-2
    • [Editorial]: EDITORIAL DE LA UNIVERSIDAD POLITÉCNICA DE VALENCIA
    • [Año]: 2004
    • FLUCTUACIONES DE COMPOSICIÓN EN POZOS CUÁNTICOS DE GAINNAAS/GAAS
    • ACTAS
    • [Pagina inicial]: 1301
    • [Pagina final]: 1306
    • [ISBN]: 84-9705-594-2
    • [Editorial]: EDITORIAL DE LA UNIVERSIDAD POLITÉCNICA DE VALENCIA
    • [Año]: 2004
    • ON THE APPLICATION OF ADVANCED COMPUTING TECHNIQUES TO DETERMINATION OF THICKNESS AND DEFOCUS FROM HIGH RESOLUTION TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY IMAGES
    • COMPUTATIONAL MODELLING AND SIMULATION OF MATERIALS
    • [Pagina inicial]: 165
    • [Pagina final]: 172
    • [Editorial]: TECHNA GROUP
    • [Año]: 2002
    • EL EFECTO DE LA INTERACCIÓN ENTRE DISLOCACIONES EN EL RÉGIMEN DE ENDURECIMIENTO MECÁNICO DE CAPAS EPITAXIALES TENSADAS
    • PROPIEDADES MECÁNICAS DE SÓLIDOS
    • [Pagina inicial]: 619
    • [Pagina final]: 624
    • [ISBN]: 84-89349-59-2
    • [Editorial]: GIL MUR
    • [Año]: 1996
    • CARACTERIZACIÓN DE DEFECTOS PLANARES EN CAPAS EPITAXIALES DE GAAS CRECIDAS SOBRE SUBSTRATOS VECINALES DE SI
    • MICROLECTRONICA 92
    • [Pagina inicial]: 123
    • [Pagina final]: 126
    • [Editorial]: SERVICIO DE PUBLICACIONES DE LA UNIVERSIDAD DE CANTABRIA
    • [Año]: 1993

[Publicaciones en revistas]

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    • PHASE MAPPING OF AGING PROCESS IN INN NANOSTRUCTURES: OXYGEN INCORPORATION AND THE ROLE OF THE ZINC BLENDE PHASE
    • NANOTECHNOLOGY
    • [Año]: 2010
    • [Pagina inicial]: 185706
    • [Pagina final]: 185714
    • PHASE MAPPING OF AGING PROCESS IN INN NANOSTRUCTURES: OXYGEN INCORPORATION AND THE ROLE OF THE ZINC BLENDE PHASE
    • NANOTECHNOLOGY
    • [Año]: 2010
    • [Pagina inicial]: 185706
    • [Pagina final]: 185714
    • NATURAL OXIDATION OF INN QUANTUM DOTS: THE ROLE OF CUBIC INN
    • PHYSICA STATUS SOLIDI. C, CONFERENCES AND CRITICAL REVIEWS
    • [Año]: 2010
    • [Volumen]: 7
    • [Numero]: 1
    • [Pagina inicial]: 9
    • [Pagina final]: 12
    • NATURAL OXIDATION OF INN QUANTUM DOTS: THE ROLE OF CUBIC INN
    • PHYSICA STATUS SOLIDI. C, CONFERENCES AND CRITICAL REVIEWS
    • [Año]: 2010
    • [Volumen]: 7
    • [Numero]: 1
    • [Pagina inicial]: 9
    • [Pagina final]: 12
    • EFECTO DE LA INCORPORACIÓN DE NITRÓGENO EN PUNTOS CUÁNTICOS ENTERRADOS DE IN(GA)AS CRECIDOS SOBRE GAAS
    • LIBRO DE PROCEEDINGS XI CONGRESO NACIONAL DE MATERIALES
    • [Año]: 2010
    • [Pagina inicial]: 809
    • [Pagina final]: 812
    • ANÁLISIS DE LA FORMACIÓN DE NANOHILOS DE GAN/ALN SIN CATALIZADOR MEDIANTE HRTEM, EDX Y EE
    • LIBRO DE PROCEEDINGS XI CONGRESO NACIONAL DE MATERIALES
    • [Año]: 2010
    • [Pagina inicial]: 436
    • [Pagina final]: 439
    • STRUCTURAL AND COMPOSITIONAL HOMOGENEITY OF INALN EPITAXIAL LAYERS NEARLY LATTICE-MATCHED TO GAN
    • ACTA MATERIALIA
    • [Año]: 2010
    • [Pagina inicial]: 4120
    • [Pagina final]: 4125
    • DETERMINATION OF THE COMPOSITION OF INXGA1−XN FROM STRAIN MEASUREMENTS
    • ACTA MATERIALIA
    • [Año]: 2009
    • [Volumen]: 57
    • [Pagina inicial]: 5681
    • [Pagina final]: 5692
    • STRUCTURAL CHANGES DURING THE NATURAL AGING PROCESS OF INN QUANTUM DOTS
    • JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
    • [Año]: 2009
    • [Volumen]: 105
    • [Numero]: 1
    • [Pagina inicial]: 1
    • [Pagina final]: 6
    • MICROSTRUCTURAL IMPROVEMENTS OF INP ON GAAS (001) GROWN BY MOLECULAR BEAM EPITAXY BY IN SITU HYDROGENATION AND POSTGROWTH ANNEALING
    • APPLIED PHYSICS LETTERS
    • [Año]: 2009
    • [Volumen]: 94
    • [Numero]: 4
    • [Pagina inicial]: 1
    • [Pagina final]: 3
    • ATOMIC SCALE HIGH-ANGLE ANNULAR DARK FIELD STEM ANALYSIS OF THE N CONFIGURATION IN DILUTE NITRIDES OF GAAS
    • PHYSICAL REVIEW B
    • [Año]: 2009
    • [Volumen]: 80
    • [Pagina inicial]: 125211
    • [Pagina final]: 125223
    • IMPROVEMENTS ON INP EPILAYERS BY THE USE OF MONOATOMIC HYDROGEN DURING EPITAXIAL GROWTH AND SUCCESSIVE ANNEALING
    • PROCEEDINGS OF THE 14TH EUROPEAN MICROSCOPY CONGRESS (EMC 2008)
    • [Año]: 2008
    • [Volumen]: 2
    • [Pagina inicial]: 75
    • [Pagina final]: 76
    • CRECIMIENTO DEL POLITIPO CÚBICO DE NITRURO DE INDIO (C-INN)
    • ACTAS DEL X CONGRESO NACIONAL DE MATERIALES
    • [Año]: 2008
    • [Volumen]: 2
    • [Pagina inicial]: 637
    • [Pagina final]: 640
    • STRUCTURE OF CUBIC POLYTYPE INDIUM NITRIDE LAYERS ON TOP OF MODIFIED SAPPHIRE SUBSTRATES
    • PHYSICA STATUS SOLIDI. C, CONFERENCES AND CRITICAL REVIEWS
    • [Año]: 2008
    • [Volumen]: 5
    • [Numero]: 2
    • [Pagina inicial]: 514
    • [Pagina final]: 517
    • STUDY OF MICROSTRUCTURE AND STRAIN RELAXATION ON THIN INXGA1-XN EPILAYERS WITH MEDIUM AND HIGH IN CONTENTS
    • PROCEEDINGS OF THE 14TH EUROPEAN MICROSCOPY CONGRESS (EMC 2008)
    • [Año]: 2008
    • [Volumen]: 2
    • [Pagina inicial]: 77
    • [Pagina final]: 78
    • HIGH RESOLUTION HAADF-STEM IMAGINIG ANALYSIS OF N RELATED DEFECTS IN GANAS QUANTUM WELLS
    • MICROSCOPY AND MICROANALYSIS
    • [Año]: 2008
    • [Volumen]: 14
    • [Pagina inicial]: 318
    • [Pagina final]: 319
    • HIGH RESOLUTION HAADF-STEM IMAGING ANALYSIS OF N RELATED DEFECTS IN GANAS QUANTUM WELLS
    • MICROSCOPY AND MICROANALYSIS
    • [Año]: 2008
    • [Volumen]: 14
    • [Numero]: SUPPL.
    • [Pagina inicial]: 318
    • [Pagina final]: 319
    • STRAIN MAPPING AT THE ATOMIC SCALE IN HIGHLY MISMATCHED HETEROINTERFACES
    • ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS
    • [Año]: 2007
    • [Volumen]: 17
    • [Numero]: 14
    • [Pagina inicial]: 2588
    • [Pagina final]: 2593
    • KINETIC CONSIDERATIONS ON THE PHASE SEPARATION OF GIINNAS QUANTUM WELLS
    • PHYSICA STATUS SOLIDI. C, CONFERENCES AND CRITICAL REVIEWS
    • [Año]: 2007
    • [Volumen]: 4
    • [Pagina inicial]: 1477
    • [Pagina final]: 1480
    • EVALUATION OF THE INFLUENCE OF GAN AND ALN AS PSEUDOSUBSTRATES ON THE CRYSTALLINE QUALITY OF INN LAYERS
    • PHYSICA STATUS SOLIDI. C, CONFERENCES AND CRITICAL REVIEWS
    • [Año]: 2007
    • [Volumen]: 4
    • [Pagina inicial]: 1454
    • [Pagina final]: 1457
    • CONFIGURATION OF THE MISFIT DISLOCATION NETWORKS IN UNCAPPED AND CAPPED INN QUANTUM DOTS
    • APPLIED PHYSICS LETTERS
    • [Año]: 2007
    • [Volumen]: 91
    • [Numero]: 7
    • [Pagina inicial]: 071915-1
    • [Pagina final]: 071915-3
    • CRITICAL STRAIN REGIONS EVALUATION OF SELF ASSEMBLED SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS
    • NANOTECHNOLOGY
    • [Año]: 2007
    • [Volumen]: 18
    • [Numero]: 47
    • [Pagina inicial]: 475503-1
    • [Pagina final]: 475503-6
    • CUBIC INN GROWTH ON SAPPHIRE (0001) USING CUBIC INDIUM OXIDE AS BUFFER LAYER
    • APPLIED PHYSICS LETTERS
    • [Año]: 2007
    • [Volumen]: 90
    • [Numero]: 9
    • [Pagina inicial]: 091901-1
    • [Pagina final]: 091901-3
    • Z-CONTRAST IMAGING ANALYSIS OF SEMICONDUCTOR EPITAXIES: APPLICATION TO GANAS QUANTUM WELLS AND INAS/GAINAS/GAAS DOT IN WELL STRUCTURES
    • MICROSCOPY AND MICROANALYSIS
    • [Año]: 2007
    • [Volumen]: 2
    • [Numero]: 13
    • [Pagina inicial]: 664
    • [Pagina final]: 665
    • STRAIN RELIEF ANALYSIS OF INN QUANTUM DOTS GROWN ON GAN
    • NANOSCALE RESEARCH LETTERS
    • [Año]: 2007
    • [Volumen]: 2
    • [Numero]: 9
    • [Pagina inicial]: 442
    • [Pagina final]: 446
    • MISFIT RELAXATION OF INN QUANTUM DOTS: EFFECT OF THE GAN CAPPING LAYER
    • APPLIED PHYSICS LETTERS
    • [Año]: 2006
    • [Volumen]: 88
    • [Numero]: 15
    • [Pagina inicial]: 151913-1
    • [Pagina final]: 151913-3
    • ROLE OF ELASTIC ANISOTROPY IN THE VERTICAL ALIGNMENT OF IN(GA)AS QUANTUM DOT SUPERLATTICES
    • APPLIED PHYSICS LETTERS
    • [Año]: 2006
    • [Volumen]: 88
    • [Numero]: 19
    • [Pagina inicial]: 193118-1
    • [Pagina final]: 193118-3
    • STRUCTURAL CHARACTERIZATION OF INN QUANTUM DOTS GROWN BY METALORGANIC VAPOUR PHASE EPITAXY
    • PHYSICA STATUS SOLIDI. C, CONFERENCES AND CRITICAL REVIEWS
    • [Año]: 2006
    • [Volumen]: 3
    • [Numero]: 6
    • [Pagina inicial]: 1687
    • [Pagina final]: 1690
    • DEFECT GENERATION IN HIGH IN AND N CONTENT GAINNAS QUANTUM WELLS: UNFAULTING OF FRANK DISLOCATION LOOPS
    • INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES
    • [Año]: 2005
    • [Volumen]: 107
    • [Pagina inicial]: 139
    • [Pagina final]: 142
    • VERTICAL CORRELATION-ANTICORRELATION TRANSITION IN INAS/GAAS QUANTUM DOT STRUCTURES GROWN BY MOLECULAR BEAM EPITAXY
    • INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES
    • [Año]: 2005
    • [Volumen]: 107
    • [Pagina inicial]: 251
    • [Pagina final]: 254
    • EFFECT OF ANNEALING ON ANTICORRELATED INGAAS/GAAS QUANTUM DOTS
    • INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES
    • [Año]: 2005
    • [Pagina inicial]: 255
    • [Pagina final]: 258
    • QUANTITATIVE MEASUREMENTS OF THE INHOMOGENEOUS STRAIN FIELD OF STACKED SELF-ASSEMBLED INAS/INP(001) QUANTUM WIRES BY THE PEAK FINDING METHOD
    • INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES
    • [Año]: 2005
    • [Pagina inicial]: 299
    • [Pagina final]: 302
    • SPINODAL DECOMPOSITION IN GAINNAS/GAAS MULTI-QUANTUM WELLS
    • PHYSICA STATUS SOLIDI. C, CONFERENCES AND CRITICAL REVIEWS
    • [Año]: 2005
    • [Volumen]: 2
    • [Numero]: 4
    • [Pagina inicial]: 1292
    • [Pagina final]: 1297
    • STRAIN INTERACTIONS AND DEFECT FORMATION IN STACKED INGAAS QUANTUM DOT AND DOT-IN-WELL STRUCTURES
    • PHYSICA E
    • [Año]: 2005
    • [Volumen]: 26
    • [Pagina inicial]: 245
    • [Pagina final]: 251
    • STRUCTURAL AND OPTICAL PROPERTIES OF HIGH IN AND N CONTENT GAINNAS QUANTUM WELLS
    • THIN SOLID FILMS
    • [Año]: 2005
    • [Volumen]: 483
    • [Numero]: 1-2
    • [Pagina inicial]: 185
    • [Pagina final]: 190
    • EFFECT OF THE GROWTH PARAMETERS ON THE STRUCTURE AND MORPHOLOGY OF INAS/INGAAS/GAAS DWELL QUANTUM DOT STRUCTURES
    • JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
    • [Año]: 2005
    • [Volumen]: 278
    • [Numero]: 1-4
    • [Pagina inicial]: 151
    • [Pagina final]: 155
    • COMPOSITION MODULATION IN GAINNAS QUANTUM WELLS: COMPARISON OF EXPERIMENT AND THEORY
    • JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
    • [Año]: 2005
    • [Volumen]: 97
    • [Numero]: 7
    • UNFAULTING OF DISLOCATION LOOPS IN THE GAINNAS ALLOY: AN ESTIMATION OF THE STACKING FAULT ENERGY
    • JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
    • [Año]: 2005
    • [Volumen]: 98
    • [Numero]: 2
    • [Pagina inicial]: 023521-1
    • [Pagina final]: 023521-7
    • AN APPROACH TO THE FORMATION MECHANISM OF THE COMPOSITION FLUCTUATION IN GAINNAS QUANTUM WELLS
    • SEMICONDUCTOR SCIENCE TECHNOLOGY
    • [Año]: 2005
    • [Volumen]: 20
    • [Numero]: 10
    • [Pagina inicial]: 1096
    • [Pagina final]: 1102
    • CRITICAL BARRIER THICKNESS FOR THE FORMATION OF INGAAS/GAAS QUANTUM DOTS
    • MATERIALS SCIENCE & ENGINEERING: C, BIOMIMETIC MATERIALS, SENSORS AND SYSTEMS
    • [Año]: 2005
    • [Volumen]: 25
    • [Pagina inicial]: 798
    • [Pagina final]: 803
    • CHARACTERIZATION OF STRUCTURE AND DEFECTS IN DOT-IN-WELL LASER STRUCTURES
    • MATERIALS SCIENCE & ENGINEERING: C, BIOMIMETIC MATERIALS, SENSORS AND SYSTEMS
    • [Año]: 2005
    • [Volumen]: 25
    • [Pagina inicial]: 793
    • [Pagina final]: 797
    • NUCLEATION OF INN QUANTUM DOTS ON GAN BY METALORGANIC VAPOR PHASE EPITAXY
    • APPLIED PHYSICS LETTERS
    • [Año]: 2005
    • [Volumen]: 87
    • [Numero]: 26
    • [Pagina inicial]: 263104-1
    • [Pagina final]: 263104-3
    • INFLUENCE OF STRUCTURE AND DEFECTS ON THE PERFORMANCE OF DOT-IN-WELL LASER STRUCTURES
    • MICROELECTRONICS JOURNAL
    • [Año]: 2005
    • [Volumen]: 5840
    • [Pagina inicial]: 486
    • [Pagina final]: 497
    • ACTIVATION ENERGY FOR SURFACE DIFUSSION IN GAINNAS QUANTUM WELLS
    • INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES
    • [Año]: 2005
    • [Volumen]: 107
    • [Pagina inicial]: 279
    • [Pagina final]: 282
    • COMPOSITION MODULATION IN LOW TEMPERATURE GROWTH OF INGAAS/GAAS SYSTEM: INFLUENCE ON PLASTIC RELAXATION
    • MICROCHIMICA ACTA
    • [Año]: 2004
    • [Volumen]: 145
    • [Numero]: 1-4
    • [Pagina inicial]: 63
    • [Pagina final]: 66
    • COMPOSITION FLUCTUATIONS IN GAINNAS MULTI-QUANTUM WELLS
    • IEE PROCEEDINGS-OPTOELECTRONICS
    • [Año]: 2004
    • [Volumen]: 151
    • [Numero]: 5
    • [Pagina inicial]: 271
    • [Pagina final]: 274
    • IMPROVEMENT IN THE OPTICAL QUALITY OF GAINNAS/GAINAS QUANTUM WELL STRUCTURES BY INTERFACIAL STRAIN REDUCTION
    • IEE PROCEEDINGS-OPTOELECTRONICS
    • [Año]: 2004
    • [Volumen]: 151
    • [Numero]: 5
    • [Pagina inicial]: 301
    • [Pagina final]: 304
    • STRUCTURAL DEFECTS CHARACTERISATION OF GAINNAS MQWS BY TEM AND PL
    • IEE PROCEEDINGS-OPTOELECTRONICS
    • [Año]: 2004
    • [Volumen]: 151
    • [Numero]: 5
    • [Pagina inicial]: 385
    • [Pagina final]: 388
    • INHIBICIÓN DE LA RELAJACIÓN PLÁSTICA EN HETEROESTRUCTURAS INGAAS/GAAS(001) CRECIDAS A BAJA TEMPERATURA
    • BOLETIN DE LA SOCIEDAD ESPAÑOLA DE CERÁMICA Y VIDRIO
    • [Año]: 2004
    • [Volumen]: 43
    • [Numero]: 2
    • [Pagina inicial]: 376
    • [Pagina final]: 378
    • ESTUDIO DE CAPAS DE DESACOPLO DE INGAAS/GAAS(001) POR CRECIMIENTO COMBINADO DE MBE-ALMBE EN FORMA DINÁMICA Y ESCALONADA
    • BOLETIN DE LA SOCIEDAD ESPAÑOLA DE CERÁMICA Y VIDRIO
    • [Año]: 2004
    • [Volumen]: 43
    • [Numero]: 2
    • [Pagina inicial]: 373
    • [Pagina final]: 375
    • INFLUENCE OF GROWTH TEMPERATURE ON THE STRUCTURAL AND OPTICAL QUALITY OF GAINNAS/GAAS MULTI-QUANTUM WELLS
    • SEMICONDUCTOR SCIENCE TECHNOLOGY
    • [Año]: 2004
    • [Volumen]: 19
    • [Numero]: 7
    • [Pagina inicial]: 813
    • [Pagina final]: 818
    • THE ROLE OF GE PREDEPOSITION TEMPERATURE IN THE EPITAXY OF SIC ON SILICON
    • PHYSICA STATUS SOLIDI. C, CONFERENCES AND CRITICAL REVIEWS
    • [Año]: 2004
    • [Volumen]: 1
    • [Numero]: 2
    • [Pagina inicial]: 341
    • [Pagina final]: 345
    • ESTUDIO POR MICROSCOPÍA ELECTRÓNICA Y ESPECTROSCOPÍA DE INFRA-ROJOS DE CAPAS DE SIC OBTENIDAS MEDIANTE CARBURIZACIÓN DE OBLEAS DE SI
    • BOLETIN DE LA SOCIEDAD ESPAÑOLA DE CERÁMICA Y VIDRIO
    • [Año]: 2004
    • [Volumen]: 43
    • [Numero]: 2
    • [Pagina inicial]: 363
    • [Pagina final]: 366
    • MICROCHEMICAL ANALYSIS AND MICROSTRUCTURAL DEVELOPMENT OF CR-DOPED MULLITES
    • MICROCHIMICA ACTA
    • [Año]: 2004
    • [Volumen]: 145
    • [Numero]: 1-4
    • [Pagina inicial]: 255
    • [Pagina final]: 260
    • COMPORTAMIENTO DE MULLITAS EN ALTA TEMPERATURA: ESTUDIO MEDIANTE DIFRACCIÓN DE RAYOS X.
