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[Curriculum Vitae]

  • Foto
    • BEN FERNANDEZ, TERESA
    • CIENCIAS POR LA UNIVERSIDAD DE CADIZ
    • INVESTIGADOR DOCTOR
    • [Email]: teresa.ben@uca.es
    • [Departamento]: CIENCIA DE LOS MATERIALES E INGENIERÍA METALÚRGICA Y QUÍMICA INORGÁNICA
    • [Centro]: FACULTAD DE CIENCIAS
    • [Telefono]: 956016452

[Participación Proyectos I+D]

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    • DIAMANTE SINTETICO: PROPIEDADES Y EVALUACION PARA SU USO EN APLICACIONES FUNCIONALES
    • [Programa]: PETRI
    • [Fecha de inicio]: 3/7/2007
    • CONTRIBUCIÓN AL DESARROLLO DE NANOESTRUCTURAS DE APLICACIÓN EN FOTÓNICA CUÁNTICA INTEGRADA.
    • [Programa]: PLAN NACIONAL I+D
    • [Fecha de inicio]: 1/1/2009
    • [Fecha de finalizacion]: 31/12/2011
    • MEJORA DE LA TENACIDAD DE MATERIALES AERONAUTICOS: INTRUDCCIÓN DE NANOPARTICULAS EN RESINAS EPOXI DE POLIMEROS REFORZADOS (CFRP)
    • [Programa]: JUNTA DE ANDALUCÍA. PROYECTOS DE EXCELENCIA
    • [Fecha de inicio]: 19/12/2007
    • [Fecha de finalizacion]: 20/12/2011
    • REGLAS DE DISEÑO PARA LA INGENIERÍA DE NANOMATERIALES SEMICONDUCTORES AUTO-ENSAMBLADOS. ENTIDAD FINANCIADORA: JUNTA DE ANDALUCIA
    • [Programa]: JUNTA DE ANDALUCÍA
    • [Fecha de inicio]: 1/1/2006
    • [Fecha de finalizacion]: 31/12/2008
    • SELF-ASSEMBLED SEMICONDUCTOR NANOSTRUCTURES FOR NEW DEVICES IN PHOTONICS AND ELECTRONICS (SANDIE)
    • [Programa]: PROGRAMA MARCO DE LA UE (VI)
    • [Fecha de inicio]: 1/4/2004
    • [Fecha de finalizacion]: 31/3/2008
    • NANOESTRUCTURAS DE SEMICONDUCTORES COMPUESTOS Y SU APLICACIÓN EN DISPOSITIVOS OPTOELECTRÓNICOS Y FOTÓNICOS
    • [Programa]: PLAN NACIONAL I+D
    • [Fecha de inicio]: 1/12/2002
    • [Fecha de finalizacion]: 30/11/2005

[Participación Contratos I+D]

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    • ANÁLISIS POR MICROSCOPÍA ELECTRÓNICA DE MATERIALES DE BANDA INTERMEDIA PARA CÉLULAS SOLARES DE ALTA EFICIENCIA
    • [Programa]: CONTRATO art. 11/45 LRU - 68/83 LOU
    • [Fecha de inicio]: 9/3/2010
    • [Fecha de finalizacion]: 8/3/2013
    • ESTUDIO DE LA ESTRUCTURA DE DEFECTOS Y DISTRIBUCIÓN DE PUNTOS CUÁNTICOS EN MATERIALES DE APLICACIÓN EN CÉLULAS SOLARES DE ALTA EFICIENCIA
    • [Programa]: CONTRATO art. 11/45 LRU - 68/83 LOU
    • [Fecha de inicio]: 9/7/2008
    • [Fecha de finalizacion]: 8/7/2008

[Capitulos de libros publicados]

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    • ANÁLISIS ESTRUCTURAL DE PUNTOS CUÁNTICOS DE INAS/GAAS (001) RECUBIERTOS POR CAPAS DE GASB/GAAS
