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[Curriculum Vitae]

  • Foto
    • MORALES SÁNCHEZ, FRANCISCO MIGUEL
    • DOCTOR POR LA UNIVERSIDAD DE CÁDIZ EN EL PROGRAMA DE INGENIERÍA DE LOS PROCESOS INDUSTRIALES
    • INVESTIGADOR DOCTOR
    • [Email]: fmiguel.morales@uca.es
    • [Departamento]: CIENCIA DE LOS MATERIALES E INGENIERÍA METALÚRGICA Y QUÍMICA INORGÁNICA
    • [Centro]: FACULTAD DE CIENCIAS
    • [Telefono]: 95601-6342/6335
    • [Fax]: 956016288

[Proyectos I+D dirigidos]

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    • INGENIERÍA DE NUEVOS NITRUROS ALEADOS MONOFÁSICOS PARA OPTOELECTRÓNICA, FOTÓNICA Y ELECTRÓNICA DE ALTA FRECUENCIA
    • [Programa]: JUNTA DE ANDALUCÍA. PROYECTOS DE EXCELENCIA
    • [Fecha de inicio]: 3/2/2010
    • [Fecha de finalizacion]: 2/2/2014
    • COST-MP0805: NOVEL GAIN MATERIALS AND DEVICES BASED ON III-V-N COMPOUNDS FP7: COST(EUROP.COOPER.SCI.&TECH.RES.)- MPNS(MATER., PHYS. AND NANOS.):ESF (EUROP.SCI.FOUND.)
    • [Programa]: PROGRAMA MARCO DE LA UE (VII)
    • [Fecha de inicio]: 24/11/2008
    • [Fecha de finalizacion]: 23/11/2012
    • INGENIERÍA DE MATERIALES SEMICONDUCTORES BASADOS EN (ALGA)INN PARA DISPOSITIVOS DE ALTA MOVILIDAD ELECTRÓNICA Y OPERATIVIDAD HASTA FRECUENCIA DE INFRARROJO
    • [Programa]: PROGRAMA RAMÓN Y CAJAL
    • [Fecha de inicio]: 1/1/2007
    • [Fecha de finalizacion]: 31/12/2011
    • INCENTIVO POR PUESTA EN MARCHA DE PROYECTOS COST-MPNS
    • [Programa]: PLAN ANDALUZ DE INVESTIGACIÓN
    • [Fecha de inicio]: 26/11/2008
    • [Fecha de finalizacion]: 30/4/2009

[Participación Proyectos I+D]