    • BOLETIN DE LA SOCIEDAD ESPAÑOLA DE CERÁMICA Y VIDRIO
    • [Año]: 2004
    • [Volumen]: 43
    • [Numero]: 2
    • [Pagina inicial]: 135
    • [Pagina final]: 137
    • INFLUENCE OF THE GE COVERAGE PRIOR TO CARBONIZATION ON THE STRUCTURE OF SIC GROWN ON SI(111)
    • MATERIALS SCIENCE FORUM
    • [Año]: 2004
    • [Volumen]: 457-460
    • [Pagina inicial]: 297
    • [Pagina final]: 300
    • VERTICAL COUPLING EFFECTS ON STACKED LAYERS OF SELF-ASSEMBLED INGAS QUANTUM RINGS
    • 27TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON THE PHYSICS OF SEMICONDUCTORS (ICPS27)
    • [Año]: 2004
    • [Pagina inicial]: 0
    • [Pagina final]: 0
    • STRUCTURAL STUDY OF MICRO AND NANOTUBES SYNTHESIZED BY RAPID THERMAL CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
    • MICROCHIMICA ACTA
    • [Año]: 2004
    • [Volumen]: 145
    • [Numero]: 1-4
    • [Pagina inicial]: 129
    • [Pagina final]: 132
    • EPILAYER THICKNESS INFLUENCE ON COMPOSITION MODULATION OF LOW TEMPERATURE GROWN INGAAS/GAAS(001) LAYERS
    • JOURNAL OF OPTOELECTRONICS AND ADVANCED MATERIALS
    • [Año]: 2004
    • [Volumen]: 6
    • [Numero]: 3
    • [Pagina inicial]: 805
    • [Pagina final]: 810
    • COMPOSITION MODULATION AND GROWTH-ASSOCIATED DEFECTS IN GAINNAS/GAAS MULTI QUANTUM WELLS
    • INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES
    • [Año]: 2004
    • [Numero]: 179
    • [Pagina inicial]: 103
    • [Pagina final]: 106
    • ANOMALOUS RELAXATION IN COMBINED LOW AND HIGH TEMPERATURE GROWTH OF INGAAS/GAAS EPILAYERS
    • INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES
    • [Año]: 2003
    • [Numero]: 180
    • [Pagina inicial]: 199
    • [Pagina final]: 202
    • CORRELATION BETWEEN THE ALN BUFFER LAYER THICKNESS AND THE GAN POLARITY IN GAN/ALN/SI(111) GROWN BY MBE
    • MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS
    • [Año]: 2003
    • [Volumen]: 743
    • [Pagina inicial]: L3.25.1
    • [Pagina final]: L3.25.6
    • MICROSTRUCTURAL STUDY OF CO2 LASER MACHINED HEAT AFFECTED ZONE OF 2024 ALUMINUM ALLOY
    • APPLIED SURFACE SCIENCE
    • [Año]: 2003
    • [Volumen]: 208-209
    • [Pagina inicial]: 210
    • [Pagina final]: 217
    • THICKNESS INFLUENCE ON SPINODAL DECOMPOSITION IN IN0.2GA0.8AS/GAAS LOW TEMPERATURE GROWTH
    • INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES
    • [Año]: 2003
    • [Numero]: 180
    • [Pagina inicial]: 213
    • [Pagina final]: 216
    • SIZE SELF-FILTERING EFFECT IN VERTICAL STACKS OF INAS/INP SELF- ASSEMBLED QUANTUM WIRES
    • PHYSICA E
    • [Año]: 2003
    • [Volumen]: 17
    • [Numero]: 1-4
    • [Pagina inicial]: 174
    • [Pagina final]: 176
    • EXPERIMENTAL EVALUATION OF LASER CUTTING APPLIED TO CFR COMPOSITES.
    • ANNALS OF DAAAM
    • [Año]: 2003
    • [Pagina inicial]: 159
    • [Pagina final]: 160
    • DETERMINATION OF HEAT TRANSMISSION PARAMETERS IN LASER MACHINED CARBON FIBER COMPOSITES.
    • ANNALS OF DAAAM
    • [Año]: 2003
    • [Pagina inicial]: 157
    • [Pagina final]: 158
    • TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY STUDY OF SIMULTANEOUS HIGH-DOSE C++N+ CO-IMPLANTATION INTO (1 1 1)SI
    • THIN SOLID FILMS
    • [Año]: 2003
    • [Volumen]: 426
    • [Numero]: 1-2
    • [Pagina inicial]: 16
    • [Pagina final]: 30
    • FATIGUE BEHAVIOUR OF LASER MACHINED 2024 T3 AERONAUTIC ALUMINIUM ALLOY
    • APPLIED SURFACE SCIENCE
    • [Año]: 2003
    • [Volumen]: 208-209
    • [Pagina inicial]: 194
    • [Pagina final]: 198
    • CHARACTERIZATION OF INGAAS (N)/GAASN MULTI-QUANTUM WELLS USING TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY
    • INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES
    • [Año]: 2003
    • [Numero]: 180
    • [Pagina inicial]: 143
    • [Pagina final]: 146
    • STRUCTURAL STUDY OF GAN LAYERS GROWN ON CARBONIZED SI(111) SUBSTRATES
    • MATERIALS SCIENCE FORUM
    • [Año]: 2003
    • [Volumen]: 433-434
    • [Pagina inicial]: 1003
    • [Pagina final]: 1006
    • SIC VOIDS, MOSAIC MICROSTRUCTURE AND DISLOCATIONS DISTRIBUTION IN SI CARBONIZED LAYERS
    • DIAMOND AND RELATED MATERIALS
    • [Año]: 2003
    • [Volumen]: 12
    • [Numero]: 3-7
    • [Pagina inicial]: 1227
    • [Pagina final]: 1230
    • ON THE APPLICATION OF ADVANCED COMPUTING TECHNIQUES FOR THE DETERMINATION OF THICKNESS AND DEFOCUS FROM HIGH RESOLUTION TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY IMAGES
    • ADVANCES IN SCIENCE AND TECHNOLOGY
    • [Año]: 2003
    • [Volumen]: 36
    • [Pagina inicial]: 165
    • [Pagina final]: 172
    • ALN BUFFER LAYER THICKNESS INFLUENCE ON INVERSION DOMAINS IN GAN/ALN/SI(111)
    • MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -ADVANCED FUNCTIONAL SOLID-STATE MATERIALS
    • [Año]: 2002
    • [Volumen]: 93
    • [Numero]: 1-3
    • [Pagina inicial]: 181
    • [Pagina final]: 184
    • RELAXATION STUDY OF ALGAAS CLADDING LAYERS IN INGAAS/GAAS (111)B LASERS DESIGNED FOR 1.0-1.1 [MU]M OPERATION
    • MICROELECTRONICS JOURNAL
    • [Año]: 2002
    • [Volumen]: 33
    • [Numero]: 7
    • [Pagina inicial]: 553
    • [Pagina final]: 557
    • THE ROLE OF CLIMB AND GLIDE IN MISFIT RELIEF OF INGAAS/GAAS(111)B HETEROSTRUCTURES
    • MICROELECTRONICS JOURNAL
    • [Año]: 2002
    • [Volumen]: 33
    • [Numero]: 7
    • [Pagina inicial]: 559
    • [Pagina final]: 563
    • SIZE-FILTERING EFFECTS BY STACKING INAS/INP (001) SELF-ASSEMBLED QUANTUM WIRES INTO MULTILAYERS
    • PHYSICAL REVIEW B
    • [Año]: 2002
    • [Volumen]: 65
    • [Numero]: 24
    • ORIGIN OF INVERSION DOMAINS IN GAN/ALN/SI(111) HETEROSTRUCTURES GROWN BY MOLECULAR BEAM EPITAXY
    • PHYSICA STATUS SOLIDI. B, BASIC RESEARCH
    • [Año]: 2002
    • [Volumen]: 234
    • [Numero]: 3
    • [Pagina inicial]: 935
    • [Pagina final]: 938
    • STRAIN RELAXATION BEHAVIOR OF INXGA1-XAS QUANTUM WELLS ON VICINAL GAAS (111)B SUBSTRATES
    • APPLIED PHYSICS LETTERS
    • [Año]: 2002
    • [Volumen]: 80
    • [Numero]: 9
    • [Pagina inicial]: 1541
    • [Pagina final]: 1543
    • FLAME SPRAY PYROLYSIS OF PRECURSORS AS A ROUTE TO NANO-MULLITE POWDER: POWDER CHARACTERIZATION AND SINTERING BEHAVIOR
    • JOURNAL OF THE AMERICAN CERAMIC SOCIETY
    • [Año]: 2001
    • [Volumen]: 84
    • [Numero]: 5
    • [Pagina inicial]: 951
    • [Pagina final]: 961
    • PROTON-INDUCED DAMAGE IN P(+)-N INP SOLAR CELLS: THE ROLE OF ELECTRON CAPTURE AT HIGH FLUENCES
    • MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -ADVANCED FUNCTIONAL SOLID-STATE MATERIALS
    • [Año]: 2001
    • [Volumen]: 80
    • [Numero]: 1-3
    • [Pagina inicial]: 294
    • [Pagina final]: 298
    • STRAIN RELAXATION BEHAVIOUR IN INXGA1-XAS QUANTUM WELLS ON MISORIENTATED GAAS (111)B SUBSTRATES
    • INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES
    • [Año]: 2001
    • [Numero]: 169
    • [Pagina inicial]: 137
    • [Pagina final]: 140
    • A MECHANISM FOR THE MULTIPLE ATOMIC CONFIGURATIONS OF INVERSION DOMAIN BOUNDARIES IN GAN LAYERS GROWN ON SI(111)
    • APPLIED PHYSICS LETTERS
    • [Año]: 2001
    • [Volumen]: 79
    • [Numero]: 22
    • [Pagina inicial]: 3588
    • [Pagina final]: 3590
    • BARRIER THICKNESS INFLUENCE ON PLASTIC RELAXATION IN (111)B MISORIENTED INGAAS/GAAS DOUBLE QUANTUM WELLS
    • INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES
    • [Año]: 2001
    • [Numero]: 169
    • [Pagina inicial]: 133
    • [Pagina final]: 136
    • MULTIPLE ATOMIC CONFIGURATION OF INVERSION DOMAIN BOUNDARIES IN GAN GROWN ON (111)SI
    • INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES
    • [Año]: 2001
    • [Pagina inicial]: 333
    • [Pagina final]: 336
    • ELECTRON BEAM INDUCED CURRENT AND CATHODOLUMINESCENCE STUDY OF PROTON IRRADIATED INASXP1-X/INP QUANTUM-WELL SOLAR CELLS
    • JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
    • [Año]: 2001
    • [Volumen]: 90
    • [Numero]: 6
    • [Pagina inicial]: 2840
    • [Pagina final]: 2846
    • RADIATION RESPONSE OF N-TYPE BASE INP SOLAR CELLS
    • JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
    • [Año]: 2001
    • [Volumen]: 90
    • [Numero]: 7
    • [Pagina inicial]: 3558
    • [Pagina final]: 3565
    • INVERSION DOMAINS IN GAN LAYERS GROWN ON (111) SILICON BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY
    • APPLIED PHYSICS LETTERS
    • [Año]: 2001
    • [Volumen]: 78
    • [Numero]: 18
    • [Pagina inicial]: 2688
    • [Pagina final]: 2690
    • EFFECT OF GRADED BUFFER DESIGN ON THE DEFECT STRUCTURE IN INGAAS/GAAS (111)B HETEROSTRUCTURES
    • MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -ADVANCED FUNCTIONAL SOLID-STATE MATERIALS
    • [Año]: 2001
    • [Volumen]: 80
    • [Numero]: 1-3
    • [Pagina inicial]: 27
    • [Pagina final]: 31
    • EFFECT OF INDIUM CONTENT ON THE NORMAL-INCIDENT PHOTORESPONSE OF INGAAS/GAAS QUANTUM-WELL INFRARED PHOTODETECTORS
    • APPLIED PHYSICS LETTERS
    • [Año]: 2001
    • [Volumen]: 78
    • [Numero]: 16
    • [Pagina inicial]: 2390
    • [Pagina final]: 2392
    • EFECTO DEL DOPADO CON SI SOBRE LA ESTRUCTURA DE DEFECTOS EN SISTEMAS HETEROEPITAXIALES GAN/ALN/SI(111).