    • LIBRO DE RESÚMENES DEL X CONGRESO NACIONAL DE MATERIALES
    • [Pagina inicial]: 669
    • [Pagina final]: 672
    • [ISBN]: 978-84-608-07
    • [Editorial]: MONDRAGON UNIBERTSITATEKO ZERBITZU
    • [Año]: 2008
    • ANÁLISIS DEL ENCAPSULAMIENTO POR NANORREACCIÓN Y RE-ENSAMBLAMIENTO DE PUNTOS CUÁNTICOS DE PBS EN APOFERRITINA PARA EMISIÓN INFRARROJA
    • LIBRO DE RESÚMENES DEL X CONGRESO NACIONAL DE MATERIALES
    • [Pagina inicial]: 633
    • [Pagina final]: 636
    • [ISBN]: 978-84-608-07
    • [Editorial]: MONDRAGON UNIBERTSITATEKO ZERBITZU
    • [Año]: 2008
    • CHARACTERIZATION AND MODELING OF SEMICONDUCTOR QUANTUM NANOSTRUCTURES GROWN BY DROPLET EPITAXY
    • EMC 2008
    • [Pagina inicial]: 91
    • [Pagina final]: 92
    • [ISBN]: 978-3-540-852
    • [Editorial]: SPRINGER BERLIN - HEIDELBERG
    • [Año]: 2008
    • TEM CHARACTERIZATION OF INAS/GAAS QUANTUM DOTS CAPPED BY A GASB/GAAS LAYER
    • EMC 2008
    • [Pagina inicial]: 45
    • [Pagina final]: 46
    • [ISBN]: 978-3-540-852
    • [Editorial]: SPRINGER BERLIN - HEIDELBERG
    • [Año]: 2008
    • STRAIN MAPPING FROM HRTEM IMAGES
    • MICROSCOPY OF SEMICONDUCTING MATERIALS
    • [Pagina inicial]: 191
    • [Pagina final]: 194
    • [Editorial]: SPRINGER BERLIN - HEIDELBERG
    • [Año]: 2006
    • QUANTIFICATION OF THE INFLUENCE OF TEM OPERATION PARAMETERS ON THE ERROR OF HREM IMAGE MATCHING
    • MICROSCOPY OF SEMICONDUCTING MATERIALS
    • [Pagina inicial]: 195
    • [Pagina final]: 198
    • [Editorial]: SPRINGER BERLIN - HEIDELBERG
    • [Año]: 2006
    • QUANTIFICATION OF THE INFLUENCE OF TEM OPERATION PARAMETERS ON THE ERROR OF HREM IMAGE MATCHING
    • MICROSCOPY OF SEMICONDUCTING MATERIALS 2005
    • [Pagina inicial]: 195
    • [Pagina final]: 198
    • [Editorial]: (EDS.) SPRINGER-VERLAG
    • [Año]: 2005
    • STRAIN MAPPING FROM HRTEM IMAGES
    • MICROSCOPY OF SEMICONDUCTING MATERIALS 2005
    • [Pagina inicial]: 191
    • [Pagina final]: 194
    • [Editorial]: (EDS.) SPRINGER-VERLAG
    • [Año]: 2005

[Publicaciones en revistas]

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    • LATERAL ABSORPTION MEASUREMENTS OF INAS/GAAS QUANTUM DOTS STACKS: POTENTIAL AS INTERMEDIATE BAND MATERIAL FOR HIGH EFFICIENCY SOLAR CELLS
    • ENERGY PROCEDIA
    • [Año]: 2010
    • [Volumen]: 2
    • [Pagina inicial]: 27
    • [Pagina final]: 34
    • PRODUCTION OF NANOMETER-SIZE GAAS NANOCRISTALS BY NANOSECOND LASER ABLATION IN LIQUID
    • JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY