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    • INGENIERÍA DE NUEVOS NITRUROS ALEADOS MONOFÁSICOS PARA OPTOELECTRÓNICA, FOTÓNICA Y ELECTRÓNICA DE ALTA FRECUENCIA
    • [Programa]: JUNTA DE ANDALUCÍA. PROYECTOS DE EXCELENCIA
    • [Fecha de inicio]: 3/2/2010
    • [Fecha de finalizacion]: 2/2/2014
    • APLICACIÓN DE LA MICROSCOPIA ELECTRÓNICA EN EL DESARROLLO DE NANOESTRUCTURAS SEMICONDUCTORAS DE ALTA CALIDAD: PUNTOS Y NANOHILOS CUÁNTICOS
    • [Programa]: PLAN NACIONAL I+D
    • [Fecha de inicio]: 1/1/2011
    • [Fecha de finalizacion]: 31/12/2013
    • PROGRAMME COST MP0805 ENTITLED NOVEL GAIN MATERIALS AND DEVICES BASED ON III-V-N COMPOUNDS
    • [Programa]: PROGRAMA MARCO DE LA UE (VII)
    • [Fecha de inicio]: 11/1/2009
    • [Fecha de finalizacion]: 23/11/2012
    • COST-MP0805: NOVEL GAIN MATERIALS AND DEVICES BASED ON III-V-N COMPOUNDS FP7: COST(EUROP.COOPER.SCI.&TECH.RES.)- MPNS(MATER., PHYS. AND NANOS.):ESF (EUROP.SCI.FOUND.)
    • [Programa]: PROGRAMA MARCO DE LA UE (VII)
    • [Fecha de inicio]: 24/11/2008
    • [Fecha de finalizacion]: 23/11/2012
    • CONTRIBUCIÓN AL DESARROLLO DE NANOESTRUCTURAS SEMICONDUCTORAS DE INTERÉS PARA EL SECTOR.
    • [Programa]: JUNTA DE ANDALUCÍA. PROYECTOS DE EXCELENCIA
    • [Fecha de inicio]: 14/1/2009
    • [Fecha de finalizacion]: 13/1/2012
    • INGENIERÍA DE MATERIALES SEMICONDUCTORES BASADOS EN (ALGA)INN PARA DISPOSITIVOS DE ALTA MOVILIDAD ELECTRÓNICA Y OPERATIVIDAD HASTA FRECUENCIA DE INFRARROJO
    • [Programa]: PROGRAMA RAMÓN Y CAJAL
    • [Fecha de inicio]: 1/1/2007
    • [Fecha de finalizacion]: 31/12/2011
    • DESARROLLO DE NANO ESTRUCTURAS DE IN(GA)N DE ALTA CALIDAD PARA APLICACIONES EN DISPOSITIVOS OPTO Y MCRO ELECTRÓNICOS.
    • [Programa]: PLAN NACIONAL I+D
    • [Fecha de inicio]: 1/10/2007
    • [Fecha de finalizacion]: 3/8/2010
    • DESARROLLO DE NANO ESTRUCTURAS DE IN(GA)N DE ALTA CALIDAD PARA APLICACIONES EN DISPOSITIVOS OPTO Y MCRO ELECTRÓNICOS.
    • [Programa]: PLAN NACIONAL I+D
    • [Fecha de inicio]: 1/10/2007
    • [Fecha de finalizacion]: 3/8/2010
    • INCENTIVO POR PUESTA EN MARCHA DE PROYECTOS COST-MPNS
    • [Programa]: PLAN ANDALUZ DE INVESTIGACIÓN
    • [Fecha de inicio]: 26/11/2008
    • [Fecha de finalizacion]: 30/4/2009
    • REGLAS DE DISEÑO PARA LA INGENIERÍA DE NANOMATERIALES SEMICONDUCTORES AUTO-ENSAMBLADOS. ENTIDAD FINANCIADORA: JUNTA DE ANDALUCIA
    • [Programa]: JUNTA DE ANDALUCÍA
    • [Fecha de inicio]: 1/1/2006
    • [Fecha de finalizacion]: 31/12/2008
    • SELF-ASSEMBLED SEMICONDUCTOR NANOSTRUCTURES FOR NEW DEVICES IN PHOTONICS AND ELECTRONICS (SANDIE)
    • [Programa]: PROGRAMA MARCO DE LA UE (VI)
    • [Fecha de inicio]: 1/4/2004
    • [Fecha de finalizacion]: 31/3/2008
    • EVALUACIÓN DE LAS CONDICIONES DE CRECIMIENTO SOBRE LA CALIDAD ESTRUCTURAL DE CAPAS DE MGS
    • [Programa]: AGENCIA ESPAÑOLA DE COOPERACIÓN INTERNACIONAL (AECI)
    • [Fecha de inicio]: 1/1/2007
    • [Fecha de finalizacion]: 31/12/2007
    • EVALUACIÓN DEL IMPACTO DEL SUSTRATO SOBRE LA CALIDAD DE CAPAS DE INN PARA DISPOSITIVOS OPTOELECTRÓNICOS
    • [Programa]: PLAN NACIONAL I+D
    • [Fecha de inicio]: 13/12/2004
    • [Fecha de finalizacion]: 13/12/2007
    • NEW GENERATION OF GAN-BASED SENSOR ARRAYS FOR NANO- AND PICO-FLUIDIC SYSTEMS FOR FAST AND RELIABLE BIOMEDICAL TESTING (GANANO)
    • [Programa]: PROGRAMA MARCO DE LA UE (VI)
    • [Fecha de inicio]: 1/1/2004
    • [Fecha de finalizacion]: 31/12/2006
    • GROWTH 2001 PROJECT, FLASH LAMP ASSISTED SIC DEPOSITION (FLASIC)
    • [Programa]: PROGRAMA MARCO DE LA UE (VI)
    • [Fecha de inicio]: 1/4/2002
    • [Fecha de finalizacion]: 30/6/2005
    • SCIENCE OF HIGH PERFORMANCE MULTIFUNCTIONAL HIGH TEMPERATURE COATINGS: (HIPERCOAT)
    • [Programa]: PROGRAMA MARCO DE LA UE (VI)
    • [Fecha de inicio]: 1/1/2002
    • [Fecha de finalizacion]: 1/6/2005
    • FABRICACIÓN DE OBLEAS DELGADAS DE SILICIO Y CARBURO DE SILICIO.
    • [Programa]: PLAN NACIONAL I+D
    • [Fecha de inicio]: 7/11/2001
    • [Fecha de finalizacion]: 7/11/2003
    • PROYECTO SÓCRATES COMENIUS ACCIÓN 1: "EVERYDAY LIFE AND PROBLEMS IN EUROPEAN COUNTRIES: TRADITION AND CHANGE"
    • [Programa]: FEDER (FONDOS EUROPEO DE DESARROLLO REGIONAL)
    • [Fecha de inicio]: 1/10/2000
    • [Fecha de finalizacion]: 1/10/2003
    • TRANSISTORES DE GAN PARA MICROONDAS: SI CARBURIZADO (SIC) COMO SUSTRATO Y RELACIÓN ESTRUCTURA DE DEFECTOS /PROPIEDADES OPTOMICROELECTRÓNICAS MEDIANTE TEM-CL/EBIC.
    • [Programa]: PLAN NACIONAL I+D
    • [Fecha de inicio]: 1/12/1998
    • [Fecha de finalizacion]: 30/11/2001