    • BOLETIN DE LA SOCIEDAD ESPAÑOLA DE CERÁMICA Y VIDRIO
    • [Año]: 2000
    • [Volumen]: 39
    • [Numero]: 4
    • [Pagina inicial]: 468
    • [Pagina final]: 471
    • APLICACIÓN DE LA TERMODIFRACTOMETRÍA DE NEUTRONES AL ESTUDIO DE PROCESOS DE CRISTALIZACIÓN EN MULLITAS SOL-GEL.
    • BOLETIN DE LA SOCIEDAD ESPAÑOLA DE CERÁMICA Y VIDRIO
    • [Año]: 2000
    • [Volumen]: 39
    • [Numero]: 4
    • [Pagina inicial]: 564
    • [Pagina final]: 568
    • ELECTRON BEAM INDUCED CURRENT AND CATHODOLUMINESCENCE STUDY OF PROTON IRRADIATED MULTIPLE QUANTUM WELL SOLAR CELLS FOR SPACE
    • PROCEEDINGS OF THE 28TH IEEE PVSC
    • [Año]: 2000
    • [Pagina inicial]: 1312
    • [Pagina final]: 1315
    • CONTROL OF PHASE MODULATION IN INGAAS EPILAYERS
    • APPLIED PHYSICS LETTERS
    • [Año]: 2000
    • [Volumen]: 76
    • [Numero]: 22
    • [Pagina inicial]: 3236
    • [Pagina final]: 3238
    • ESPESORES CRÍTICOS DE RELAJACIÓN EN POZOS CUÁNTICOS DE INGA / GAAS SOBRE SUSTRATOS DE GAAS (001) Y (111)B.
    • BOLETIN DE LA SOCIEDAD ESPAÑOLA DE CERÁMICA Y VIDRIO
    • [Año]: 2000
    • [Volumen]: 39
    • [Numero]: 4
    • [Pagina inicial]: 482
    • [Pagina final]: 486
    • STRUCTURAL CHARACTERISATION OF ALGAN/ALN/SI(111) HETEROSTRUCTURES BY TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY
    • INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES
    • [Año]: 1999
    • [Numero]: 164
    • [Pagina inicial]: 397
    • [Pagina final]: 400
    • OPTICAL PROPERTIES OF INXGA1-XAS/GAAS MQW STRUCTURES ON (111)B GAAS GROWN BY MBE: DEPENDENCE ON SUBSTRATE MISCUT
    • JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
    • [Año]: 1999
    • [Volumen]: 202
    • [Pagina inicial]: 1085
    • [Pagina final]: 1088
    • INFLUENCE OF SUBSTRATE MISORIENTATION ON THE STRUCTURAL CHARACTERISTICS OF INGAAS GAAS MQW ON (111)B GAAS GROWN BY MBE
    • THIN SOLID FILMS
    • [Año]: 1999
    • [Volumen]: 344
    • [Pagina inicial]: 558
    • [Pagina final]: 561
    • EFFECT OF IN-CONTENT ON THE MISFIT DISLOCATION INTERACTION IN INGAAS GAAS LAYERS
    • THIN SOLID FILMS
    • [Año]: 1999
    • [Volumen]: 344
    • [Pagina inicial]: 302
    • [Pagina final]: 304
    • CATHODOLUMINESCENCE STUDY OF PYRAMIDAL FACETS IN PIEZOELECTRIC INGAAS/GAAS MULTIPLE QUANTUM WELL PIN PHOTODIODES
    • MICROELECTRONICS JOURNAL
    • [Año]: 1999
    • [Volumen]: 30
    • [Numero]: 4-5
    • [Pagina inicial]: 427
    • [Pagina final]: 431
    • PIEZOELECTRIC INGAAS/GAAS (111)B MULTIPLE QUANTUM WELL PHOTODIODES: OPTOELECTRONIC PROPERTIES BY ELECTRON BEAM INDUCED CURRENT AND CATHODOLUMINESCENCE
    • MICROELECTRONICS JOURNAL
    • [Año]: 1999
    • [Volumen]: 30
    • [Numero]: 4-5
    • [Pagina inicial]: 413
    • [Pagina final]: 417
    • NEW RELAXATION MECHANISMS IN INGAAS/GAAS (111) MULTIPLE QUANTUM WELL
    • MICROELECTRONICS JOURNAL
    • [Año]: 1999
    • [Volumen]: 30
    • [Pagina inicial]: 467
    • [Pagina final]: 470
    • INFLUENCE OF SUBSTRATE MISORIENTATION ON THE OPTICAL AND STRUCTURAL PROPERTIES OF INGAAS/GAAS SINGLE STRAINED QUANTUM WELLS GROWN ON (111)B GAAS BY MOLECULAR BEAM EPITAXY
    • MICROELECTRONICS JOURNAL
    • [Año]: 1999
    • [Volumen]: 30
    • [Numero]: 4-5
    • [Pagina inicial]: 373
    • [Pagina final]: 378
    • RADIATION-INDUCED ORDER-DISORDER TRANSITION IN P(+)-N INGAP SOLAR CELLS
    • APPLIED PHYSICS LETTERS
    • [Año]: 1999
    • [Volumen]: 74
    • [Numero]: 18
    • [Pagina inicial]: 2684
    • [Pagina final]: 2686
    • TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY STUDY OF INGAAS INP SUPERLATTICES GROWN ON V-SHAPED SURFACE INP SUBSTRATES
    • APPLIED SURFACE SCIENCE
    • [Año]: 1999
    • [Volumen]: 145
    • [Pagina inicial]: 488
    • [Pagina final]: 491
    • SPATIAL DISTRIBUTION OF RADIATION-INDUCED DEFECTS IN P(+)-N INGAP SOLAR CELLS
    • APPLIED PHYSICS LETTERS
    • [Año]: 1999
    • [Volumen]: 74
    • [Numero]: 25
    • [Pagina inicial]: 3812
    • [Pagina final]: 3814
    • STUDY OF THE RELAXATION IN INGAASSQW GROWN ON (111)B SUBSTRATES
    • INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES
    • [Año]: 1999
    • [Numero]: 164
    • [Pagina inicial]: 223
    • [Pagina final]: 226
    • EFFECT OF THE TEMPERATURE RAMP RATE DURING CARBONIZATION OF SI (111) ON THE CRYSTALLINE QUALITY OF SIC PRODUCED
    • INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES
    • [Año]: 1999
    • [Numero]: 164
    • [Pagina inicial]: 521
    • [Pagina final]: 524
    • GROWTH RATE AND CRITICAL TEMPERATURES TO AVOID THE MODULATION OF COMPOSITION OF INGAAS EPITAXIAL LAYERS
    • APPLIED PHYSICS LETTERS
    • [Año]: 1999
    • [Volumen]: 74
    • [Numero]: 18
    • [Pagina inicial]: 2649
    • [Pagina final]: 2651
    • RELAXATION STUDY OF INXGA1-XAS/GAAS QUANTUM-WELL STRUCTURES GROWN BY MBE ON (001) AND (111)B GAAS FOR LONG WAVELENGTH APPLICATIONS
    • JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
    • [Año]: 1999
    • [Volumen]: 206
    • [Numero]: 4
    • [Pagina inicial]: 287
    • [Pagina final]: 293
    • ELECTRON MICROSCOPY STUDY OF SIC OBTAINED BY THE CARBONIZATION OF SI(111)
    • THIN SOLID FILMS
    • [Año]: 1999
    • [Numero]: 343-344
    • [Pagina inicial]: 305
    • [Pagina final]: 308
    • THE EFFECT OF SI DOPING ON THE DEFECT STRUCTURE OF GAN/ALN/SI(111)
    • APPLIED PHYSICS LETTERS
    • [Año]: 1999
    • [Volumen]: 74
    • [Pagina inicial]: 3362
    • [Pagina final]: 3364
    • PROPERTIES OF HOMOEPITAXIAL AND HETEROEPITAXIAL GAN LAYERS GROWN BY PLASMA-ASSISTED MBE
    • PHYSICA STATUS SOLIDI. A, APPLIED RESEARCH
    • [Año]: 1999
    • [Volumen]: 176
    • [Pagina inicial]: 447
    • [Pagina final]: 452
    • MULTIPLE QUANTUM WELL GAAS/ALGAAS SOLAR CELLS: TRANSPORT AND RECOMBINATION PROPERTIES BY MEANS OF EBIC AND CATHODOLUMINESCENCE
    • MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -ADVANCED FUNCTIONAL SOLID-STATE MATERIALS
    • [Año]: 1999
    • [Volumen]: 66
    • [Numero]: 1-3
    • [Pagina inicial]: 151
    • [Pagina final]: 156
    • GROWTH OF III-NITRIDES ON SI(111) BY MOLECULAR BEAM EPITAXY. DOPING, OPTICAL AND ELECTRICAL PROPERTIES
    • JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
    • [Año]: 1999
    • [Volumen]: 201/202
    • [Pagina inicial]: 296
    • [Pagina final]: 317
    • INFLUENCE OF SI DOPING ON THE SUBGRAIN STRUCTURE OF GAN GROWN ON ALN/SI (111)
    • PHYSICA STATUS SOLIDI. C, CONFERENCES AND CRITICAL REVIEWS
    • [Año]: 1999
    • [Volumen]: 176
    • [Pagina inicial]: 401
    • [Pagina final]: 406
    • ELECTRON MICROSCOPY STUDY OF SIC OBTAINED BY CARBURIZATION OF SI(111)
    • THIN SOLID FILMS
    • [Año]: 1999
    • [Volumen]: 343/344
    • [Pagina inicial]: 305
    • [Pagina final]: 308
    • FAILURE ANALYSIS OF HEAVILY PROTON IRRADIATED P+-N INGAP SOLAR CELLS BY EBIC AND CATHODOLUMINESCENCE
    • MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -ADVANCED FUNCTIONAL SOLID-STATE MATERIALS
    • [Año]: 1999
    • [Volumen]: 66
    • [Numero]: (1-3)
    • [Pagina inicial]: 189
    • [Pagina final]: 193
    • EFFECT OF PROTON IRRADIATION ON THE SPATIAL DEFECT DISTRIBUTION OF N+-P INP/SI SOLAR CELLS
    • PROCEEDING 11TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON PHOTOVOLTAIC ENERGY (PVSEC11)
    • [Año]: 1999
    • [Pagina inicial]: 169
    • [Pagina final]: 172
    • CHARACTERIZATION BY TEM AND X-RAY DIFFRACTION OF LINEARLY GRADED COMPOSITION INGAAS BUFFER LAYERS ON (001) GAAS
    • MATERIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY
    • [Año]: 1998
    • [Volumen]: 14
    • [Numero]: 12
    • [Pagina inicial]: 1273
    • [Pagina final]: 1278
    • RELAXATION MECHANISM OF INGAAS SINGLE AND GRADED LAYERS GROWN ON (111)B GAAS
    • THIN SOLID FILMS
    • [Año]: 1998
    • [Volumen]: 317
    • [Numero]: 1-2
    • [Pagina inicial]: 270
    • [Pagina final]: 273
    • INFLUENCE OF INTERFACE DISLOCATIONS ON SURFACE KINETICS DURING EPITAXIAL GROWTH OF INGAAS
    • APPLIED SURFACE SCIENCE
    • [Año]: 1998
    • [Volumen]: 123-124
    • [Pagina inicial]: 303
    • [Pagina final]: 307
    • FAILURE ANALYSIS OF NEUTRON-IRRADIATED MQW INGAASP/INP LASERS BY EBIC
    • SOLID STATE PHENOMENA
    • [Año]: 1998
    • [Volumen]: 63-4
    • [Pagina inicial]: 443
    • [Pagina final]: 456
    • OPTICAL EMISSION OF A ONE-DIMENSIONAL ELECTRON GAS IN SEMICONDUCTOR V-SHAPED QUANTUM WIRES
    • PHYSICAL REVIEW B
    • [Año]: 1998
    • [Volumen]: 58
    • [Numero]: 16
    • [Pagina inicial]: 10705
    • [Pagina final]: 10708
    • CRITICAL THICKNESS FOR THE SATURATION STATE OF STRAIN RELAXATION IN THE INGAAS/GAAS SYSTEMS
    • APPLIED PHYSICS LETTERS
    • [Año]: 1998
    • [Volumen]: 72
    • [Numero]: 15
    • [Pagina inicial]: 1875
    • [Pagina final]: 1877
    • CATHODOLUMINESCENCE STUDY OF HEAVILY PROTON IRRADIATED HETEROEPITAXIAL N(+)-P INP/SI SOLAR CELLS
    • SOLID STATE PHENOMENA
    • [Año]: 1998
    • [Volumen]: 63-4
    • [Pagina inicial]: 497
    • [Pagina final]: 508
    • CHARACTERISATION BY TEM AND X-RAY DIFFRACTION OF LINEARLY GRADED COMPOSITION INGAAS BUFFER LAYERS ON (001) GAAS
    • MATERIALS SCIENCE AND TECHNOLOGY
    • [Año]: 1998
    • [Volumen]: 14
    • [Numero]: 12
    • [Pagina inicial]: 1273
    • [Pagina final]: 1278
    • STRUCTURAL STUDY OF ALGAAS/INGAAS SUPERLATTICES GROWN BY MBE ON (III)B GAAS SUBSTRATES
    • MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -ADVANCED FUNCTIONAL SOLID-STATE MATERIALS
    • [Año]: 1997
    • [Volumen]: 44
    • [Numero]: 1-3
    • [Pagina inicial]: 106
    • [Pagina final]: 109
    • ESTUDIO MEDIANTE MICROSCOPÍA ELECTRÓNICA DE LA DEFORMACIÓN PLÁSTICA DE CAPAS INGAAS CRECIDAS EPITAXIALMENTE SOBRE SUSTRATOS GAAS(111)
    • MONOGRAFÍA DEL V CONGRESO NACIONAL DE PROPIEDADES MECÁNICAS EN SÓLIDOS
    • [Año]: 1997
    • [Pagina inicial]: 454
    • [Pagina final]: 459
    • DEPENDENCE OF ELECTRON-HOLE GENERATION FUNCTION ON EBIC CONTRAST OF DEFECTS
    • INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES
    • [Año]: 1997
    • [Numero]: 157
    • [Pagina inicial]: 643
    • [Pagina final]: 646
    • EBIC AND TEM INVESTIGATIONS OF LASER HETEROSTRUCTURES GROWN ON LINEARLY-GRADED AND STEP-GRADED BUFFER LAYERS
    • INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES
    • [Año]: 1997
    • [Numero]: 157
    • [Pagina inicial]: 547
    • [Pagina final]: 550
    • EBIC MODE CHARACTERIZATION OF TRANSPORT PROPERTIES ON LASER HETEROSTRUCTURES
    • MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -ADVANCED FUNCTIONAL SOLID-STATE MATERIALS
    • [Año]: 1997
    • [Volumen]: 44
    • [Numero]: 1-3
    • [Pagina inicial]: 57
    • [Pagina final]: 60
    • INFLUENCIA DE LA INTRODUCCION DE DOPANTES EN LA COMPOSICION FINAL DE CRISTALES DE MULLITA.