    • [Año]: 2010
    • [Pagina inicial]: 0
    • [Pagina final]: 0
    • CARACTERIZACIÓN DE NANOHILOS DE ZNO CRECIDOS POR OXIDACIÓN DE UNA LÁMINA DE ZN METÁLICO SOBRE DIFERENTES SUSTRATOS: ESPECTROSCOPIA RAMAN Y LUMINISCENCIA
    • LIBRO DE PROCEEDINGS XI CONGRESO NACIONAL DE MATERIALES
    • [Año]: 2010
    • [Pagina inicial]: 440
    • [Pagina final]: 443
    • ANÁLISIS DE LA FORMACIÓN DE NANOHILOS DE GAN/ALN SIN CATALIZADOR MEDIANTE HRTEM, EDX Y EE
    • LIBRO DE PROCEEDINGS XI CONGRESO NACIONAL DE MATERIALES
    • [Año]: 2010
    • [Pagina inicial]: 436
    • [Pagina final]: 439
    • CRECIMIENTO DE NANOHILOS DE ZNO SOBRE DIFERENTES SUSTRATOS CRISTALINOS MEDIANTE OXIDACIÓN DE LÁMINAS DE ZN EN CONDICIONES AMBIENTALES
    • LIBRO DE PROCEEDINGS XI CONGRESO NACIONAL DE MATERIALES
    • [Año]: 2010
    • [Pagina inicial]: 420
    • [Pagina final]: 423
    • INX(GAYAL1-Y)1-XAS QUATERNARY ALLOYS FOR QUANTUM DOT INTERMEDIATE
    • ENERGY PROCEDIA
    • [Año]: 2010
    • [Volumen]: 2
    • [Pagina inicial]: 133
    • [Pagina final]: 141
    • SURFACE NANOSTRUCTURING OF TIO2 THIN FILMS BY HIGH ENERGY ION IRRADIATION
    • PHYSICAL REVIEW B
    • [Año]: 2010
    • [Volumen]: 82
    • [Pagina inicial]: 115420-1
    • [Pagina final]: 115420-8
    • REDUCING CARRIER ESCAPE IN THE INAS/GAAS QUANTUM DOT INTERMEDIATE BAND SOLAR CELL
    • JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
    • [Año]: 2010
    • [Volumen]: 108
    • [Numero]: 6
    • [Pagina inicial]: 064513-1
    • [Pagina final]: 064513-7
    • IDENTIFICATION OF III-N NANOWIRE GROWTH KINETICS VIA A MARKER TECHNIQUE
    • NANOTECHNOLOGY
    • [Año]: 2010
    • [Volumen]: 21
    • [Pagina inicial]: 295605(1)
    • [Pagina final]: 295605(4)
    • BLOCKING OF INDIUM INCORPORATION BY ANTIMONY IN III-V-SB NANOSTRUCTURES
    • NANOTECHNOLOGY
    • [Año]: 2010
    • [Pagina inicial]: 145606-1
    • [Pagina final]: 145606-8
    • FORMATION OF SPATIALLY ADDRESSED GA(AS)SB QUANTUM RINGS ON GAAS(001) SUBSTRATES BY DROPLET EPITAXY
    • CRYSTAL GROWTH AND DESIGN
    • [Año]: 2009
    • [Volumen]: 9
    • [Numero]: 2
    • [Pagina inicial]: 1216
    • [Pagina final]: 1218
    • HIGH RESOLUTION ELECTRON MICROSCOPY OF GAAS CAPPED GASB NANOSTRUCTURES
    • APPLIED PHYSICS LETTERS
    • [Año]: 2009
    • [Volumen]: 94
    • [Numero]: 4
    • [Pagina inicial]: 1
    • [Pagina final]: 3
    • EXPERIMENTAL AND SIMULATED STRAIN FIELD MAPS IN STACKED QUANTUM WIRES
    • MICROSCOPY AND MICROANALYSIS
    • [Año]: 2008
    • [Volumen]: 14
    • [Numero]: SUPPL.