[Participación en Ayudas]

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    • INCENTIVO PARA LA PUESTA EN MARCHA DEL PROYECTO MEDINNOMEM
    • [Programa]: PLAN PROPIO (UNIV. CÁDIZ)
    • [Fecha de inicio]: 5/2/2009
    • [Fecha de finalizacion]: 31/5/2010
    • INCENTIVO POR PUESTA EN MARCHA DE PROYECTO INNTERA.
    • [Programa]: AYUDAS A LA TRANSFERENCIA TECNOLOGÍA OTRI
    • [Fecha de inicio]: 26/11/2008
    • [Fecha de finalizacion]: 30/4/2009

[Participación en Ayudas]

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    • INCENTIVO POR PUESTA EN MARCHA DE PROYECTO INNTERA.
    • [Programa]: AYUDAS A LA TRANSFERENCIA TECNOLOGÍA OTRI
    • [Fecha de inicio]: 26/11/2008
    • [Fecha de finalizacion]: 30/4/2009

[Libros publicados]

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    • DESARROLLO DE SUSTRATOS DE SIC MEDIANTE CARBURIZACIÓN E IMPLANTACIÓN IÓNICA DE SI MONOCRISTALINO||DEVELOPMENT OF SIC SUBSTRATES BY CARBURIZATION AND ION IMPLANTATION OF SINGLE-CRYSTALLINE SI
    • [Editorial]: PROQUEST INFORMATION AND LEARNING
    • [Año]: 2004

[Capitulos de libros publicados]

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    • STUDY OF MICROSTRUCTURE AND STRAIN RELAXATION ON THIN INXGA1-XN EPILAYERS WITH MEDIUM AND HIGH IN CONTENTS
    • PROCEEDING OF 14TH EUROPEAN MICROSCOPY CONGRESS
    • [Pagina inicial]: 77
    • [Pagina final]: 78
    • [Editorial]: SPRINGER-VERLAG
    • [Año]: 2008
    • CRECIMIENTO DEL POLITIPO CÚBICO DE NITRURO DE INDIO (C-INN)
    • X CONGRESO NACIONAL DE MATERIALES:
    • [Pagina inicial]: 1
    • [Pagina final]: 4
    • [ISBN]: 978-84-608-07
    • [Editorial]: MONDRAGON UNIBERTSITATEKO ZERBITZU
    • [Año]: 2008