    • BOLETIN DE LA SOCIEDAD ESPAÑOLA DE CERÁMICA Y VIDRIO
    • [Año]: 1997
    • [Volumen]: 36
    • [Numero]: 2-3
    • [Pagina inicial]: 146
    • [Pagina final]: 151
    • WORK-HARDENING EFFECTS IN THE LATTICE RELAXATION OF SINGLE LAYER HETEROSTRUCTURES
    • APPLIED PHYSICS LETTERS
    • [Año]: 1997
    • [Volumen]: 71
    • [Numero]: 17
    • [Pagina inicial]: 2475
    • [Pagina final]: 2477
    • INFLUENCE OF THE SURFACE MORPHOLOGY ON THE RELAXATION OF LOW- STRAINED INXGA1-XAS LINEAR BUFFER STRUCTURES
    • JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
    • [Año]: 1997
    • [Volumen]: 182
    • [Numero]: 3-4
    • [Pagina inicial]: 281
    • [Pagina final]: 291
    • WORK-HARDENING BASED MODEL OF THE STRAIN RELIEF IN MULTILAYER GRADED-BUFFER STRUCTURES
    • APPLIED PHYSICS LETTERS
    • [Año]: 1997
    • [Volumen]: 71
    • [Numero]: 21
    • [Pagina inicial]: 3099
    • [Pagina final]: 3101
    • COMPARISON OF THE CRYSTALLINE QUALITY OF STEP-GRADED AND CONTINUOUSLY GRADED INGAAS BUFFER LAYERS
    • JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
    • [Año]: 1996
    • [Volumen]: 169
    • [Numero]: 4
    • [Pagina inicial]: 649
    • [Pagina final]: 659
    • SCH LASER RECOMBINATION RATE FROM EBIC PROFILES
    • MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -ADVANCED FUNCTIONAL SOLID-STATE MATERIALS
    • [Año]: 1996
    • [Volumen]: 42
    • [Numero]: 1-3
    • [Pagina inicial]: 172
    • [Pagina final]: 175
    • ENERGY-LOSS DEPENDENCE OF INELASTIC INTERACTIONS BETWEEN HIGH-ENERGY ELECTRONS AND SEMICONDUCTORS: A MODEL TO DETERMINE THE SPATIAL DISTRIBUTION OF ELECTRON-HOLE PAIRS GENERATION
    • MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -ADVANCED FUNCTIONAL SOLID-STATE MATERIALS
    • [Año]: 1996
    • [Volumen]: 42
    • [Numero]: 1-3
    • [Pagina inicial]: 168
    • [Pagina final]: 171
    • DISLOCATION BEHAVIOR IN INGAAS STEP-GRADED AND ALTERNATING STEP-GRADED STRUCTURES - DESIGN RULES FOR BUFFER FABRICATION
    • APPLIED PHYSICS LETTERS
    • [Año]: 1995
    • [Volumen]: 67
    • [Numero]: 24
    • [Pagina inicial]: 3632
    • [Pagina final]: 3634
    • STRAIN RELAXATION IN STEP AND LINEARLY-GRADED INGAAS BUFFER LAYERS ON (001)GAAS
    • INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES
    • [Año]: 1995
    • [Volumen]: 146
    • [Pagina inicial]: 211
    • [Pagina final]: 214
    • DESIGN OF INGAAS LINEAR GRADED BUFFER STRUCTURES
    • APPLIED PHYSICS LETTERS
    • [Año]: 1995
    • [Volumen]: 66
    • [Numero]: 24
    • [Pagina inicial]: 3334
    • [Pagina final]: 3336
    • A COMPARATIVE STUDY OF CO-RE SUPPERLATICES SPUTTERED ON GLASS AND SI SUBSTRATES BY GRAZING ANGLE OF INCIDENCE RBS, HRTEM, PAC MAGNETIC AND TRANSPORT PROPERTIE STUDIES
    • NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH. SECTION B. BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS
    • [Año]: 1994
    • [Volumen]: 85
    • [Pagina inicial]: 515
    • [Pagina final]: 519
    • TRANSMISSION ELECTRON-MICROSCOPY STUDY OF INXGA1-XAS/GAAS MULTILAYER BUFFER STRUCTURES USED AS DISLOCATION FILTERS
    • MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -ADVANCED FUNCTIONAL SOLID-STATE MATERIALS
    • [Año]: 1994
    • [Volumen]: 28
    • [Numero]: 1-3
    • [Pagina inicial]: 515
    • [Pagina final]: 519
    • STRAIN RELIEF IN LINEARLY GRADED COMPOSITION BUFFER LAYERS - A DESIGN SCHEME TO GROW DISLOCATION-FREE (LESS-THAN-10(5) CM(-2)) AND UNSTRAINED EPILAYERS
    • APPLIED PHYSICS LETTERS
    • [Año]: 1994
    • [Volumen]: 65
    • [Numero]: 19
    • [Pagina inicial]: 2460
    • [Pagina final]: 2462
    • A STUDY OF THE DEFECT STRUCTURE IN GAAS-LAYERS GROWN AT LOW AND HIGH-TEMPERATURES ON SI(001) SUBSTRATES
    • MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -ADVANCED FUNCTIONAL SOLID-STATE MATERIALS
    • [Año]: 1994
    • [Volumen]: 28
    • [Numero]: 1-3
    • [Pagina inicial]: 196
    • [Pagina final]: 199
    • STEP-GRADED BUFFER LAYER STUDY OF THE STRAIN RELAXATION BY TRANSMISSION ELECTRON-MICROSCOPY
    • MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -ADVANCED FUNCTIONAL SOLID-STATE MATERIALS
    • [Año]: 1994
    • [Volumen]: 28
    • [Numero]: 1-3
    • [Pagina inicial]: 497
    • [Pagina final]: 501
    • A STUDY OF THE DEFECT STRUCTURE IN GAAS1-XPX/GAAS AS X<0.25
    • MRS BULLETIN
    • [Año]: 1994
    • [Volumen]: 317
    • [Pagina inicial]: 315
    • [Pagina final]: 320
    • CATHODOLUMINISCENCE AND TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY STUDY OF ISLAND FORMATION IN INAS/INP QW STRUCTURES DURING GROWTH INTERRUPTIONS
    • INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES
    • [Año]: 1993
    • [Volumen]: 138
    • [Pagina inicial]: 317
    • [Pagina final]: 320
    • EXPERIMENTAL-EVIDENCE OF THE STRUCTURE OF ANNIHILATION OF ANTIPHASE BOUNDARIES IN GAAS ON SI
    • MATERIALS LETTERS
    • [Año]: 1993
    • [Volumen]: 15
    • [Numero]: 5-6
    • [Pagina inicial]: 353
    • [Pagina final]: 355
    • TEM AND PL STUDY OF STRAIN RELAXATION IN INGAAS/GAAS MQW STRUCTURES
    • INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES
    • [Año]: 1993
    • [Numero]: 138
    • [Pagina inicial]: 313
    • [Pagina final]: 316
    • A STUDY OF THE EVOLUTION PROCESS OF ANTIPHASE BOUNDARIES IN GAAS ON SI
    • JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS
    • [Año]: 1993
    • [Volumen]: 22
    • [Numero]: 5
    • [Pagina inicial]: 567
    • [Pagina final]: 572
    • CHARACTERIZATION OF THE GAP/SI(001) INTERFACE BY TRANSMISSION ELECTRON-MICROSCOPY
    • INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES
    • [Año]: 1993
    • [Numero]: 138
    • [Pagina inicial]: 317
    • [Pagina final]: 320
    • DEFECT STRUCTURES IN HETEROEPITAXIAL INAS/GAASAND GAAS/INAS GROWN BY ATOMIC LAYER EPITAXY
    • MRS BULLETIN
    • [Año]: 1992
    • [Volumen]: 262
    • [Pagina inicial]: 163
    • [Pagina final]: 168
    • HIGH RESOLUTION TRANSMISION ELECTRON MICROSCOPY STUDY OF ALMBE GROWN ON (001) GAAS SUBSTRATES
    • ULTRAMICROSCOPY
    • [Año]: 1992
    • [Volumen]: 40
    • [Pagina inicial]: 370
    • [Pagina final]: 375
    • CARACTERIZACIÓN POR TEM DE CAPAS TENSADAS DE GAAS SOBRE SI (001) CON CAPAS EPITAXIALES INTERMEDIAS DE GAASP
    • I COLOQUIO FRANCO-IBERICO DE MICROSCOPIA ELECTRÓNICA
    • [Año]: 1991
    • [Pagina inicial]: 365
    • [Pagina final]: 366
    • HREM CHARACTERIZATION OF METAL CATALYSTS SUPPORTED ON RARE EARTH OXIDES. SAMARIUM OXIDE AS SUPPORT
    • ULTRAMICROSCOPY
    • [Año]: 1990
    • [Volumen]: 34
    • [Pagina inicial]: 60
    • [Pagina final]: 65
    • THE CHEMISTRY IN THE AIR OF THE RARE-EARTH-META SESQUIOXIDES. COMPARATIVE STUDY OF HEXAGONAL AND CUBIC NEODYMIA SAMPLES
    • JOURNAL OF THE CHEMICAL SOCIETY. DALTON TRANSACTIONS
    • [Año]: 1988
    • [Pagina inicial]: 1765
    • [Pagina final]: 1771
    • STUDY OF THE INTERACTION OF TWO HEXAGONAL NEODYMIUM OXIDES WITH ATMOSPHERIC CO2 AND H2O
    • JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE
    • [Año]: 1988
    • [Volumen]: 23
    • [Pagina inicial]: 1474
    • [Pagina final]: 1480
    • METAL-SUPPORT INTERACTION PHENOMENA IN SOME HIGH METAL LOADING LANTHANA SUPPORTED RHODIUM CATALYSTS
    • STUDIES IN SURFACE SCIENCE AND CATALYSIS
    • [Año]: 1988
    • [Volumen]: 48
    • [Pagina inicial]: 123
    • [Pagina final]: 132
    • PREPARATION OF SOME RARE EARTH OXIDE SUPPORTED RHODIUM CATALYSTS : STUDY OF THE SUPPORT
    • MATERIALS CHEMISTRY AND PHYSICS
    • [Año]: 1987
    • [Volumen]: 17
    • [Pagina inicial]: 433
    • [Pagina final]: 443
    • PREPARATION OF CATALYSTS CONSTITUTED BY RHODIUM SUPPORTED ON TWO CERIUM DIOXIDE WITH DIFFERENT SURFACE AREA
    • MATERIALS CHEMISTRY AND PHYSICS
    • [Año]: 1987
    • [Volumen]: 18
    • [Pagina inicial]: 119
    • [Pagina final]: 127
    • THE INFLUENCE OF THE STRUCTURAL NATURE OF SAMARIA ON ITS BEHAVIOUR AGAINST ATMOSPHERIC CO2 AND H2O
    • MATERIALS LETTERS
    • [Año]: 1987
    • [Volumen]: 6
    • [Pagina inicial]: 71
    • [Pagina final]: 74
    • BEHAVIOUR OF ND2O3 AS SUPPORT OF HIGHLY DISPERSED RHODIUM
    • INORGANICA CHIMICA ACTA
    • [Año]: 1987
    • [Volumen]: 140
    • [Pagina inicial]: 49
    • [Pagina final]: 51
    • STUDY OF THE AGING IN AIR OF A CUBIC SAMPLE OF SAMARIA
    • MATERIALS RESEARCH BULLETIN
    • [Año]: 1987
    • [Volumen]: 22
    • [Pagina inicial]: 131
    • [Pagina final]: 138
    • PREPARATION OF LANTHANA SUPPORTED RHODIUM CATALYSTS. OCCURRENCE OF HEAVY CARBONATION PHENOMENA ON THE SUPPORT
    • APPLIED CATALYSIS
    • [Año]: 1987
    • [Volumen]: 31
    • [Pagina inicial]: 267
    • [Pagina final]: 273
    • BEHAVIOUR OF RARE EARTH SESQUIOXIDES EXPOSED TO ATMOSPHERIC CO2 AND H2O
    • REACTIVITY OF SOLIDS
    • [Año]: 1987
    • [Volumen]: 4
    • [Pagina inicial]: 23
    • [Pagina final]: 40
    • STUDY OF THE SUPPORT EVOLUTION THROUGH THE PROCESS OF PREPARATION OF RH/LA2O3 CATALYSTS
    • JOURNAL OF THE CHEMICAL SOCIETY. FARADAY TRANSACTIONS
    • [Año]: 1987
    • [Volumen]: 83
    • [Pagina inicial]: 2279
    • [Pagina final]: 2287
    • CHARACTERIZATION OF AN EXPERIMENTAL TPD-MS SYSTEM. RELIABILITY PROBLEMS
    • THERMOCHIMICA ACTA
    • [Año]: 1986
    • [Volumen]: 98
    • [Pagina inicial]: 319
    • [Pagina final]: 326
    • COMMENTS ON THE PREPARATION OF METAL/4F OXIDE CATALYSTS
    • APPLIED CATALYSIS
    • [Año]: 1986
    • [Volumen]: 21
    • [Pagina inicial]: 379
    • [Pagina final]: 382
    • CHARACTERIZATION OF SAMARIA SAMPLES STABILIZED IN AIR
    • JOURNAL OF THE LESS-COMMON METALS
    • [Año]: 1985
    • [Volumen]: 110
    • [Pagina inicial]: 433
    • [Pagina final]: 439
    • STUDY OF SOME ASPECTS OF THE REACTIVITY OF LA2O3 WITH CO2 AND H2O
    • JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE
    • [Año]: 1985
    • [Volumen]: 20
    • [Pagina inicial]: 537
    • [Pagina final]: 541
    • INFLUENCE OF THE TEXTURAL PROPERTIES ON THE CATALYTIC ACTIVITY OF 4F OXIDES
    • SURFACE TECHNOLOGY
    • [Año]: 1984
    • [Volumen]: 22
    • [Pagina inicial]: 299
    • [Pagina final]: 304
    • ANALYSIS OF SOME ASPECTS OF THE CATALYTIC BEHAVIOUR OF LANTHANIDE OXIDES
    • JOURNAL OF THE LESS-COMMON METALS
    • [Año]: 1983
    • [Volumen]: 94
    • [Pagina inicial]: 145
    • [Pagina final]: 150
    • THERMAL EVOLUTION OF A SAMPLE OF LA2O3 EXPOSED TO THE ATMOSPHERE
    • THERMOCHIMICA ACTA
    • [Año]: 1983
    • [Volumen]: 66
    • [Pagina inicial]: 139
    • [Pagina final]: 145
    • CHARACTERIZATION OF AN EXPERIMENTAL TPD-MS SYSTEM. QUANTITATIVE CALIBRATIONS
    • THERMOCHIMICA ACTA
    • [Año]: 1983
    • [Volumen]: 70
    • [Numero]: 1-3
    • [Pagina inicial]: 249
    • [Pagina final]: 256
    • EFFECT OF GRINDING AND OF THE PREPARATION METHOD ON THE CATALYTIC ACTIVITY OF YTTERBIA TOWARD ALCOHOL DECOMPOSITION
    • INORGANICA CHIMICA ACTA
    • [Año]: 1983
    • [Volumen]: 94
    • [Pagina inicial]: 106
    • [Pagina final]: 108
    • ALCOHOL DECOMPOSITION AS REACTION TEST TO ANALYSE THE CATALYTIC PROPERTIES OF 4F OXIDES
    • ZEITSCHRIFT FÜR PHYSIKALISCHE CHEMIE
    • [Año]: 1983
    • [Volumen]: 138
    • [Pagina inicial]: 229
    • [Pagina final]: 238
    • ANÁLISIS DE LA SIGNIFICACIÓN QUÍMICA DE ALGUNAS CORRELACIONES QUE IMPLICAN DATOS CINÉTICOS
    • ANALES DE QUÍMICA
    • [Año]: 1983
    • [Volumen]: 79
    • [Pagina inicial]: 465
    • [Pagina final]: 469
    • TPD-MS STUDY OF CARBONATION AND HYDRATION OF YB2O3(C)
    • COLLECTION OF CZECHOSLOVAK CHEMICAL COMMUNICATIONS
    • [Año]: 1983
    • [Volumen]: 48
    • [Pagina inicial]: 2205
    • [Pagina final]: 2212
    • DEHYDROGENATING BEHAVIOUR OF 4F METAL OXIDES IN DECOMPOSITION OF BUTANOLS
    • JOURNAL OF CATALYSIS
    • [Año]: 1981
    • [Volumen]: 71
    • [Pagina inicial]: 21
    • [Pagina final]: 26
    • CÁLCULO DEL ÍNDICE DE FORMA DE DIAGRAMAS D.G.T. DE REACCIONES DE DESCOMPOSICIÓN TÉRMICA DE SÓLIDOS EN FUNCIÓN DEL MECANISMO DE REACCIÓN
    • ANALES DE LA REAL SOCIEDAD ESPAÑOLA DE FISICA Y QUÍMICA
    • [Año]: 1979
    • [Volumen]: 75
    • [Pagina inicial]: 179
    • [Pagina final]: 185
    • A TDP TECHNIQUE FOR NON RESTRICTIVE KINETIC STUDIES
    • REACTION KINETICS AND CATALYSIS LETTERS
    • [Año]: 1979
    • [Volumen]: 10
    • [Pagina inicial]: 125
    • [Pagina final]: 130
    • ON THE ESTIMATION OF THE REACTION MECHANISMS OF THERMAL DECOMPOSITION OF SOLIDS FROM THE FRACTION REACTED AT THE MAXIMUM REACTION RATE
    • THERMOCHIMICA ACTA
    • [Año]: 1978
    • [Volumen]: 25
    • [Pagina inicial]: 257
    • [Pagina final]: 260

[Aportaciones a congresos]

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    • EFFECTS OF THE NITROGEN INCORPORATION IN THE OPTICAL AND STRUCTURAL CHARACTERISTICS OF NITROGEN-DILUTE INASN QDS
    • [Tipo de participacion]: CARTEL
    • [Anio de celebracion]: 2010
    • [Lugar del congreso]: ESTRASBURGO (FRANCIA)
    • STRUCTURAL CHARACTERIZATION OF NOVEL INALN AND INALGAN LAYERS LATTICE MATCHED TO GAN FOR HIGH-FREQUENCY ELECTRONICS
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2010
    • [Lugar del congreso]: MONTPELLIER, FRANCIA
    • ANÁLISIS DE LA FORMACIÓN DE NANOHILOS DE GAN/ALN SIN CATALIZADOR MEDIANTE HRTEM, EDX Y EELS
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2010
    • [Lugar del congreso]: ZARAGOZA
    • GROWTH AND CHARACTERIZATION OF INAL(GA)N LAYERS PSEUDOMORPHIC TO GAN FOR HIGH-ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2010
    • [Lugar del congreso]: TAMPA (FLORIDA, USA)
    • STRUCTURAL CHARACTERIZATION OF NOVEL INALN AND INALGAN LAYERS LATTICE MATCHED TO GAN FOR HIGH-FREQUENCY ELECTRONICS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2010
    • [Lugar del congreso]: ESTRASBURGO
    • EFECTO DE LA INCORPORACIÓN DE NITRÓGENO EN PUNTOS CUÁNTICOS ENTERRADOS DE IN(GA)AS CRECIDOS SOBRE GAAS.