    • [Pagina inicial]: 344
    • [Pagina final]: 345
    • A METHOD TO DETERMINE THE STRAIN AND THE NUCLEATION SITES OF STACKED NANO-OBJECTS
    • JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY
    • [Año]: 2008
    • [Volumen]: 8
    • [Numero]: 7
    • [Pagina inicial]: 3422
    • [Pagina final]: 3426
    • AQUEOUS NEAR-INFRARED FLUORESCENT COMPOSITES BASED ON APOFERRITIN- ENCAPSULATED PBS QUANTUM DOTS
    • ADVANCED MATERIALS
    • [Año]: 2008
    • [Volumen]: 20
    • [Numero]: 19
    • [Pagina inicial]: 3592
    • [Pagina final]: 3596
    • THE PEAK PAIRS ALGORITHM FOR STRAIN MAPPING FROM HRTEM IMAGES
    • ULTRAMICROSCOPY
    • [Año]: 2007
    • [Volumen]: 107
    • [Numero]: 12
    • [Pagina inicial]: 1186
    • [Pagina final]: 1193
    • EXCITONS IN COUPLED INAS/INP SELF-ASSEMBLED QUANTUM WIRES
    • PHYSICAL REVIEW B
    • [Año]: 2007
    • [Volumen]: 75
    • [Numero]: 12
    • [Pagina inicial]: 125120-1
    • [Pagina final]: 125120-7
    • DIRECT IMAGING OF QUANTUM WIRES NUCLEATED AT DIATOMIC STEPS
    • APPLIED PHYSICS LETTERS
    • [Año]: 2007
    • [Volumen]: 91
    • [Numero]: 14
    • [Pagina inicial]: 143112-1
    • [Pagina final]: 143112-3
    • ERROR QUANTIFICATION IN STRAIN MAPPING METHODS
    • MICROSCOPY AND MICROANALYSIS
    • [Año]: 2007
    • [Volumen]: 13
    • [Numero]: 5
    • [Pagina inicial]: 320
    • [Pagina final]: 328
    • DETERMINATION OF THE STRAIN FIELD IN NANO-OBJECTS FROM ABERRATION-CORRECTED Z-CONTRAST IMAGES
    • MICROSCOPY AND MICROANALYSIS
    • [Año]: 2007
    • [Numero]: 13
    • [Pagina inicial]: 746
    • [Pagina final]: 747
    • INCORPORATION OF SB IN INAS/GAAS QUANTUM DOTS
    • APPLIED PHYSICS LETTERS
    • [Año]: 2007
    • [Volumen]: 91
    • [Numero]: 26
    • [Pagina inicial]: 263105-1
    • [Pagina final]: 263105-3
    • DETERMINATION OF THE STRAIN GENERATED IN INAS/INP QUANTUM WIRES: PREDICTION OF NUCLEATION SITES
    • NANOTECHNOLOGY
    • [Año]: 2006
    • [Volumen]: 17
    • [Numero]: 22
    • [Pagina inicial]: 5652
    • [Pagina final]: 5658
    • DIRECT EXPERIMENTAL EVIDENCE OF METASTABLE EPITAXIAL ZINC-BLENDE MGS
    • APPLIED PHYSICS LETTERS
    • [Año]: 2006
    • [Volumen]: 89
    • [Numero]: 12
    • [Pagina inicial]: 121907-1
    • [Pagina final]: 121907-3
    • VERTICAL ORDER IN STACKED LAYERS OF SELF-ASSEMBLED IN(GA)AS QUANTUM RINGS ON GAAS (001)
    • APPLIED PHYSICS LETTERS
    • [Año]: 2005
    • [Volumen]: 86
    • [Pagina inicial]: 071918-1
    • [Pagina final]: 071918-3
    • CHEMICAL COMPOSITION AND STRAIN DISTRIBUTION OF INAS/GAAS(001) STACKED QUANTUM RINGS
    • INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES
    • [Año]: 2005
    • [Pagina inicial]: 271
    • [Pagina final]: 274
    • QUANTIFICATION OF THE INFLUENCE OF TEM OPERATION PARAMETERS ON THE ERROR OF HREM IMAGE MATCHING
    • SPRINGER PROCEEDINGS IN PHYSIC
    • [Año]: 2005
    • [Pagina inicial]: 195
    • [Pagina final]: 198
    • STRAIN MAPPING FROM HRTEM IMAGES
    • SPRINGER PROCEEDINGS IN PHYSIC
    • [Año]: 2005
    • [Volumen]: 107
    • [Pagina inicial]: 191
    • [Pagina final]: 194
    • QUANTITATIVE MEASUREMENTS OF THE INHOMOGENEOUS STRAIN FIELD OF STACKED SELF-ASSEMBLED INAS/INP(001) QUANTUM WIRES BY THE PEAK FINDING METHOD
    • INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES
    • [Año]: 2005
    • [Pagina inicial]: 299
    • [Pagina final]: 302