[Publicaciones en revistas]

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    • THE ROLE OF SI IMPURITIES IN THE TRANSIENT DOPANT SEGREGATION AND PRECIPITATION IN YTRIUM-DOPED ALUMINA
    • INTERNATIONAL JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH
    • [Año]: 2010
    • [Pagina inicial]: 95
    • [Pagina final]: 101
    • STRUCTURAL AND COMPOSITIONAL HOMOGENEITY OF INALN EPITAXIAL LAYERS NEARLY LATTICE-MATCHED TO GAN
    • ACTA MATERIALIA
    • [Año]: 2010
    • [Pagina inicial]: 4120
    • [Pagina final]: 4125
    • PHASE MAPPING OF AGING PROCESS IN INN NANOSTRUCTURES: OXYGEN INCORPORATION AND THE ROLE OF THE ZINC BLENDE PHASE
    • NANOTECHNOLOGY
    • [Año]: 2010
    • [Pagina inicial]: 185706
    • [Pagina final]: 185714
    • PHASE MAPPING OF AGING PROCESS IN INN NANOSTRUCTURES: OXYGEN INCORPORATION AND THE ROLE OF THE ZINC BLENDE PHASE
    • NANOTECHNOLOGY
    • [Año]: 2010
    • [Pagina inicial]: 185706
    • [Pagina final]: 185714
    • DETERMINATION OF THE COMPOSITION OF INXGA1−XN FROM STRAIN MEASUREMENTS
    • ACTA MATERIALIA
    • [Año]: 2009
    • [Volumen]: 57
    • [Pagina inicial]: 5681
    • [Pagina final]: 5692
    • MICROSTRUCTURAL IMPROVEMENTS OF INP ON GAAS (001) GROWN BY MOLECULAR BEAM EPITAXY BY IN SITU HYDROGENATION AND POSTGROWTH ANNEALING
    • APPLIED PHYSICS LETTERS
    • [Año]: 2009
    • [Volumen]: 94
    • [Numero]: 4
    • [Pagina inicial]: 1
    • [Pagina final]: 3
    • A COMPARISON OF ZNMGSSE AND MGS WIDE BANDGAP SEMICONDUCTORS USED AS BARRIERS: GROWTH, STRUCTURE AND LUMINESCENCE PROPERTIES
    • JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
    • [Año]: 2009
    • [Volumen]: 311
    • [Numero]: 7
    • [Pagina inicial]: 2099
    • [Pagina final]: 2101
    • STUDY OF MICROSTRUCTURE AND STRAIN RELAXATION ON THIN INXGA1-XN EPILAYERS WITH MEDIUM AND HIGH IN CONTENTS
    • PROCEEDINGS OF THE 14TH EUROPEAN MICROSCOPY CONGRESS (EMC 2008)
    • [Año]: 2008
    • [Volumen]: 2
    • [Pagina inicial]: 77
    • [Pagina final]: 78
    • CRECIMIENTO DEL POLITIPO CÚBICO DE NITRURO DE INDIO (C-INN)
    • ACTAS DEL X CONGRESO NACIONAL DE MATERIALES
    • [Año]: 2008
    • [Volumen]: 2
    • [Pagina inicial]: 637
    • [Pagina final]: 640
    • INN/IN2O3 HETEROSTRUCTURES
    • PHYSICA STATUS SOLIDI. C, CONFERENCES AND CRITICAL REVIEWS
    • [Año]: 2008
    • [Volumen]: 5
    • [Numero]: 6
    • [Pagina inicial]: 1627
    • [Pagina final]: 1629
    • ELECTRONIC AND PHOTOCONDUCTIVE PROPERTIES OF ULTRATHIN INGAN PHOTODETECTORS
    • JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
    • [Año]: 2008
    • [Volumen]: 103
    • [Numero]: 7
    • [Pagina inicial]: 073715-1
    • [Pagina final]: 073715-7
    • STRUCTURE OF CUBIC POLYTYPE INDIUM NITRIDE LAYERS ON TOP OF MODIFIED SAPPHIRE SUBSTRATES
