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[Curriculum Vitae]

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    • ALEGRE SALGUERO, MARIA DE LA PAZ
    • BECARIO
    • [Email]: maripaz.alegre@uca.es
    • [Departamento]: CIENCIA DE LOS MATERIALES E INGENIERÍA METALÚRGICA Y QUÍMICA INORGÁNICA
    • [Centro]: FACULTAD DE CIENCIAS
    • [Telefono]: 956016427

[Publicaciones en revistas]

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    • INFLUENCE OF THE SUBSTRATE TYPE ON CVD GROWN HOMOEPITAXIAL DIAMOND LAYER QUALITY BY CROSS SECTIONAL TEM AND CL ANALYSIS
    • DIAMOND AND RELATED MATERIALS
    • [Año]: 2011
    • [Pagina inicial]: 1
    • [Pagina final]: 22
    • CROSS SECTIONAL EVALUATION OF BORON DOPING AND DEFECTS DISTRIBUTION IN HOMOEPITAXIAL DIAMOND LAYERS
    • PHYSICA STATUS SOLIDI. C, CONFERENCES AND CRITICAL REVIEWS
    • [Año]: 2011
    • [Pagina inicial]: 1
    • [Pagina final]: 6
    • HYDROGEN PASSIVATION OF BORON ACCEPTORS IN AS-GROWN BORON-DOPED CVD DIAMOND EPILAYERS
    • DIAMOND AND RELATED MATERIALS
    • [Año]: 2010
    • [Volumen]: 19
    • [Pagina inicial]: 904
    • [Pagina final]: 907
    • LOCAL BORON DOPING QUANTIFICATION IN HOMOEPITAXIAL DIAMOND STRUCTURES
    • DIAMOND AND RELATED MATERIALS
    • [Año]: 2010
    • [Volumen]: 19
    • [Numero]: 7-9
    • [Pagina inicial]: 972
    • [Pagina final]: 975
    • TEM STUDY OF SUPERCONDUCTING POLYCRYSTALLINE DIAMOND
    • MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS
    • [Año]: 2010
    • [Volumen]: 1292
    • [Pagina inicial]: 133
    • [Pagina final]: 136
    • A MICROSTRUCTURAL STUDY OF SUPERCONDUCTIVE NANOCRYSTALLINE DIAMOND
    • PHYSICA STATUS SOLIDI. A, APPLIED RESEARCH
    • [Año]: 2009
    • [Volumen]: 206
    • [Numero]: 9
    • [Pagina inicial]: 1986
    • [Pagina final]: 1990

[Aportaciones a congresos]

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    • MORFOLOGÍA DE CAPAS DE DIAMANTE POLICRISTALINO DOPADO CON BORO CRECIDAS MEDIANTE CVD
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2010
    • [Lugar del congreso]: ZARAGOZA, ESPAÑA
    • INFLUENCE OF THE DEFECT MORPHOLOGY OF HPHT AND CVD SUBSTRATES ON THE EPILAYER QUALITY AND DOPING LEVEL
    • [Tipo de participacion]: CARTEL
    • [Anio de celebracion]: 2010
    • [Lugar del congreso]: BUDAPEST, HUNGRÍA
    • STUDIES OF SUPERCONDUCTIVE POLYCRYSTALLINE DIAMOND SAMPLE BY TEM
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2010
    • [Lugar del congreso]: ESTRASBURGO (FRANCIA)
    • STRUCTURAL AND OPTICAL PROPERTIES OF DIAMOND NANOTUBES
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2010
    • [Lugar del congreso]: HASSELT, BÉLGICA
    • BORON DOPING EVALUATION IN CVD DIAMOND STRUCTURE BY TEM AND CL
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2010
    • [Lugar del congreso]: HALLE, GERMANY
    • PREPARACIÓN FIB PARA LA CUANTIFICACIÓN DEL CONTENIDO DE BORO MEDIANTE TEM EN DIAMANTE HOMOEPITAXIAL CRECIDO MEDIANTE CVD
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2010
    • [Lugar del congreso]: ZARAGOZA, ESPAÑA
    • BORON DOPING QUANTIFICATION OF CVD GROWN DIAMOND EPILAYERS BY A TEM DIFFRACTION CONTRAST RELATED METHOD
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2009
    • [Lugar del congreso]: BOSTON (USA)
    • FIB DUAL-BEAM TEM SAMPLE PREPARATION OF HOMOEPITAXIAL DIAMOND LAYERS
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2009
    • [Lugar del congreso]: HASSELT (BÉLGICA)
    • A MICROSTRUCTURAL STUDY OF SUPERCONDUCTIVE NANOCRYSTALLINE DIAMOND
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2009
    • [Lugar del congreso]: HASSELT (BÉLGICA)
    • TEM STUDY OF HOMOEPITAXIAL DIAMOND LAYERS SCHEDULED HIGH POWER DEVICES: FIB METHOD OF SAMPLE PREPARATION
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2009
    • [Lugar del congreso]: MALAGA
    • LOCAL BORON DOPING QUANTIFICATION IN HOMOEPITAXIALLY CVD GROWN DIAMOND STRUCTURES
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2009
    • [Lugar del congreso]: ATENAS GRECIA
    • MORPHOLOGY OF SUPERCONDUCTING NANOCRYSTALLINE DIAMOND GROWN ON SIO2/SI SUBSTRATE BY TEM
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2008
    • [Lugar del congreso]: BARCELONA
    • MORPHOLOY OF SUPERCONDUCTING NANOCRYSTALLINE DIAMOND GROWN NO SI/SIO2 SUBSTRATE BY TEM
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2008
    • [Lugar del congreso]: BARCELONA
    • DISLOCATION CHARACTERIZATION IN HOMOEPITAXIAL <111> CVD GROWN DIAMOND LAYERS BY TEM
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2008
    • [Lugar del congreso]: BARCELONA