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2010
    • [Lugar del congreso]: ZARAGOZA
    • THE CRITICAL COMPOSITION THICKNESS OF 25 NM THICK INGAN EPILAYERS ON GAN
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2009
    • [Lugar del congreso]: ESTRASBURGO
    • DETERMINATION OF THE COMPOSITION OF INXGA'_XN FROM STRAIN MEASUREMENTS AND ITS CRITICALLAYER THICKNESS ON GAN
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2009
    • [Lugar del congreso]: DELPHI (GRECIA)
    • NATURAL OXIDATION OF INN QUANTUM DOTS: THE ROLE OF CUBIC INN
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2009
    • [Lugar del congreso]: ESTRASBURGO
    • STRUCTURAL CHARACTERIZATION OF HIGH-QUALITY SINGLE PHASE INALN LAYERS LATTICE MATCHED TO GAN
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2009
    • [Lugar del congreso]: ESTRASBURGO
    • PHASE MAPPING OF NATURALLY AGED UNCAPPED INN QUANTUM DOTS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2009
    • [Lugar del congreso]: SEGOVIA
    • THIN FILMS OF INALN TERNARY ALLOYS PSEUDOAMORPHICALLY GROWN ON GAN/SAPPHIRE
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2009
    • [Lugar del congreso]: SEGOVIA
    • INALN NANOLAYERS LATTICE-MATCHED TO GAN FOR PHOTONIC USES
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2009
    • [Lugar del congreso]: DELPHI (GRECIA)
    • CONTRIBUCIÓN DEL MÉTODO DE LOS ELEMENTOS FINITOS A LA MEJORA DEL DISEÑO Y CARACTERIZACIÓN DE NANOESTRUCTURAS 3D
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2008
    • [Lugar del congreso]: SAN SEBASTIÁN
    • HIGH RESOLUTION HAADF-STEM IMAGING ANALYSIS OF N RELATED DEFECTS IN GANAS QUANTUM WELLS
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2008
    • [Lugar del congreso]: ALBUQUERQUE, NEW MEXICO, USA
    • ANALYSIS OF THE MECHANISM OF N INCORPORATION IN N-DOPED GAAS QUANTUM WELL
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2008
    • [Lugar del congreso]: AQUISGRÁN (ALEMANIA)
    • CHARACTERIZATION OF HIGH QUALITY INP ON GAAS GROWN BY HYDROGEN-ASSISTED MOLECULAR BEAM EPITAXY BY TEM AND PL
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2008
    • [Lugar del congreso]: BOSTON (USA)
    • IMPROVEMENTS ON INP EPILAYERS BY THE USE OF MONOATOMIC HYDROGEN DURING EPITAXIAL GROWTH AND SUCCESSIVE ANNEALING
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2008
    • [Lugar del congreso]: AACHEN,ALEMANIA
    • STUDY OF MICROSTRUCTURE AND LATTICE RELAXATION ON THIN INXGA1-XN EPILAYERS FOR THE RANGE OF MEDIUM AND HIGH CONCENTRATIONS OF IN (0.4<X<0.8)
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2008
    • [Lugar del congreso]: LAFORET SHUZENJI, IZU, JAPÓN
    • STRUCTURE, RELAXATION STATE AND ELASTIC BEHAVIOUR OF INGAN IN THE COMPLETE RANGE OF IN CONCENTRATION
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2008
    • [Lugar del congreso]: TOLEDO, ESPAÑA
    • STUDY OF MICROSTRUCTURE AND STRAIN RELAXATION ON THIN INGAN EPILAYERS WITH MEDIUM AND HIGH IN CONTENTS
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2008
    • [Lugar del congreso]: AQUISGRÁN (ALEMANIA)
    • PHASE MAPPING OF UNCAPPED INN QUANTUM DOTS
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2008
    • [Lugar del congreso]: AQUISGRÁN (ALEMANIA)
    • DETERMINATION OF THE INGAN COMPOSITION FROM STRAIN MEASUREMENTS
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2008
    • [Lugar del congreso]: BOSTON (USA)
    • RELAJACIÓN Y CONFIGURACIÓN DE LAS REDES DE DISLOCACIONES DE DESAJUSTE EN PUNTOS CUÁNTICOS DE INN
    • [Tipo de participacion]: PONENCIA
    • [Anio de celebracion]: 2008
    • [Lugar del congreso]: SAN SEBASTIÁN
    • CHARACTERIZATION OF THE MISFIT DISLOCATION NETWORKS IN INN QUANTUM DOTS GROWN ON GAN
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2007
    • [Lugar del congreso]: CARRÈ DES SCIENCES - PARIS - FRANCE
    • ATOMIC SCALE ANALYSIS OF N DISTRIBUTION IN GANAS QUANTUM WELLS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2007
    • [Lugar del congreso]: SAN FRANCISCO
    • HIGH RESOLUTION HAADF-STEM ANALYSIS OF N-DOPED GAAS QUANTUM WELLS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2007
    • [Lugar del congreso]: CUSCO (PERU)
    • ATOMIC SCALE Z CONTRAST IMAGING STUDY OF N DISTRIBUTION IN GAASN QUANTUM WELLS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2007
    • [Lugar del congreso]: BOSTON (USA)
    • FINITE ELEMENT SIMULATION OF THE ELASTIC ENERGY OF SEMICONDUCTOR QUANTUM WIRES IN THEIR INITIAL GROWTH STAGE
    • [Tipo de participacion]: PONENCIA
    • [Anio de celebracion]: 2007
    • [Lugar del congreso]: CARRÈ DES SCIENCES - PARIS - FRANCE
    • EPITAXY OF INN/IN2O3 HETEROSTRUCTURES
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2007
    • [Lugar del congreso]: LAS VEGAS, NEVADA, ESTADOS UNIDOS
    • STRAIN RELIEF ANALYSIS OF INN QUANTUM DOTS GROWN ON GAN
    • [Tipo de participacion]: CONFERENCIA
    • [Anio de celebracion]: 2007
    • [Lugar del congreso]: FAYETTEVILLE, ARKANSAS, USA
    • MISFIT RELAXATION AND NUCLEATION MECHANISMS OF INN QUANTUM DOTS
    • [Tipo de participacion]: CONFERENCIA
    • [Anio de celebracion]: 2007
    • [Lugar del congreso]: SAN FRANCISCO, EEUU
    • EFECTO DE LAS CAPAS INTERMEDIAS EN LA ESTRUCTURA DEL INN CRECIDO SOBRE ZAFIRO
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2007
    • [Lugar del congreso]: BILBAO (ESPAÑA)
    • GROWTH OF CUBIC INDIUM NITRIDE LAYERS ON INDIUM OXIDE/SAPPHIRE PSEUDOSUBSTRATES
    • [Tipo de participacion]: CONFERENCIA
    • [Anio de celebracion]: 2007
    • [Lugar del congreso]: ESTRASBURGO, FRANCIA
    • EVALUACIÓN DEL ESTADO DE TENSIÓN/ DEFORMACIÓN EN PUNTOS CUÁNTICOS
    • [Tipo de participacion]: PONENCIA
    • [Anio de celebracion]: 2007
    • [Lugar del congreso]: BILBAO
    • ESTUDIO DE LA MORFOLOGÍA Y ESTADO DE RELAJACIÓN DE PUNTOS CUÁNTICOS DE INN: EFECTO DEL RECUBRIMIENTO DE GAN A BAJA TEMPERATURA
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2006
    • [Lugar del congreso]: VIGO, ESPAÑA
    • EVALUATION OF THE INFLUENCE OF GAN AND ALN AS PSEUDOSUBSTRATES ON THE CRYSTALLINE QUALITY OF INN LAYERS
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2006
    • [Lugar del congreso]: CADIZ (SPAIN)
    • STRAIN-ENGINEERED INGAAS QUANTUM DOT STRUCTURES FOR LONG WAVELENGTH EMISSION
    • [Tipo de participacion]: CONFERENCIA
    • [Anio de celebracion]: 2006
    • [Lugar del congreso]: CADIZ (SPAIN)
    • CHARACTERISATION OF DEFECTS AND THEIR EFFECT ON THE PERFORMANCE OF MULTILAYER INGAAS QUANTUM DOT LASERS
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2006
    • [Lugar del congreso]: CADIZ (SPAIN)
    • NUCLEATION OF INN QUANTUM DOTS ON TOP OF PURE EDGE THREADING DISLOCATIONS IN GAN
    • [Tipo de participacion]: CONFERENCIA
    • [Anio de celebracion]: 2006
    • [Lugar del congreso]: CADIZ (SPAIN)
    • KINETICS OF THE PHASE SEPARATION IN GA0.65IN0,35N0.023AS/GAAS QUANTUM WELLS
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2006
    • [Lugar del congreso]: CADIZ (SPAIN)
    • LASER MACHINING OF CARBON REINFORCED POLYMER BY MICROSECOND LASER PULSES
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2006
    • [Lugar del congreso]: BIARRITZ, FRANCIA
    • MICROSECOND ND:YAG CFRP LASER MACHINING NEURAL NETWORK ANALYSIS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2006
    • [Lugar del congreso]: BIARRITZ, FRANCIA
    • STRUCTURAL AND MORPHOLOGICAL ASPECTS OF CAPPED AND UNCAPPED INN QUANTUM DOTS
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2006
    • [Lugar del congreso]: SAPPORO, JAPAN
    • PHASE SEPARATION IN GAINNAS QUANTUM WELLS STUDIED BY ELECTRON MICROSCOPY TECHNIQUES
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2006
    • [Lugar del congreso]: SAPPORO, JAPAN
    • MECANIZADO LÁSER DE RESINA EPOXY REFORZADA CON FIBRA DE CARBONO MEDIANTE MÚLTIPLES PASADAS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2006
    • [Lugar del congreso]: VIGO,ESPAÑA
    • Z-CONTRAST IMAGING ANALYSIS OF SEMICONDUCTOR EPITAXIES: APPLICATION TO GANAS QUANTUM WELLS AND INAS/GAINAS/GAAS DOT IN WELL STRUCTURES
    • [Tipo de participacion]: PONENCIA
    • [Anio de celebracion]: 2006
    • [Lugar del congreso]: FORT LAUDERALE, FLORIDA (US)
    • HEAT AFFECTED ZONE MEASURE OF CO2 LASER MACHINE CARBON FIBER REINFORCED PLASTIC USING NEURAL NETWORKS
    • [Tipo de participacion]: PONENCIA
    • [Anio de celebracion]: 2005
    • [Lugar del congreso]: ESTRASBURGO, FRABCIA
    • DEFECT GENERATION IN HIGH IN AND N CONTENT GAINNAS QUANTUM WELLS: UNFAULTING OF FRANK DISLOCATION LOOPS
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2005
    • [Lugar del congreso]: OXFORD, REINO UNIDO
    • QUANTITATIVE MEASUREMENTS OF THE INHOMOGENEOUS STRAIN FIELD OF STACKED SELF-ASSEMBLED INAS/INP(001) QUANTUM WIRES BY PEAK FINDING METHOD
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2005
    • [Lugar del congreso]: OXFORD, REINO UNIDO
    • CHEMICAL COMPOSITION QUALITATIVE DISTRIBUTION OF INAS/GAAS(001) SATCKED QUANTUM RINGS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2005
    • [Lugar del congreso]: OXFORD, REINO UNIDO
    • STRUCTURAL CHARACTERIZATION OF INN QUANTUM DOTS GROWN BY METALORGANIC VAPOUR PHASE EPITAXY
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2005
    • [Lugar del congreso]: BREMEN (ALEMANIA)
    • EFFECT OF LOW TEMPERATURE GAN CAPPING LAYER ON THE MORPHOLOGY OF INN QDS
    • [Tipo de participacion]: TALLER DE TRABAJO
    • [Anio de celebracion]: 2005
    • [Lugar del congreso]: EINDHOVEN, HOLANDA
    • ANÁLISIS ESTRUCTURAL DE PUNTOS CUÁNTICOS DE INN
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2005
    • [Lugar del congreso]: GRANADA, ESPAÑA
    • ENERGÍA DE ACTIVACIÓN PARA LA DIFUSIÓN EN POZOS CUÁNTICOS DE GAINNAS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2005
    • [Lugar del congreso]: GRANADA, ESPAÑA
    • EFFECT OF ANNEALING ON ANTICORRELATED INGAAS/GAAS QUANTUM DOTS
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2005
    • [Lugar del congreso]: OXFORD, REINO UNIDO
    • VERTICAL CORRELATION-ANTICORRELATION TRANSITION IN INAS/GAAS QUANTUM DOT STRUCTURES GROWN BY MOLECULAR BEAM EPITAXY
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2005
    • [Lugar del congreso]: OXFORD, REINO UNIDO
    • INFLUENCE OF STRUCTURE AND DEFECTS ON THE PERFORMANCE OF DOT-IN-WELL LASER STRUCTURES
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2005
    • [Lugar del congreso]: SEVILLA, ESPAÑA
    • EXPERIMENTAL EVIDENCE OF ANISOTROPY EFFECTS IN INAS/GAAS QUANTUM DOT STRUCTURES GROWTH BY MOLECULAR BEAM EPITAXY
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2005
    • [Lugar del congreso]: GRINDELWALD, SUIZA
    • ACTIVATION ENERGY FOR SURFACE DIFFUSION IN GAINNAS QUANTUM WELLS
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2005
    • [Lugar del congreso]: OXFORD, REINO UNIDO
    • CARACTERIZACIÓN ESTRUCTURAL Y ÓPTICA DE POZOS CUÁNTICOS DE GAINASN/GAAS(001)
    • [Tipo de participacion]: CONFERENCIA
    • [Anio de celebracion]: 2004
    • [Lugar del congreso]: VALENCIA, ESPAÑA
    • STRUCTURAL DEFECTS CHARACTERIZATION OF GAINNAS MQWS BY TEM AND PL
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2004
    • [Lugar del congreso]: STRASBOURG (FRANCIA)
    • COMPOSITION FLUCTUATIONS IN GAINNAS MULTI-QUANTUM WELLS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2004
    • [Lugar del congreso]: STRASBOURG (FRANCIA)
    • CHEMICAL COMPOSITION DETERMINATION OF INAS/INP(001) QUANTUM WIRES AND INAS/GAAS(001) QUANTUM RINGS STACKED STRUCTURES ON HRTEM IMAGES
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2004
    • [Lugar del congreso]: VARSOVIA, POLONIA
    • COMPOSITION MODULATION AND GROWTH-ASSOCIATED DEFECTS IN GAINNAS/GAAS MULTI QUANTUM WELLS
    • ELECTRON MICROSCOPY AND ANALYSIS GROUP CONFERENCE
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2004
    • [Lugar del congreso]: OXFORD, REINO UNIDO
    • EFFECT OF THE GROWTH PARAMETERS ON THE STRUCTURE AND MORPHOLOGY OF INAS/INGAAS/GAAS DWELL QUNTUM DOT STRUCTURES
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2004
    • [Lugar del congreso]: EDINBURGH, REINO UNIDO
    • STRAIN INTERACTIONS AND DEFECT FORMATION IN STACKED INGAAS QUANTUM DOT AND DOT-IN-WELL STRUCTURES
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2004
    • [Lugar del congreso]: BANFF, CANADA
    • COMPOSITION MODULATION AND GROWTH-ASSOCIATED DEFECTS IN INGAASN/GAAS MULTI QUANTUM WELLS
    • ELECTRON MICROSCOPY AND ANALYSIS GROUP CONFERENCE
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2004
    • [Lugar del congreso]: OXFORD, REINO UNIDO
    • STRAIN INTERACTIONS AND DEFECT FORMATION IN STACKED INGAAS QUANTUM DOT AND DOT-IN-WELL STRUCTURES
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2004
    • [Lugar del congreso]: BANFF, CANADA
    • 1.34 MM GAINNAS/GAINNAS MULTI QUANTUM WELL LASER
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2004
    • [Lugar del congreso]: CARDIFF
    • CRITICAL BARRIER THICKNESS FOR THE FORMATION OF INGAAS/GAAS QUANTUM DOTS
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2004
    • [Lugar del congreso]: STRASBOURG (FRANCIA)
    • CHARACTERIZATION OF STRUCTURE AND DEFECTS IN DOT-IN-WELL LASER STRUCTURES
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2004
    • [Lugar del congreso]: STRASBOURG (FRANCIA)
    • FLUCTUACIONES DE COMPOSICIÓN EN DE POZOS CUÁNTICOS DE GAINASN/GAAS
    • [Tipo de participacion]: CONFERENCIA
    • [Anio de celebracion]: 2004
    • [Lugar del congreso]: VALENCIA, ESPAÑA
    • CARACTERIZACIÓN ESTRUCTURAL Y ÓPTICA DE POZOS CUÁNTICOS DE GAINASN/GAAS(001)
    • [Tipo de participacion]: CONFERENCIA
    • [Anio de celebracion]: 2004
    • [Lugar del congreso]: VALENCIA, ESPAÑA
    • CARBON FIBER REINFORCED POLYMERS (CFRP) ND:YAG LASER MACHINING
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2004
    • [Lugar del congreso]: SAN FRANCISCO (EEUU)
    • CARBON FIBER REINFORCED PLASTIC CO2 LASER MACHINING.