    • PHYSICA STATUS SOLIDI. C, CONFERENCES AND CRITICAL REVIEWS
    • [Año]: 2008
    • [Volumen]: 5
    • [Numero]: 2
    • [Pagina inicial]: 514
    • [Pagina final]: 517
    • ELECTRON TRANSPORT PROPERTIES OF INDIUM OXIDE ¿ INDIUM NITRIDE METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES
    • PHYSICA STATUS SOLIDI. C, CONFERENCES AND CRITICAL REVIEWS
    • [Año]: 2008
    • [Volumen]: 5
    • [Numero]: 2
    • [Pagina inicial]: 495
    • [Pagina final]: 498
    • IMPROVEMENTS ON INP EPILAYERS BY THE USE OF MONOATOMIC HYDROGEN DURING EPITAXIAL GROWTH AND SUCCESSIVE ANNEALING
    • PROCEEDINGS OF THE 14TH EUROPEAN MICROSCOPY CONGRESS (EMC 2008)
    • [Año]: 2008
    • [Volumen]: 2
    • [Pagina inicial]: 75
    • [Pagina final]: 76
    • STRESS MODIFICATION IN WIDE GAP HETEROEPITAXY ON SILICON
    • CENTER FOR MICRO- AND NANOTECHNOLOGIES (ZMN). ANNUAL REPORT.
    • [Año]: 2007
    • [Pagina inicial]: 134
    • [Pagina final]: 135
    • MORPHOLOGY AND STRESS CONTROL IN UHVCVD OF 3C-SIC(100) ON SI
    • MATERIALS SCIENCE FORUM
    • [Año]: 2007
    • [Volumen]: 556-557
    • [Pagina inicial]: 203
    • [Pagina final]: 206
    • CUBIC INN GROWTH ON SAPPHIRE (0001) USING CUBIC INDIUM OXIDE AS BUFFER LAYER
    • APPLIED PHYSICS LETTERS
    • [Año]: 2007
    • [Volumen]: 90
    • [Numero]: 9
    • [Pagina inicial]: 091901-1
    • [Pagina final]: 091901-3
    • COALESCENCE ASPECTS OF III-NITRIDE EPITAXY
    • JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
    • [Año]: 2007
    • [Volumen]: 101
    • [Numero]: 5
    • [Pagina inicial]: 054906-1
    • [Pagina final]: 054906-12
    • EVALUATION OF THE INFLUENCE OF GAN AND ALN AS PSEUDOSUBSTRATES ON THE CRYSTALLINE QUALITY OF INN LAYERS
    • PHYSICA STATUS SOLIDI. C, CONFERENCES AND CRITICAL REVIEWS
    • [Año]: 2007
    • [Volumen]: 4
    • [Pagina inicial]: 1454
    • [Pagina final]: 1457
    • EFFECT OF ISLAND COALESCENCE ON STRUCTURAL AND ELECTRICAL PROPERTIES OF INN THIN FILMS
    • JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
    • [Año]: 2007
    • [Volumen]: 300
    • [Numero]: 1
    • [Pagina inicial]: 50
    • [Pagina final]: 56
    • LOCAL CONTROL OF SIC POLYTYPES
    • PHYSICA STATUS SOLIDI. A, APPLIED RESEARCH
    • [Año]: 2007
    • [Volumen]: 204
    • [Numero]: 4
    • [Pagina inicial]: 1056
    • [Pagina final]: 1062
    • ORIGIN OF N-TYPE DOPING IN INN
    • CENTER FOR MICRO- AND NANOTECHNOLOGIES (ZMN). ANNUAL REPORT.
    • [Año]: 2007
    • [Pagina inicial]: 62
    • [Pagina final]: 63
    • BETA TO ALPHA TRANSITION AND DEFECTS ON SIC ON SI GROWN BY CVD
    • SPRINGER PROCEEDINGS IN PHYSIC
    • [Año]: 2006
    • [Volumen]: 107
    • [Pagina inicial]: 131
    • [Pagina final]: 134