    • STACKING OF INAS/INP(001) QUANTUM WIRES STUDIED BY IN SITU STRESS MEASUREMENTS: ROLE OF INHOMOGENEOUS STRESS FIELDS
    • APPLIED PHYSICS LETTERS
    • [Año]: 2004
    • [Volumen]: 84
    • [Numero]: 23
    • [Pagina inicial]: 4723
    • [Pagina final]: 4725
    • EMISSION WAVELENGTH ENGINEERING OF INAS/INP(001) QUANTUM WIRES
    • EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL B
    • [Año]: 2004
    • [Volumen]: 40
    • [Numero]: 4
    • [Pagina inicial]: 433
    • [Pagina final]: 437
    • STRUCTURAL STUDY OF MICRO AND NANOTUBES SYNTHESIZED BY RAPID THERMAL CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
    • MICROCHIMICA ACTA
    • [Año]: 2004
    • [Volumen]: 145
    • [Numero]: 1-4
    • [Pagina inicial]: 129
    • [Pagina final]: 132
    • CHARACTERIZATION OF STACKED QUANTUM RINGS BY TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY
    • VOL. II MATERIALS SCIENCE
    • [Año]: 2004
    • [Volumen]: II
    • [Pagina inicial]: 197
    • [Pagina final]: 198
    • VERTICAL COUPLING EFFECTS ON STACKED LAYERS OF SELF-ASSEMBLED INGAS QUANTUM RINGS
    • 27TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON THE PHYSICS OF SEMICONDUCTORS (ICPS27)
    • [Año]: 2004
    • [Pagina inicial]: 0
    • [Pagina final]: 0
    • SIZE AND CRITICAL THICKNESS EVOLUTION DURING GROWTH OF STACKED LAYERS OF INAS/INP(001) QUANTUM WIRES STUDIED BY IN SITU STRESS MEASUREMENTS
    • MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS
    • [Año]: 2004
    • [Volumen]: 794
    • [Pagina inicial]: T5.3.1
    • [Pagina final]: T5.3.6
    • SIZE CONTROL OF INAS/INP(001) QUANTUM WIRES BY TAILORING P/AS EXCHANGE
    • APPLIED PHYSICS LETTERS
    • [Año]: 2004
    • [Volumen]: 85
    • [Numero]: 8
    • [Pagina inicial]: 1424
    • [Pagina final]: 1426

[Aportaciones a congresos]

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    • EFECTO DE LA INCORPORACIÓN DE SB SOBRE NANOESTRUCTURAS CUÁNTICAS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2010
    • [Lugar del congreso]: ZARAGOZA
    • STUDY OF THE ROLE OF CD/TE INCORPORATION IN ZNO NANOWIRES GROWN ON CDTE SUBSTRATES BY OXIDATION OF ZN METAL FILMS AT LOW TEMPERATURES
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2010
    • [Lugar del congreso]: RIO DE JANIERO, BRASIL
    • INGAASSB QUANTUM DOTS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2010
    • [Lugar del congreso]: SAN FRANCISCO, EEUU
    • CARACTERIZACIÓN DE NANOHILOS DE ZNO CRECIDOS POR OXIDACIÓN DE UNA LÁMINA DE ZN METÁLICO SOBRE DIFERENTES SUSTRATOS: ESPECTROSCOPIA RAMAN Y LUMINISCENCIA
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2010
    • [Lugar del congreso]: ZARAGOZA
    • CRECIMIENTO DE NANOHILOS DE ZNO SOBRE DIFERENTES SUSTRATOS CRISTALINOS MEDIANTE OXIDACION DE LAMINAS DE ZN EN CONDICIONES AMBIENTALES
    • [Tipo de participacion]: CONFERENCIA
    • [Anio de celebracion]: 2010
    • [Lugar del congreso]: ZARAGOZA
    • ANALISIS DE LA ESTRUCTURA Y COMPOSICIÓN DE NANOHILOS DE ZNO CRECIDOS POR OXIDACIÓN TÉRMICA
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2010
    • [Lugar del congreso]: ZARAGOZA
    • TEM STUDY OF THE MECHANISM FOR THE GROWTH OF UNIFORM ZNO NANOROD ARRAYS USING A SUBSTRATE INDEPENDENT THREE-STEP PROCESS
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2010
    • [Lugar del congreso]: RIO DE JANIERO, BRASIL
    • ANÁLISIS DE LA FORMACIÓN DE NANOHILOS DE GAN/ALN SIN CATALIZADOR MEDIANTE HRTEM, EDX Y EELS
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2010