    • EUROPEAN MATERIALS RESEARCH SOCIETY SPRING MEETING
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2004
    • [Lugar del congreso]: ESTRASBURGO (FRANCIA)
    • CHARACTERIZATION OF STACKED QUANTUM RINGS BY TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2004
    • [Lugar del congreso]: ANTWERP,BELGICA
    • VERTICAL COUPLING EFFECTS ON STACKED LAYERS OF SELF-ASSEMBLED INGAAS QUANTUM RINGS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2004
    • [Lugar del congreso]: FLAGSTAFF, ESTADOS UNIDOS
    • HEAT AFFECTED ZONE MEASURE OF CO2 LASER MACHINED CARBON FIBER REINFORCED PLASTIC USING NEURAL NETWORKS
    • EUROPEAN MATERIALS RESEARCH SOCIETY SPRING MEETING
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2004
    • [Lugar del congreso]: ESTRASBURGO (FRANCIA)
    • FLUCTUACIONES DE COMPOSICIÓN EN DE POZOS CUÁNTICOS DE GAINASN/GAAS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2004
    • [Lugar del congreso]: VALENCIA, ESPAÑA
    • GROWTH TEMPERATURE EFFECT ON THE PHASE SEPARATION OF INGAASN QWS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2004
    • [Lugar del congreso]: MONTPELLIER, FRANCIA
    • ESTUDIO DEL APILAMIENTO DE HILOS CUÁNTICOS DE INAS-INP (001) MEDIANTE MICROSCOPÍA ELECTRÓNICA DE TRANSMISIÓN
    • XXI BIENAL DE LA SOCIEDAD DE MICROSCOPIA DE ESPAÑA
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2003
    • [Lugar del congreso]: SAN FERNANDO (CÁDIZ)
    • APORTACIÓN DE LA MICROSCOPÍA ELECTRÓNICA DE BARRIDO A LA CARACTERIZACIÓN DEL MECANIZADO LÁSER DE FIBRA DE CARBONO
    • XXI BIENAL DE LA SOCIEDAD DE MICROSCOPIA DE ESPAÑA
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2003
    • [Lugar del congreso]: SAN FERNANDO (CÁDIZ)
    • EXPERIMENTAL EVALUATION OF LASER CUTING APPLIED TO CFR COMPOSITES
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2003
    • [Lugar del congreso]: SARAJEVO, BOSNIA-HERZEGOVINA
    • DETERMINATION OF HEAT TRANSMISSION PARAMETERS IN LASER MACHINED CARBON FIBER COMPOSITES
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2003
    • [Lugar del congreso]: SARAJEVO, BOSNIA-HERZEGOVINA
    • COMPOSITION MODULATION IN LOW-TEMPERATURE GROWTH OF INGAAS/GAAS SYSTEM: INFLUENCE ON PLASTIC RELAXATION
    • EMAS2003
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2003
    • [Lugar del congreso]: CHICLANA (ESPAÑA)
    • DEFECTOS ESTRUCTURALES EN MULTI-POZOS CUÁNTICOS DE INGAASN
    • XXI BIENAL DE LA SOCIEDAD DE MICROSCOPIA DE ESPAÑA
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2003
    • [Lugar del congreso]: SAN FERNANDO (CÁDIZ)
    • IDENTIFICACIÓN DE FASES DE TRANSICIÓN EN SISTEMAS TERNARIOS AL2O3-SIO2-CR2O3 MEDIANTE MICROSCOPÍA ELECTRÓNICA DE ALTA RESOLUCIÓN.
    • XXI BIENAL DE LA SOCIEDAD DE MICROSCOPIA DE ESPAÑA
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2003
    • [Lugar del congreso]: SAN FERNANDO (CÁDIZ)
    • STUDY OF SELF-ASSEMBLED INAS-INP (001) QUANTUM WIRES STACKS TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY
    • EMAS2003
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2003
    • [Lugar del congreso]: CHICLANA (ESPAÑA)
    • MICROSTRUCTURAL AND MICROCHEMICAL CHARACTERISATION OF CHROMIUM DOPED MULLITES
    • EMAS2003
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2003
    • [Lugar del congreso]: CHICLANA (ESPAÑA)
    • STRUCTURAL STUDY OF MICRO AND NANOTUBES SYTHESIZED BY RAPID THERMAL CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
    • EMAS2003
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2003
    • [Lugar del congreso]: CHICLANA (ESPAÑA)
    • CRYSTALINE INCLUSIONS AND DISLOCATIONS DETECTION IN C+N+B CON-IMPLANTED IN SILICON (111)
    • EMAS2003
    • [Tipo de participacion]: CONFERENCIA
    • [Anio de celebracion]: 2003
    • [Lugar del congreso]: CHICLANA (ESPAÑA)
    • STRUCTURAL STUDY OF GAN LAYERS GROWN ON CARBONIZED SI(111) SUBSTRATES
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2003
    • [Lugar del congreso]: LINKÖPING, SUECIA
    • CHARACTERIZATION OF INGAAS(N)/GAAS MULTI-QUANTUM WELLS USING TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY
    • INTERNATIONAL CONFERENCE OF MICROSCOPY OF SEMICONDUCTING MATERIALS
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2003
    • [Lugar del congreso]: CAMBRIDGE, REINO UNIDO
    • ANOMALOUS RELAXATION IN COMBINED LOW AND HIGH TEMPERATURE GROWTH OF IN0.2GA0.8AS/GAAS EPILAYERS
    • INTERNATIONAL CONFERENCE OF MICROSCOPY OF SEMICONDUCTING MATERIALS
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2003
    • [Lugar del congreso]: CAMBRIDGE, REINO UNIDO
    • THICKNESS INFLUENCE ON SPINODAL DECOMPOSITION FORMATION IN IN0.2GA0.8AS/GAAS LOW TEMPERATURE GROWTH
    • INTERNATIONAL CONFERENCE OF MICROSCOPY OF SEMICONDUCTING MATERIALS
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2003
    • [Lugar del congreso]: CAMBRIDGE, REINO UNIDO
    • THE ROLE OF GE PREDEPOSITION TEMPERATURE IN THE EPITAXY OF SIC ON SILICON
    • [Tipo de participacion]: PONENCIA
    • [Anio de celebracion]: 2003
    • [Lugar del congreso]: POLONIA
    • RELAJACIÓN EN POZOS CUÁNTICOS DE INGAAS/GAAS SOBRE SUSTRATOS (001) Y (111)B DE GAAS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2003
    • [Lugar del congreso]: GRANADA, ESPAÑA
    • DOMINIOS DE INVERSIÓN EN HETEROESTRUCTURAS GAN/ALN/SI (111) CRECIDAS POR MBE
    • XXI BIENAL DE LA SOCIEDAD DE MICROSCOPIA DE ESPAÑA
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2003
    • [Lugar del congreso]: SAN FERNANDO (CÁDIZ)
    • COMPARISON BETWEEN GROWTH MECHANISMS IN DILUTE NITRIDES GROWN ON (111)B AND (001)GAAS SUBSTRATES
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2003
    • [Lugar del congreso]: STTUART, ALEMANIA
    • CRITICAL THICKNESS FOR COMPOSITION MODULATION IN LOW TEMPERATURE
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2003
    • [Lugar del congreso]: BOSTON, ESTADOS UNIDOS
    • DEFECT STRUCTURE OF INGAAS/GAAS(001)
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2002
    • [Lugar del congreso]: CERCEDILLA (MADRID)
    • KINETICS OF MULLITE CRISTALLIZATION FROM NEUTRON THERMODIFFRACTOMETRY
    • NINTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON EXPERIMENTAL MINERALOGY, PETROLOGY AND GEOCHEMISTRY
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2002
    • [Lugar del congreso]: ZÜRICH, SUIZA
    • ESTUDIO POR MICROSCOPÍA ELECTRÓNICA Y ESPECTROSCOPÍA DE INFRA-ROJOS DE CAPAS DE SIC OBTENIDAS MEDIANTE CARBURIZACIÓN DE OBLEAS DE SI
    • CONGRESO NACIONAL DE MATERIALES. 42 CONGRESO ANUAL DE S.E.C.V.
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2002
    • [Lugar del congreso]: MADRID, ESPAÑA
    • EFECTO DEL CICLO TÉRMICO EN LA RELAJACIÓN PLÁSTICA DE HETEROESTRUCTRAS INGAAS/GAAS CRECIDAS POR ALMBE A BAJA TEMPERATURA
    • CONGRESO NACIONAL DE MATERIALES. 42 CONGRESO ANUAL DE S.E.C.V.
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2002
    • [Lugar del congreso]: MADRID, ESPAÑA
    • SIC VOIDS, MOSAIC MICROSTRUCTURE AND DISLOCATIONS DISTRIBUTION IN SI CARBONIZED LAYERS
    • DIAMOND2002
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2002
    • [Lugar del congreso]: GRANADA (ESPAÑA)
    • FATIGUE BAHAVIOR OF LASER MACHINE 2024T3 AERONAUTIC ALUMINIUM ALLOY
    • E-MRS 2002
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2002
    • [Lugar del congreso]: STRASBOURG (FRANCE)
    • MICROSTRUCTURAL STUDY OF CO2 LASER MACHINED HEAT AFFECTED ZONE OF 2024T3 ALUMINUIUM ALLOY
    • E-MRS 2002
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2002
    • [Lugar del congreso]: STRASBOURG (FRANCE)
    • ESTUDIO DE CAPAS DE DESACOPLO DE INGAAS/GAAAS(001) POR CRECIMIENTO COMBINADO DE MBE-ALMBE EN FORMA DINÁMICA Y ESCALONADA
    • CONGRESO NACIONAL DE MATERIALES. 42 CONGRESO ANUAL DE S.E.C.V.
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2002
    • [Lugar del congreso]: MADRID, ESPAÑA
    • ORIGING OF INVERSION DOMAINS IN GAN/ALN/SI(111) HETEROSTRUCTURES GROWN BY MOLECULAR BEAM EPITAXY
    • INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2002
    • [Lugar del congreso]: AACHEN (ALEMANIA)
    • ON THE APPLICATION OF ADVANCED COMPUTING TECHNIQUES TO THE DETERMINATION OF THICKNESS AND DEFOCUS FROM HIGH RESOLUTION TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY IMAGES
    • CIMTEC 2002
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2002
    • [Lugar del congreso]: FLORENCIA (ITALIA)
    • CORRELATION BETWEEN THE ALN BUFFER LAYER THICKNESS AND THE GAN POLARITY IN GAN/ALN/SI (111) GROWN BY MBE
    • FALL MEETING MATERIALS RESEARCH SOCIETY
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2002
    • [Lugar del congreso]: BOSTON, EEUU
    • ALN BUFFER LAYER THICKNESS INFLUENCE ON INVERSION DOMAINS IN GAN/ALN/SI(111)
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2002
    • [Lugar del congreso]: ESTRASBURGO, FRANCIA
    • COMPORTAMIENTO DE MULLITAS EN ALTA TEMPERATURA: ESTUDIO MEDIANTE DIFRACCIÓN DE RAYOS X
    • CONGRESO NACIONAL DE MATERIALES. 42 CONGRESO ANUAL DE S.E.C.V.