    • EFFECT OF DISLOCATIONS ON ELECTRICAL AND ELECTRON TRANSPORT PROPERTIES OF INN THIN FILMS. I. STRAIN RELIEF AND FORMATION OF A DISLOCATION NETWORK
    • JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
    • [Año]: 2006
    • [Volumen]: 100
    • [Numero]: 9
    • [Pagina inicial]: 094902-1
    • [Pagina final]: 094902-13
    • SIMULATION OF QUALITY OF SIC/SI INTERFACE DURING MBE DEPOSITION OF C ON SI
    • MATERIALWISSENSCHAFT UND WERKSTOFFTECHNIK
    • [Año]: 2006
    • [Volumen]: 37
    • [Numero]: 11
    • [Pagina inicial]: 929
    • [Pagina final]: 932
    • IMPACT OF SILICON INCORPORATION ON THE FORMATION OF STRUCTURAL DEFECTS IN ALN
    • JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
    • [Año]: 2006
    • [Volumen]: 100
    • [Numero]: 11
    • [Pagina inicial]: ART.
    • [Pagina final]: 113531
    • SPECIFIC TWIN JUNCTIONS IN DOPED ZIRCONIA
    • ACTA CRYSTALLOGRAPHICA SECTION B-STRUCTURAL SCIENCE
    • [Año]: 2006
    • [Volumen]: 62
    • [Numero]: 5
    • [Pagina inicial]: 761
    • [Pagina final]: 767
    • CORRELATION BETWEEN STRUCTURAL AND ELECTRICAL PROPERTIES OF INN THIN FILMS PREPARED BY MOLECULAR BEAM EPITAXY
    • SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES
    • [Año]: 2006
    • [Volumen]: 40
    • [Numero]: 4-6 SPEC
    • [Pagina inicial]: 289
    • [Pagina final]: 294
    • EFFECT OF DISLOCATIONS ON ELECTRICAL AND ELECTRON TRANSPORT PROPERTIES OF INN THIN FILMS. II. DENSITY AND MOBILITY OF THE CARRIERS
    • JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
    • [Año]: 2006
    • [Volumen]: 100
    • [Numero]: 9
    • [Pagina inicial]: 094903-1
    • [Pagina final]: 094903-8
    • FORMATION OF DISCONTINUOUS AL2O3 LAYERS DURING HIGH-TEMPERATURE OXIDATION OF RUAL ALLOYS
    • JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH
    • [Año]: 2006
    • [Volumen]: 21
    • [Numero]: 1
    • [Pagina inicial]: 276
    • [Pagina final]: 286
    • INVESTIGATION OF THE INTERFACE MANIPULATION IN SIC(100) ON SI(100) WITH ISOVALENT IMPURITIES
    • SURFACE AND INTERFACE ANALYSIS
    • [Año]: 2006
    • [Numero]: 38
    • [Pagina inicial]: 444
    • [Pagina final]: 447
    • NANOCRYSTALLINE ALN:SI FIELD EMISSION ARRAYS FOR VACUUM ELECTRONICS
    • PHYSICA STATUS SOLIDI. A, APPLIED RESEARCH
    • [Año]: 2006
    • [Volumen]: 203
    • [Numero]: 7
    • [Pagina inicial]: 1839
    • [Pagina final]: 1844
    • STRAIN RELAXATION AND VOIDS REDUCTION IN SIC ON SI BY GE PREDEPOSITION
    • SPRINGER PROCEEDINGS IN PHYSIC
    • [Año]: 2006
    • [Pagina inicial]: 135
    • [Pagina final]: 138
    • GE-MODIFIED SI(100) SUBSTRATES FOR THE GROWTH OF 3C-SIC(100)
    • APPLIED PHYSICS LETTERS
    • [Año]: 2006
    • [Numero]: 88
    • [Pagina inicial]: 211909_1
    • [Pagina final]: 211909_3
    • DOPING EFFICIENCY AND SEGREGATION OF SI IN ALN GROWN BY MOLECULAR BEAM EPITAXY