    • [Lugar del congreso]: ZARAGOZA
    • TEM CHARACTERIZATION OF SB IRRADIATED INAS QUANTUM DOTS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2010
    • [Lugar del congreso]: BRAGA (PORTUGAL)
    • NANOESTRUCTURACIÓN SUPERFICIAL DE PELÍCULAS DELGADAS DE ANATASA MEDIANTE IRRADIACIÓN CON IONES DE ALTA ENERGÍA
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2010
    • [Lugar del congreso]: ZARAGOZA, ESPAÑA
    • EFFECTS OF INTRODUCING A GAAS INTERMEDIATE LAYER IN GASB-CAPPED INAS QUANTUM DOTS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2010
    • [Lugar del congreso]: BRAGA (PORTUGAL)
    • COMPOSITIONAL DISTRIBUTION ON INAS-GASB QUANTUM DOTS BY LOW LOSS ELECTRON ENERGY LOSS SPECTROSCOPY
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2010
    • [Lugar del congreso]: ESTRASBURGO (FRANCIA)
    • COMPOSITIONAL DISTRIBUTION ON INGA-GASB QUANTUM DOTS
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2009
    • [Lugar del congreso]: VIENA (AUSTRIA)
    • COMPOSITIONAL DISTRIBUTION IN INAS-GAAS-GASB LAYERS FROM THE ANALYSIS DARK FIELD TEM IMAGES
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2009
    • [Lugar del congreso]: SEGOVIA
    • EFFECTS OF SB EPOSURE BEFORE, DURING, AND AFTER INAS QUANTUM DOT NUCLEATION
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2009
    • [Lugar del congreso]: ANAN, TOKUSHIMA (JAPÓN)
    • TEM STUDY OF HOMOEPITAXIAL DIAMOND LAYERS SCHEDULED HIGH POWER DEVICES: FIB METHOD OF SAMPLE PREPARATION
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2009
    • [Lugar del congreso]: MALAGA
    • FIB DUAL-BEAM TEM SAMPLE PREPARATION OF HOMOEPITAXIAL DIAMOND LAYERS
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2009
    • [Lugar del congreso]: HASSELT (BÉLGICA)
    • ANÁLISIS ESTRUCTURAL DE PUNTOS CUÁNTICOS DE INAS/GAAS (001) RECUBIERTOS POR CAPAS DE GASB/GAAS
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2008
    • [Lugar del congreso]: SAN SEBASTIÁN
    • CONTRIBUCIÓN DEL MÉTODO DE LOS ELEMENTOS FINITOS A LA MEJORA DEL DISEÑO Y CARACTERIZACIÓN DE NANOESTRUCTURAS 3D
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2008
    • [Lugar del congreso]: SAN SEBASTIÁN
    • CHARACTERIZATION AND MODELING OF SEMICONDUCTOR QUANTUM NANOSTRUCTURES GROWN BY DROPLET EPITAXY
    • [Tipo de participacion]: PONENCIA
    • [Anio de celebracion]: 2008
    • [Lugar del congreso]: AQUISGRÁN (ALEMANIA)
    • TEM CHARACTERIZATION OF INAS/GAAS QUANTUM DOTS CAPPED BY GASB/GAAS LAYER
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2008
    • [Lugar del congreso]: AQUISGRÁN (ALEMANIA)
    • BICOMPATIBLE NEAR INFRARED LABELS BASED ON APOFERRITIN-ENCAPSULATED PBS QUANTUM DOTS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2008
    • [Lugar del congreso]: ACIREALE, SICILIA, ITALIA
    • EXPERIMENTAL AND SIMULATED STRAIN FIELD MAPS IN STACKED QUANTUM WIRES
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2008
    • [Lugar del congreso]: ALBUQUERQUE, NEW MEXICO, USA
    • THE EFFECT OF THE BARRIER MATERIAL ON THE FORMATION OF CDSE QUANTUM DOTS: CHARACTERIZATION OF CDSE/MGS HETEROSTRUCTURES BY PL AND TEM
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2008
    • [Lugar del congreso]: VANCOUVER (CANADA)
    • DISLOCATION CHARACTERIZATION IN HOMOEPITAXIAL <111> CVD GROWN DIAMOND LAYERS BY TEM
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2008
    • [Lugar del congreso]: BARCELONA