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2002
    • [Lugar del congreso]: MADRID, ESPAÑA
    • ESTUDIO ESTRUCTURAL DE COMPUESTOS ORGÁNICOS EN EL AULA
    • X CONGRESO DE LA INNOVACION EDUCATIVA EN LAS ENSEÑANZAS TECNICAS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2002
    • [Lugar del congreso]: VALENCIA, ESPAÑA
    • CORRELATION BETWEEN THE ALN BUFFER LAYER THICKNESS AND THE GAN POLARITY IN GAN/ALN/SI(111) GROWN BY MBE
    • MRS FALL MEETING
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2002
    • [Lugar del congreso]: BOSTON, MASSACHUSETTS
    • STRAIN RELAXATION BEHAVIOR IN INGAAS QUANTUM WELLS ON MISORIENTATED GAAS (111)B SUBSTRATES
    • MICROSCOPY OF SEMICONDUCTING MATERIALS XII 2001
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2001
    • [Lugar del congreso]: OXFORD, REINO UNIDO
    • TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY STUDY OF GAN LAYERS GROWN ON ALN BUFFERED (111) SI SUBSTRATES BY MBE
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2001
    • [Lugar del congreso]: SANT FELIUE
    • A HIGH RESOLUTION ELECTRON MICROSCOPY STUDY OF PHASES DEVELOPMENT IN SOL-GEL ALUMINOSILICATE POWDERS
    • MICROSCOPY, BARCELONA 2001
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2001
    • [Lugar del congreso]: BARCELONA
    • THE ROLE OF CLIMB AND GLIDE IN MISFIT RELIEF OF INGAAS/GAAS (111)B HETEROSTRUCTURES
    • INTERNATIONAL WORKSHOP ON MODELLING, GROWTH, PROPERTIES AND DEVICES OF EPITAXIAL SEMICONDUCTORS ON NOVEL INDEX SURFACES
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2001
    • [Lugar del congreso]: ASPET, FRANCIA
    • STACKING FAULT AND THREADING DISLOCATION INTERACTION IN GAN GROWN ON (111)SI
    • MICROSCOPY, BARCELONA 2001
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2001
    • [Lugar del congreso]: BARCELONA
    • LASER DEGRADATION DUE TO ALGAAS CLADDING LAYER RELAXATION OF INGAAS/GAAS (111)B LASERS IN THE 1.0-1.1 MICRONS
    • MICROSCOPY, BARCELONA 2001
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2001
    • [Lugar del congreso]: BARCELONA
    • RELAXATION STUDY OF ALGAAS CLADDING LAYERS IN INGAAS/GAAS (111)B LASERS DESIGNED FOR 1.0-1.1 MICRONS OPERATION
    • INTERNATIONAL WORKSHOP ON MODELLING, GROWTH, PROPERTIES AND DEVICES OF EPITAXIAL SEMICONDUCTORS ON NOVEL INDEX SURFACES
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2001
    • [Lugar del congreso]: ASPET, FRANCIA
    • MULTIPLE ATOMIC CONFIGURATION OF INVERSION DOMAIN BOUNDARIES IN GAN GROWN ON (111)SI
    • MICROSCOPY OF SEMICONDUCTING MATERIALS XII 2001
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2001
    • [Lugar del congreso]: OXFORD, REINO UNIDO
    • BARRIER THICKNESS INFLUENCE ON PLASTIC RELAXATION IN (111)B MISORIENTATED INGAAS/GAAS DOUBLE QUANTUM WELLS
    • MICROSCOPY OF SEMICONDUCTING MATERIALS XII 2001
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2001
    • [Lugar del congreso]: OXFORD, REINO UNIDO
    • EFFECT OF GRADED BUFFER DESIGN ON THE DEFECT STRUCTURE IN INGAAS/GAAS(111)B HETEROSTRUCTURES
    • EXPERT EVALUATION AND CONTROL OF COMPOUND SEMICONDUCTOR MATERIALS AND TECHNOLOGY
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2000
    • [Lugar del congreso]: CRETE
    • OPTIMISATION OF SIC THIN FILMS OBTAINED BY SI CARBONIZATION
    • EXPERT EVALUATION AND CONTROL OF COMPOUND SEMICONDUCTOR MATERIALS AND TECHNOLOGY
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2000
    • [Lugar del congreso]: CRETE
    • CATHODOLUMINESCENCE STUDY OF PROTON IRRADIATED MULTIPLE QUANTUM-WELL SOLAR CELLS FOR SPACE
    • IEEE PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2000
    • [Lugar del congreso]: ANCHORAGE, ALASKA (EEUU)
    • PROTON INDUCED DAMAGE IN P+-N INP SOLAR CELLS: THE ROLE OF CARRIER CAPTURE AT HIGH FLUENCES
    • EXPERT EVALUATION AND CONTROL OF COMPOUND SEMICONDUCTOR MATERIALS AND TECHNOLOGY
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2000
    • [Lugar del congreso]: CRETE
    • ESTRUCTURA DE DEFECTOS EN MULTIPOZOS CUANTICOS DE INGAAS/GAAS CRECIDOS SOBRE SUBSTRATOS DE GAAS(111)B
    • REUNIÓN BIENAL DE LA SOCIEDAD ESPAÑOLA DE MICROSCOPÍA ELECTRÓNICA
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1999
    • [Lugar del congreso]: MURCIA
    • THE EFFECT OF TEMPERATURE RAMP RATE DURING CARBONIZATION OF SI(111) ON THE OBTAINED SIC CRYSTALLINE QUALITY
    • MICROSCOPY OF SEMICONDUCTING MATERIALS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1999
    • [Lugar del congreso]: OXFORD
    • STRUCTURAL CHARACTERIZATION OF ALGAN/ALN/SI(111) HETEROSTRUCTURES BY TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY
    • MICROSCOPY OF SEMICONDUCTING MATERIALS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1999
    • [Lugar del congreso]: OXFORD
    • STUDY OF THE RELAXATION IN INGAAS SQW GROWN ON (001) AND (111)B SUBSTRATES
    • MICROSCOPY OF SEMICONDUCTING MATERIALS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1999
    • [Lugar del congreso]: OXFORD
    • CARACTERIZACION MEDIANTE MICROSCOPIA ELECTRONICA DE SIC OBTENIDO POR CARBURIZACION DE SI (111)
    • REUNIÓN BIENAL DE LA SOCIEDAD ESPAÑOLA DE MICROSCOPÍA ELECTRÓNICA
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1999
    • [Lugar del congreso]: MURCIA
    • ESTUDIO MEDIANTE MICROSCOPIA ELECTRONICA DE TRANSMISION DE HETEROESTRUCTURAS ALGAN/ALN/SI(111)
    • REUNIÓN BIENAL DE LA SOCIEDAD ESPAÑOLA DE MICROSCOPÍA ELECTRÓNICA
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1999
    • [Lugar del congreso]: MURCIA
    • ESTUDIO DE LA ACTIVIDAD ELECTRICA Y OPTICA DE MICROFACETAS EN FOTODIODOS PIEZOELECTRICOS DE MULTIPLES POZOS CUANTICOS DE INGAAS/GAAS (111)B
    • REUNION NACIONAL DE MATERIALES
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1999
    • [Lugar del congreso]: SAN SEBASTIAN, ESPAÑA
    • ANALISIS MEDIANTE CATODOLUMINISCENCIA DE LA DEGRADACION INDUCIDA POR EXPOSICION A LA RADIACION EN CELDAS SOLARES N+-P INP/SI
    • REUNION NACIONAL DE MATERIALES
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1999
    • [Lugar del congreso]: SAN SEBASTIAN, ESPAÑA
    • APLICACION DE LA TERMODIFRACTOMETRIA DE NEUTRONES AL ESTUDIO DE PROCESOS DE CRISTALIZACION EN MULLITAS SOL-GEL
    • REUNION NACIONAL DE MATERIALES
    • [Tipo de participacion]: TRADUCCION
    • [Anio de celebracion]: 1999
    • [Lugar del congreso]: SAN SEBASTIAN, ESPAÑA
    • RELAJACION EN POZOS CUANTICOS DE INGAAS/GAAS SOBRE SUSTRATOS (001) Y (111)B DE GAAS
    • REUNION NACIONAL DE MATERIALES
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1999
    • [Lugar del congreso]: SAN SEBASTIAN, ESPAÑA
    • EFFECT OF PROTON IRRADIATION ON THE SPATIAL DISTRIBUTION OF N+-P INP/SI SOLAR CELLS
    • MICROSCOPY OF SEMICONDUCTING MATERIALS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1999
    • [Lugar del congreso]: OXFORD
    • EFECTO DEL DOPADO CON SI SOBRE LA ESTRUCTURA DE DEFECTOS EN SISTEMAS HETEROEPITAXIALES GAN/ALN/SI
    • REUNION NACIONAL DE MATERIALES
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1999
    • [Lugar del congreso]: SAN SEBASTIAN, ESPAÑA
    • INFLUENCE OF SI DOPING ON THE SUBGRAIN STRUCTURE OF GAN GROWN ON ALN/SI(111)
    • THE THIRD INTERNATIONAL CONFERENCE ON NITRIDE SEMICONDUCTORS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1999
    • [Lugar del congreso]: MONTPELLIER, FRANCIA
    • PROPERTIES OF HOMOEPITAXIAL AND HETEROEPITAXIAL GAN LAYERS GROWN BY PLASMA-ASSISTED MBE
    • THE THIRD INTERNATIONAL CONFERENCE ON NITRIDE SEMICONDUCTORS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1999
    • [Lugar del congreso]: MONTPELLIER, FRANCIA
    • SPATIAL DISTRIBUTION OF PROTON IRRADIATION-INDUCED DEFECTS IN INP/SI SOLAR CELLS
    • INTERNATIONAL PHOTOVOLTAIC SCIENCE AND ENGINEERING CONFERENCE
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1999
    • [Lugar del congreso]: SAPPORO, JAPÓN
    • APORTACIONES DE LA MICROSCOPÍA ELECTRÓNICA DE ALTA RESOLUCIÓN AL ESTUDIO DE PROCESOS DE CRISTALIZACIÓN EN CERÁMICAS SOL-GEL
    • REUNIÓN BIENAL DE LA SOCIEDAD ESPAÑOLA DE MICROSCOPÍA ELECTRÓNICA
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 1999
    • [Lugar del congreso]: MURCIA
    • HOMOEPITAXY AND HETEROEPITAXY OF III-NITRIDES BY PLASMA-ASSISTED MOLECULAR BEAM EPITAXY
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1999
    • [Lugar del congreso]: LES ARCS, SAVOIE (FRANCIA)
    • ESTUDIO ESTRUCTURAL DE SISTEMAS GAN/ALN/SI(111)
    • REUNION NACIONAL DE MATERIALES
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1999
    • [Lugar del congreso]: SAN SEBASTIAN, ESPAÑA
    • INFLUENCE OF SUBSTRATE MISORIENTATION ON THE STRUCTURAL CHARACTERISTICS OF INGAAS/GAAS QUANTUM WELLS ON (111)B GAAS GROWN BY MBE
    • INTERNATIONAL VACUUM CONGRESS (IVC-14) AND 10THINTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID SURFACES (ICSS-10)
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 1998
    • [Lugar del congreso]: BIRMINGHAM (REINO UNIDO)
    • DIFFUSION LENGTH, CARRIER REMOVAL AND DEFECT STUDIES IN HEAVILY PROTON IRRADIATED INP/SI SOLAR CELLS USING EBIC, CATHODOLUMINISCENCE AND QUANTUM EFFICIENCY MEASUREMENTS
    • WORLD CONFERENCE AND EXHIBITION ON PHOTOVOLTAIC SOLAR ENERGY CONVERSION
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1998
    • [Lugar del congreso]: VIENA, AUSTRIA
    • STRUCTURAL CHARACTERIZATION OF GAN/ALN/SI(111)
    • [Tipo de participacion]: CONFERENCIA
    • [Anio de celebracion]: 1998
    • [Lugar del congreso]: CANCÚN, MÉXICO
    • EFFECT OF IN CONTENT ON THE MISFIT DISLOCATION INTERACTION IN INGAAS/GAAS LAYERS
    • INTERNATIONAL VACUUM CONGRESS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1998
    • [Lugar del congreso]: BIRMINGHAM, REINO UNIDO
    • ELECTRON MICROSCOPY STUDY OF SIC OBTAINED BY CARBONIZATION OF SI(111)
    • INTERNATIONAL VACUUM CONGRESS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1998
    • [Lugar del congreso]: BIRMINGHAM, REINO UNIDO
    • OPTICAL PROPERTIES OF INXGA1-XAS/GAAS MQW STRUCTURES ON (111)B GAAS GROWN BY MBE: DEPENDENCE WITH SUBSTRATE MISCUT
    • INTERNATIONAL CONFERENCE ON MOLECULAR BEAM EPITAXY
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1998
    • [Lugar del congreso]: CANNES
    • THE ROLE OF ALN BUFFER LAYERS TO IMPROVE THE GROWTH OF SI DOPED GAN ON SI (111)
    • INTERNATIONAL WORKSHOP ON LATTICE-MISMATCHED AND HETEROVALENT THIN FILM EPITAXY
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1998
    • [Lugar del congreso]: BARGA, ITALIA
    • FAILURE ANALYSIS OF NEUTRON-IRRADIATED MQW INGAASP/INP LASERS BY EBIC
    • BEAM INJECTION ASSESSMENT OF DEFECTS IN SEMICONDUCTORS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1998
    • [Lugar del congreso]: BERLIN, ALEMANIA
    • MULTIPLE QUANTUM WELL GAAS/ALGAAS SOLAR CELLS: TRANSPORT AND RECOMBINATION PROPERTIES BY MEANS OF EBIC AND CATHODOLUMINESCENCE
    • EXPERT EVALUATION AND CONTROL OF COMPOUND SEMICONDUCTOR MATERIALS AND TECHNOLOGIES
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1998
    • [Lugar del congreso]: CARDIFF, REINO UNIDO
    • MBE GROWTH OF GAN AND ALGAN LAYERS ON SI(111) SUBSTRATES: DOPING EFFECTS
    • INTERNATIONAL CONFERENCE ON MOLECULAR BEAM EPITAXY
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1998
    • [Lugar del congreso]: CANNES
    • TEM STUDY OF QUANTUM WELLS WIRES DEFECT STRUCTURES GROWN ON V-SAHPED SURFACE INP SUBSTRATES
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 1998
    • [Lugar del congreso]: BIRMINGHAM (REINO UNIDO)
    • INFLUENCE OF SUBSTRATE MISORIENTATION ON THE OPTICAL AND STRUCTURAL PROPERTIES OF INGAAS/GAAS SINGLE STRAINED QW GROWN ON (111)B GAAS BY MBE
    • NOVEL INDEX SURFACES
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1998
    • [Lugar del congreso]: SEGOVIA, ESPAÑA
    • PIEZOELECTRIC INGAAS/GAAS (111)B MQW PHOTODIODES: OPTOELECTRONIC PROPERTIES BY EBIC AND CATHODOLUMINISCENCE
    • NOVEL INDEX SURFACES
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1998
    • [Lugar del congreso]: SEGOVIA, ESPAÑA
    • MULTIPLE QUATUM WELL GAAS/ALGAAS SOLAR CELLS: TRANSPORT AN RECOMBINATION PROPERTIES BY MEANS OF EBIC AND CATHODOLUMINISCENCE
    • [Tipo de participacion]: CONFERENCIA
    • [Anio de celebracion]: 1998
    • [Lugar del congreso]: CARDIFF, REINO UNIDO
    • FAILURE ANALISIS OF HEAVILY PROTON IRRADIATED P+-N INGAP SOLAR CELLS BY EBIC AND CATHODOLUMINISCENCE
    • [Tipo de participacion]: CONFERENCIA
    • [Anio de celebracion]: 1998
    • [Lugar del congreso]: CARDIFF, REINO UNIDO
    • NEW RELAXATION MECHANISM IN INGAAS/GAAS (111)B MQW GROWN BY MBE
    • NOVEL INDEX SURFACES
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1998
    • [Lugar del congreso]: SEGOVIA, ESPAÑA
    • CATHODOLUMINISCENCE STUDY OF PYRAMIDAL FACETS IN PIEZOELECTRIC INGAAS/GAAS MULTIPLE QUANTUM WELL P-I-N PHOTODIODES
    • NOVEL INDEX SURFACES
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1998
    • [Lugar del congreso]: SEGOVIA, ESPAÑA
    • TEM STUDY OF QUANTUM WELL WIRES DEFECT STRUCTURES GROWN ON V-SHAPED SURFACE INP SUBSTRATES
    • INTERNATIONAL VACUUM CONGRESS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1998
    • [Lugar del congreso]: BIRMINGHAM, REINO UNIDO
    • CATHODOLUMINESCENCE STUDY OF HEAVILY PROTON IRRADIATED HETEROEPITAXIAL N+- P INP/SI SOLAR CELLS
    • BEAM INJECTION ASSESSMENT OF DEFECTS IN SEMICONDUCTORS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1998
    • [Lugar del congreso]: BERLIN, ALEMANIA
    • ESTUDIO POR MICROSCOPIA ELECTRONICA DE TRANSMISION DE LA ESTRUCTURA DE BANDAS DE MACLAJE EN CAPAS DE INGAAS CRECIDAS SOBRE SUSTRATOS GAAS (111)B
    • REUNIÓN BIENAL DE LA SOCIEDAD ESPAÑOLA DE MICROSCOPÍA ELECTRÓNICA
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1997
    • [Lugar del congreso]: TOLEDO
    • DEPENDENCE OF ELECTRON-HOLE GENERATION FUNCTION ON EBIC CONTRAST OF DEFECTS
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 1997
    • [Lugar del congreso]: OXFORD (REINO UNIDO)
    • DEPENDENCE OF ELECTRON-HOLE GENERATION FUNCTION ON EBIC CONTRAST OF DEFECTS
    • TENTH INTERNATIONAL CONFERENCE ON MICROSCOPY OF SEMICONDUCTING MATERIALS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1997
    • [Lugar del congreso]: OXFORD
    • EBIC AND TEM INVESTIGATIONS OF LASER HETEROSTRUCTURES GROWN ON LINEARLY-GRADED AND STEP-GRADED BUFFER LAYERS
    • TENTH INTERNATIONAL CONFERENCE ON MICROSCOPY OF SEMICONDUCTING MATERIALS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1997
    • [Lugar del congreso]: OXFORD
    • EVALUACION DE LAS PROPIEDADES DE TRANSPORTE Y CORRELACION CON LA ESTRUCTURA DE DEFECTOS DE LASERES CRECIDOS SOBRE CAPAS AMORTIGUADORAS
    • REUNIÓN BIENAL DE LA SOCIEDAD ESPAÑOLA DE MICROSCOPÍA ELECTRÓNICA
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1997
    • [Lugar del congreso]: TOLEDO
    • ESTUDIO MEDIANTE HREM DE TRANSISTORES DE ALTA MOVILIDAD ELECTRONICA
    • REUNIÓN BIENAL DE LA SOCIEDAD ESPAÑOLA DE MICROSCOPÍA ELECTRÓNICA
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1997
    • [Lugar del congreso]: TOLEDO
    • ESTRUCTURA DE DEFECTOS EN ALEACIONES DE INGASB Y INALSB CRECIDAS SOBRE SUSTRATOS DE GAAS (001) POR EPITAXIA DE HACES MOLECULARES
    • REUNIÓN BIENAL DE LA SOCIEDAD ESPAÑOLA DE MICROSCOPÍA ELECTRÓNICA
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1997
    • [Lugar del congreso]: TOLEDO
    • BASE DE DATOS ESPAÑOLA DE MICROSCOPIA ELECTRONICA
    • REUNIÓN BIENAL DE LA SOCIEDAD ESPAÑOLA DE MICROSCOPÍA ELECTRÓNICA
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1997
    • [Lugar del congreso]: TOLEDO
    • STRUCTURAL STUDY OF ALGAAS/INGAAS SUPERLATTICES GROWN BY MBE ON (111) GAAS SUBSTRATES
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 1996
    • [Lugar del congreso]: FRIBURGO, ALEMANIA
    • RELAXATION MECHANISM OF INGAAS SINGLE AND GRADED LAYERS GROWN ON (111)B GAAS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1996
    • [Lugar del congreso]: SALAMANCA
    • ADVANTAGES OF THIN INTERFACES IN STEP-GRADED BUFFER STRUCTURES
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 1996
    • [Lugar del congreso]: FRIBURGO, ALEMANIA
    • DEFECT STRUCTURE OF ALGAAS/INGAAS SUPERLATTICES GROWN BY MBE ON (111) B SUBSTRATES
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1996
    • [Lugar del congreso]: FRIBURGO, ALEMANIA
    • EBIC MODE CHARACTERIZATION OF TRANSPORT PROPERTIES ON HETEROSTRUCTURE LASERS STUDY
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 1996
    • [Lugar del congreso]: FRIBURGO, ALEMANIA
    • DETERMINACIÓN DE LA VELOCIDAD DE RECOMBINACIÓN R DE ESTRUCTURAS DE MULTIPOZO CUÁNTICO
    • REUNION NACIONAL DE MATERIALES
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 1996
    • [Lugar del congreso]: CADIZ
    • INFLUENCIA DE LA INTRODUCCIÓN DE DOPANTES EN LA COMPOSICIÓN FINAL DE CRISTALES DE MULLITA
    • REUNION NACIONAL DE MATERIALES
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 1996
    • [Lugar del congreso]: CADIZ
    • CARACTERIZACIÓN MICROESTRUCTURAL DE SUPERREDES ALGAAS/INGAAS CRECIDAS POR MBE SIBRE SUSTRATOS GAAS(111)B
    • REUNION NACIONAL DE MATERIALES
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 1996
    • [Lugar del congreso]: CADIZ
    • DETERMINACIÓN TEÓRICA DE LA DENSIDAD DE DISLOCACIONES DE DESAJUSTE EN ESTRUCTURAS ESCALONADAS DE INGAAS/GAAS
    • REUNION NACIONAL DE MATERIALES
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 1996
    • [Lugar del congreso]: CADIZ
    • MORFOLOGÍA SUPERFICIAL EN CAPAS DE INGAAS GRADUADAS SOBRE GAAS(001)
    • REUNION NACIONAL DE MATERIALES
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 1996
    • [Lugar del congreso]: CADIZ
    • EFECTO DE LA INTERACCIÓN ENTRE DISLOCACIONES EN EL RÉGIMEN DE ENDURECIMIENTO MECÁNICO DE CAPAS EPITAXIALES TENSADAS
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 1996
    • [Lugar del congreso]: BARCELONA
    • ESTUDIO MEDIANTE MICROSCOPÍA ELECTRÓNICA DE LA DEFORMACIÓN PLÁSTICA DE CAPAS DE INGAAS CRECIDAS EPITAXIALMENTE SOBRE SUSTRATOS DE GAAS(001)
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 1996
    • [Lugar del congreso]: BARCELONA
    • SCH LASER RECOMBINATION RATE FRON EBIC PROFILES
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1996
    • [Lugar del congreso]: MADRID
    • ENERGY-LOSS DEPENDENCE OF INELASTIC INTERACTIONS BETWWEN HIGH ENERGY ELECTRONS AND SEMICONDUCTORS: A MODEL TO DETERMINE THE SPATIAL DISTRIBUTION OF ELECTRON-HOLE PAIRS GENERATION
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 1996
    • [Lugar del congreso]: MADRID
    • STUDY BY TEM OF GAINSB LAYERS GROWN ON (001) GAAS SUBSTRATES BY MBE
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 1995
    • [Lugar del congreso]: OXFORD, REINO UNIDO
    • EFECTO DE LA INCORPORACIÓN DE CR EN MULLITA SOL-GEL.