    • ENHACED LUMINISCENCE OF INAS QUANTUM DOTS AFTER SB EXPOSURE
    • [Tipo de participacion]: PONENCIA
    • [Anio de celebracion]: 2008
    • [Lugar del congreso]: NOTTHINGHAM, UK
    • NOVEL HYBRID NANOCOMPOSITES BASED ON COLLOIDAL PBS QUANTUM DOTS
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2008
    • [Lugar del congreso]: LONDRES, REINO UNIDO
    • ENHANCED LUMINESCENCE OF INAS QUANTUM DOTS AFTER SB EXPOSURE
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2008
    • [Lugar del congreso]: NOTTINGHAM, REINO UNIDO
    • ANALISIS DEL ENCPASULAMIENTO POR NANORREACCIÓN Y RE-ENSAMBLAJE DE PUNTOS CUANTICOS DE PBS EN APOFERRITINA PARA EMISIÓN INFRARROJA
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2008
    • [Lugar del congreso]: SAN SEBASTIÁN
    • DETERMINATION OF THE STRAIN FIELD IN NANO-OBJECTS FROM ABERRATION-CORRECTED Z-CONTRAST IMAGES
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2007
    • [Lugar del congreso]: FLORIDA, EEUU
    • HIGH RESOLUTION Z-CONTRAST CHARACTERIZATION OF INAS/INP QUANTUM WIRES ON THEIR INITIAL GROWTH STAGES
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2007
    • [Lugar del congreso]: CHURCHILL COLLEGE, CAMBRIDGE, REINO UNIDO
    • NATURE AND ORIGIN OF THICKNESS MODULATION IN (INP)M/IN0.53GA0.47AS)N SHORT PERIOD SUPERLATTICES WAVEGUIDES FOR INAS QUANTUM WIRE LASERS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2007
    • [Lugar del congreso]: CHURCHILL COLLEGE, CAMBRIDGE, REINO UNIDO
    • CONTROL OF THE INTERMIXING PROCESS OF GASB WITH INAS QUANTUM DOTS BY INSERTING A GAAS SPACER LAYER
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2007
    • [Lugar del congreso]: CHURCHILL COLLEGE, CAMBRIDGE, REINO UNIDO
    • INITIAL STAGES OF THE FORMATION OF INAS/INP(001) QUANTUM WIRES STUDIED BY HIGH-RESOLUTION Z CONTRAST IMAGING
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2007
    • [Lugar del congreso]: SAN FRANCISCO, EEUU
    • STRUCTURAL CHARACTERIZATION BY TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY OF GASB/GAAS/INAS QUANTUM DOTS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2007
    • [Lugar del congreso]: AGH UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY, KRAKOW, POLAND
    • STRUCTURAL EFFECTS OF DEPOSITING AN INTERMEDIATE LAYER OF GAAS OVER INAS QUANTUM DOTS COVERED BY GASB
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2007
    • [Lugar del congreso]: INSA -RENNES -FRANCE
    • NATURALEZA Y ORIGEN DE LA MODULACIÓN DE ESPESOR EN GUÍAS DE ONDAS PARA HILOS CUÁNTICOS DE INAS FORMADAS A PARTIR DE SUPERREDES DE PERÍODO CORTO DE (INP)M/(IN0.53GA0.47AS)N
    • [Tipo de participacion]: PONENCIA
    • [Anio de celebracion]: 2007
    • [Lugar del congreso]: BILBAO
    • INFLUENCE OF THE GROWTH TEMPERATURE OF THE INP CAPPING LAYER ON THE STACKING OF INAS QUANTUM WIRE LAYERS: A THEORETICAL AND EXPERIMENTAL STUDY OF THE STRAIN FIELD
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2007
    • [Lugar del congreso]: GLASGOW, REINO UNIDO
    • FINITE ELEMENT SIMULATION OF THE ELASTIC ENERGY OF SEMICONDUCTOR QUANTUM WIRES IN THEIR INITIAL GROWTH STAGE
    • [Tipo de participacion]: PONENCIA
    • [Anio de celebracion]: 2007
    • [Lugar del congreso]: CARRÈ DES SCIENCES - PARIS - FRANCE
    • CONTROLLING THE MORPHOLOGY OF STACKED INAS/INP(001) QUANTUM WIRES BY SCANNING- TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY
    • FALL MEETING MATERIALS RESEARCH SOCIETY
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2006
    • [Lugar del congreso]: BOSTON, EEUU
    • MORPHOLOGY, SPATIAL DISTRIBUTION AND STRAIN FIELD IN INAS/GAAS(001) STACKED QUANTUM RINGS STRUCTURES
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2006
    • [Lugar del congreso]: SAPPORO, JAPAN
    • INFLUENCE OF THE GROWTH TEMPERATURE ON THE STACKING OF INAS/INP (001) QUANTUM WIRES GROWN BY MOLECULAR BEAM EPITAXY
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2006
    • [Lugar del congreso]: SAPPORO, JAPAN
    • ERROR QUANTIFICATION OF STRAIN MAPPING TECHNIQUES
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2006
    • [Lugar del congreso]: CADIZ (SPAIN)
    • QUANTITATIVE MEASUREMENTS OF THE INHOMOGENEOUS STRAIN FIELD OF STACKED SELF-ASSEMBLED INAS/INP(001) QUANTUM WIRES BY PEAK FINDING METHOD
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2005
    • [Lugar del congreso]: OXFORD, REINO UNIDO
    • CHEMICAL COMPOSITION QUALITATIVE DISTRIBUTION OF INAS/GAAS(001) SATCKED QUANTUM RINGS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2005
    • [Lugar del congreso]: OXFORD, REINO UNIDO
    • INFLUENCE OF THE SPACER LAYER ON INAS/GAAS(001) STACKED QUANTUM RINGS STRUCTURES
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2005
    • [Lugar del congreso]: EINDHOVEN, HOLANDA
    • NANO-HETERO-ESTRUCTURAS BASADAS EN POLITIPOS DE SIC CRECIDAS SOBRE SI MEDIANTE CVD
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2005
    • [Lugar del congreso]: GRANADA, ESPAÑA
    • EFECTO DE LA CAPA ESPACIADORA EN ESTRUCTURAS APILADAS DE ANILLOS CUÁNTICOS DE INAS/GAAS (001)
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2005
    • [Lugar del congreso]: GRANADA, ESPAÑA
    • STACKED SELF-ASSEMBLED SEMICONDUCTOR NANOSTRUCTURES
    • [Tipo de participacion]: CONFERENCIA
    • [Anio de celebracion]: 2004
    • [Lugar del congreso]: CAEN, FRANCIA
    • CHARACTERIZATION OF STACKED QUANTUM RINGS BY TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2004
    • [Lugar del congreso]: ANTWERP,BELGICA
    • VERTICAL COUPLING EFFECTS ON STACKED LAYERS OF SELF-ASSEMBLED INGAAS QUANTUM RINGS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2004
    • [Lugar del congreso]: FLAGSTAFF, ESTADOS UNIDOS
    • CHEMICAL COMPOSITION DETERMINATION OF INAS/INP(001) QUANTUM WIRES AND INAS/GAAS(001) QUANTUM RINGS STACKED STRUCTURES ON HRTEM IMAGES
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2004
    • [Lugar del congreso]: VARSOVIA, POLONIA
    • STRUCTURAL STUDY OF MICRO AND NANOTUBES SYTHESIZED BY RAPID THERMAL CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
    • EMAS2003
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2003
    • [Lugar del congreso]: CHICLANA (ESPAÑA)
    • ESTUDIO DEL APILAMIENTO DE HILOS CUÁNTICOS DE INAS-INP (001) MEDIANTE MICROSCOPÍA ELECTRÓNICA DE TRANSMISIÓN
    • XXI BIENAL DE LA SOCIEDAD DE MICROSCOPIA DE ESPAÑA
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2003
    • [Lugar del congreso]: SAN FERNANDO (CÁDIZ)
    • STUDY OF SELF-ASSEMBLED INAS-INP (001) QUANTUM WIRES STACKS TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY
    • EMAS2003
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2003
    • [Lugar del congreso]: CHICLANA (ESPAÑA)
    • CRYSTALINE INCLUSIONS AND DISLOCATIONS DETECTION IN C+N+B CON-IMPLANTED IN SILICON (111)
    • EMAS2003
    • [Tipo de participacion]: CONFERENCIA
    • [Anio de celebracion]: 2003
    • [Lugar del congreso]: CHICLANA (ESPAÑA)