    • CONGRESO SOC.ESP. CERÁM. Y VIDRIO
    • [Tipo de participacion]: CURSO - SEMINARIO
    • [Anio de celebracion]: 1995
    • [Lugar del congreso]: SEVILLA
    • ESTUDIO DEL EFECTO DEL CAMBIO DE SALTO COMPOSICIONAL EN LA RELAJACIÓN DE ESTRUCTURAS ESCALONADAS DE INGAAS/GAAS MEDIANTE TEM
    • REUNION BIENAL DE LA SOCIEDAD ESPAÑOLA DE MICROSCOPIA ELECTRÓNICA
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 1995
    • [Lugar del congreso]: OVIEDO, ESPAÑA
    • ESTUDIO POR TEM DE CAPAS DE COMPOSICIÓN GRADUAL DE INGAAS DEPOSITADAS SOBRE GAAS(001)
    • REUNION BIENAL DE LA SOCIEDAD ESPAÑOLA DE MICROSCOPIA ELECTRÓNICA
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 1995
    • [Lugar del congreso]: OVIEDO, ESPAÑA
    • ESTUDIO COMPARATIVO MEDIANTE TÉCNICAS DE MICROSCOPÍA ELECTRÓNICA DE DOS MULLITAS DE COMPOSICIÓN QUÍMICA VARIADA
    • REUNION BIENAL DE LA SOCIEDAD ESPAÑOLA DE MICROSCOPIA ELECTRÓNICA
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 1995
    • [Lugar del congreso]: OVIEDO, ESPAÑA
    • STRAIN RELAXATION IN STEP-GRADED AND LINEARLY GRADED INGAAS BUFFER LAYER ON (001) GAAS
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 1995
    • [Lugar del congreso]: OXFORD, REINO UNIDO
    • COMPARISON OF THE MISFIT AND THREADING DISLOCATION BEHAVIOR IN INGAAS STEP AND INVERSE STEP-GRADED STRUCTURES BY TEM
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 1994
    • [Lugar del congreso]: BARCELONA
    • STRUCTURAL DISORDER AND THERMAL DILATATION BEHAVIOUR IN CR-DOPED MULLITE.
    • MRS SPRING MEETING
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1994
    • [Lugar del congreso]: SAN FRANCISCO
    • RELAXED BEHAVIOUR OF INGAAS LAYERS GROWN BY MBE ON GAAS SUBSTRATES
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 1994
    • [Lugar del congreso]: BARCELONA
    • STUDY BY TEM OF INGASB AND GASB LAYERS GROWN ON (001) GAAS SUBSTRATES BY TEM
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 1994
    • [Lugar del congreso]: BARCELONA
    • A TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY STUDY OF THE EFFECT OF A DOPANT ADDITION IN A 3:2 MULLITE
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 1994
    • [Lugar del congreso]: PARÍS, FRANCIA
    • MULTILAYER STRAIN RELAXATION DETERMINATION BY XTEM IN INGAAS STEP GRADED STRUCTURES
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 1994
    • [Lugar del congreso]: PARÍS, FRANCIA
    • STEP GRADED BUFFER LAYER STUDY OF THE STRAIN RELAXATION BY TEM
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 1994
    • [Lugar del congreso]: PARMA, ITALIA
    • TEM STUDY OF THE INGAAS/GAAS MULTILAYER BUFFER USED AS DISLOCATION FILTERS
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 1994
    • [Lugar del congreso]: PARMA, ITALIA
    • METAMORPHIC INGAAS/GAAS BUFFER STRUCTURES
    • GENERAL CONFERENCE OF THE CONDENSED MATTER DIVISION
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1994
    • [Lugar del congreso]: MADRID (SPAIN)
    • TEM AND X-RAY DIFRACTION CHARACTERIZATION OF LINEARLY-GRADED COMPOSITION INGAAS BUFFER LAYERS ON GAAS (001)
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1994
    • [Lugar del congreso]: BARCELONA
    • TEM STUDY OF DISLOCATION DISTRIBUTION IN LINEARLY-GRADED COMPOSITION INGAAS LAYERS ON GAAS (001
    • INTERNATIONAL CONGRESS ON ELECTRON
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1994
    • [Lugar del congreso]: PARIS
    • A STUDY OF THE DEFECT STRUCTURE IN GAAS LAYERS GROWN AT LOW AND HIGH TEMPERATURES ON (001) SI SUBSTRATES
    • EXPERT EVALUATION AND CONTROL OF COMPOUND SEMICONDUCTOR MATERIALS AND TECHNOLOGIES
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1994
    • [Lugar del congreso]: CARDIFF, REINO UNIDO
    • A COMPARATIVE STUDY OF CO-RE SUPERLATTICES SPUTTERED ON GLASS AND SI SUBSTRATES BY GRAZING ANGLE OF INCIDENCE RBS, HRTEM, PAC, MAGNETIC AND TRANSPORT PROPERTIES STUDIES.
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1993
    • [Lugar del congreso]: BALATONFURED (HUNGRIA)
    • TEM CHARACTERIZATION OF GAAS P-I-N DIODES GROWN AT LOW TEMPERATURES ON SI SUBSTRATES.
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1993
    • [Lugar del congreso]: BOSTON, USA
    • CATHODOLUMINISCENCE AND TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY STUDY OF ISLAND FORMATION IN INAS/INP QW STRUCTURES DURING GROWTH INTERRUPTIONS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1993
    • [Lugar del congreso]: SANTANDER, ESPAÑA
    • MICROSTRUCTURAL CHARACTERIZATION OF A 7075 ALUMINUM ALLOY BY TRANSMISION ELECTRON MICROSCOPY.
    • LATIN AMERICAN INORGANIC CHEMISTRY MEETING
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 1993
    • [Lugar del congreso]: SANTIAGO DE COMPOSTELA
    • CHARACTERIZATION OF THE GAP/SI(001) INTERFACE BY TEM.
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1993
    • [Lugar del congreso]: LIVERPOOL, REINO UNIDO
    • ERRORS IN THE DETERMINATION BY HREM OF STEPS AT ALAS/GAAS INTERFACES.
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1993
    • [Lugar del congreso]: TRIESTE, ITALIA
    • ESTUDIO POR TEM Y DCXRD SOBRE LA RELAJACIÓN DEL SISTEMA HETEROESPITAXIAL GAASP:GAAS (001)
    • REUNION NACIONAL DE MATERIALES
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 1993
    • [Lugar del congreso]: OVIEDO, ESPAÑA
    • COMPORTAMIENTO DE LAS DISLOCACIONES EN CAPAS DE COMPOSICIÓN GRADUAL DE INXGA1-XAS
    • REUNION NACIONAL DE MATERIALES
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 1993
    • [Lugar del congreso]: OVIEDO, ESPAÑA
    • DEFECT STUDY ON INAS/GAAS AND GAP/GAAS DOUBLE HETEROSTRUCTURE
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 1993
    • [Lugar del congreso]: OXFORD, REINO UNIDO
    • DESIGN OF NEW OPTO/MICRO-ELECTRONIC DEVICES: III-V SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES
    • LATIN AMERICAN INORGANIC CHEMISTRY MEETING
    • [Tipo de participacion]: CONFERENCIA
    • [Anio de celebracion]: 1993
    • [Lugar del congreso]: SANTIAGO DE COMPOSTELA
    • STUDY OF PLANAR GROWTH DEFECTS IN A BUFFER LAYER OF A GAP/GAAS DOUBLE HETEROSTRUCTURE BY TEM
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 1993
    • [Lugar del congreso]: REGENSBURG, ALEMANIA
    • HIGH RESOLUTION ELECTRON MICROSCOPY
    • [Tipo de participacion]: CONFERENCIA
    • [Anio de celebracion]: 1993
    • [Lugar del congreso]: ALICANTE, ESPAÑA
    • CARACTERIZACIÓN ESTRUCTURAL MEDIANTE TEM DE ESTRUCTURAS GAAS/SI CON CAPAS Y SUPERREDES DE CAPAS DEFORMADAS (SLSS) INTERMEDIAS DE GAASXP1-X.
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1993
    • [Lugar del congreso]: LAREDO CANTABRIA
    • ESTRUCTURA DE CIERRE DE FRONTERAS DE ANTIFASE EN GAAS CRECIDO SOBRE SI (001).
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1993
    • [Lugar del congreso]: LAREDO CANTABRIA
    • DISLOCATION DISTRIBUTION IN GRADED COMPOSITION INGAAS LAYERS
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 1993
    • [Lugar del congreso]: BOSTON, USA
    • TEM AND PL STUDY OF STRAIN RELAXATION IN INGAAS/GAAS MQW STRUCTURES
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 1993
    • [Lugar del congreso]: LIVERPOOL, REINO UNIDO
    • A STUDY OF THE DEFECT STRUCTURE IN GAAS1-XPX/GAAS AS X<0.25
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1993
    • [Lugar del congreso]: BOSTON, USA
    • CARACTERIZACIÓN COMPOSICIONAL DE INTERCARAS ALGAAS/GAAS MEDIANTE MICROSCOPÍA ELECTRÓNICA DE TRANSMISIÓN.
    • REUNION BIENAL DE LA REAL SOCIEDAD ESPAÑOLA DE QUÍMICA
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1992
    • [Lugar del congreso]: MÁLAGA
    • ESTUDIO MEDIANTE MICROSCOPÍA ELECTRÓNICA DE TRANSMISIÓN DE VARIACIONES MICROESTRUCTURALES EN CERÁMICAS FUNCIONALES.
    • REUNION BIENAL DE LA REAL SOCIEDAD ESPAÑOLA DE QUÍMICA
    • [Tipo de participacion]: CARTEL
    • [Anio de celebracion]: 1992
    • [Lugar del congreso]: MÁLAGA
    • INFLUENCE OF THERMAL CYCLE ANNEALING ON PLANAR DEFECT DISTRIBUTION IN GAAS/GAASP STRUCTURE
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1992
    • [Lugar del congreso]: GRANADA, ESPAÑA
    • CARACTERIZACIÓN COMPOSICIONAL DE INTERCARAS ALGAAS/GAAS MEDIANTE MICROSCOPÍA ELECTRÓNICA DE TRANSMISIÓN.
    • REUNION BIENAL DE LA REAL SOCIEDAD ESPAÑOLA DE QUÍMICA
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1992
    • [Lugar del congreso]: MÁLAGA
    • DEFECT STRUCTURES IN HETEROEPITAXIAL INAS/GAAS AND GAAS/INAS GROWN BY ATOMIC LAYER MOLECULAR BEAM EPITAXY
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1992
    • [Lugar del congreso]: SAN FRANCISCO, EEUU
    • COMPOSITIONAL AND STRUCTURAL CHARACTERIZATION OF QUANTUM WELL LASER WITH INAS/GAAS MONOLAYERS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1992
    • [Lugar del congreso]: GRANADA, ESPAÑA
    • WORKSHOP OF THE STRUCTURES OF INTERFACES
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1991
    • [Lugar del congreso]: ARIZONA, ESTADOS UNIDOS
    • HREM CHARACTERIZATION OF LANTHANA SUPPORTED RHODIUM CATALYSTS
    • TWELFHT INTERNATIONAL CONGRESS ON ELECTRON MICROSCOPY
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1990
    • [Lugar del congreso]: SEATTLE ( USA)
    • HREM CHARACTERIZATION OF METAL CATALYSTS SUPPORTED ON RARE EARTH SESQUIOXIDES
    • WORKSHOP ON APPLICATIONS OF THE ELECTRON MICROSCOPY TO CATALYST CHARACTERIZATION
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1990
    • [Lugar del congreso]: ARIZONA (USA)
    • CARACTERIZACION DE CATALIZADORES RH/TIO2 POR MICROSCOPIA ELECTRÓNICA DE ALTA RESOLUCIÓN.
    • REUNION BIENAL DE LA SOCIEDAD ESPAÑOLA DE MICROSCOPIA ELECTRONICA
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 1990
    • [Lugar del congreso]: CADIZ
    • ESTUDIO MEDIANTE MICROSCOPÍA ELECTRÓNICA DE ALTA RESOLUCIÓN (HRTEM) DE UN SISTEMA HETEROEPITAXIAL CON UN ALTO DESAJUSTE.
    • REUNION BIENAL DE LA SOCIEDAD ESPAÑOLA DE MICROSCOPIA ELECTRONICA
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1990
    • [Lugar del congreso]: CADIZ
    • MODELO FORMAL DE SUPERFICIE PARA LA FASE CÚBICA DEL YB2O3
    • REUNION IBERICA DE ADSORCION
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1981
    • [Lugar del congreso]: TOLEDO

[Tesis dirigidas]

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[Patentes y propiedad intelectual]

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