    • PHYSICA STATUS SOLIDI. C, CONFERENCES AND CRITICAL REVIEWS
    • [Año]: 2006
    • [Volumen]: 3
    • [Numero]: 6
    • [Pagina inicial]: 1420
    • [Pagina final]: 1424
    • SELF ORGANIZATION AND PROPERTIES OF BLACK SILICON
    • DVD (EN INGLÉS) DE ARTÍCULOS PRESENTADOS EN EL MARCO DEL ¿INTERNATIONALES WISSENSCHAFTLICHES KOLLOQUIUMS, TECHNISCHE UNIVESITÄT ILMENAU¿. 11-15/09/2006
    • [Año]: 2006
    • [Pagina inicial]: 4.2.5.1
    • [Pagina final]: 4.2.5.9
    • SIMULATION OF QUALITY OF SIC/SI INTERFACE DURING MBE DEPOSITION OF C ON SI
    • DVD (EN INGLÉS) DE ARTÍCULOS PRESENTADOS EN EL MARCO DEL ¿INTERNATIONALES WISSENSCHAFTLICHES KOLLOQUIUMS, TECHNISCHE UNIVESITÄT ILMENAU¿. 11-15/09/2006
    • [Año]: 2006
    • [Pagina inicial]: 5.0.13.1
    • [Pagina final]: 5.0.13.9
    • Origin of n-type conductivity in nominally undoped InN
    • MATERIALWISSENSCHAFT UND WERKSTOFFTECHNIK
    • [Año]: 2006
    • [Volumen]: 37
    • [Numero]: 11
    • [Pagina inicial]: 924
    • [Pagina final]: 928
    • GROWTH ACCELERATION IN FLASIC ASSISTED SHORT TIME LIQUID PHASE EPITAXY BY MELT MODIFICATION
    • MATERIALS SCIENCE FORUM
    • [Año]: 2006
    • [Volumen]: 527-529
    • [Pagina inicial]: 295
    • [Pagina final]: 298
    • MODEL FOR THE THICKNESS DEPENDENCE OF ELECTRON CONCENTRATION IN INN FILMS
    • APPLIED PHYSICS LETTERS
    • [Año]: 2006
    • [Numero]: 89
    • [Pagina inicial]: 172109_1
    • [Pagina final]: 172109_3
    • ORIGIN OF N-TYPE CONDUCTIVITY IN NOMINALLY UNDOPED INN
    • MATERIALWISSENSCHAFT UND WERKSTOFFTECHNIK
    • [Año]: 2006
    • [Volumen]: 37
    • [Numero]: 11
    • [Pagina inicial]: 924
    • [Pagina final]: 928
    • DEFECT MORPHOLOGY AND STRAIN OF CVD GROWN 3C-SIC LAYERS: EFFECT OF THE CARBONIZATION PROCESS
    • PHYSICA STATUS SOLIDI. A, APPLIED RESEARCH
    • [Año]: 2005
    • [Volumen]: 202
    • [Numero]: 4
    • [Pagina inicial]: 561
    • [Pagina final]: 565
    • STRESS MANIPULATION IN CVD GROWN SIC ON SI BY MONO- AND SUBMONOLAYER GE PRECOVERAGES
    • PROCEEDINGS OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY
    • [Año]: 2005
    • [Volumen]: 2005-9
    • [Pagina inicial]: 707
    • [Pagina final]: 714
    • SILICON CARBIDE NANOHETEROPOLYTYPIC STRUCTURES GROWN BY UHVCVD ON SI(111)
    • PROCEEDINGS OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY
    • [Año]: 2005
    • [Volumen]: 2005-9
    • [Pagina inicial]: 699
    • [Pagina final]: 706
    • CHARACTERIZATION OF TIO2 DEPOSITED ON TEXTURED SILICON WAFERS BY ATMOSPHERIC PRESSURE CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION
    • SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS
    • [Año]: 2005
    • [Volumen]: 86
    • [Numero]: 3
    • [Pagina inicial]: 299
    • [Pagina final]: 308
    • HETEROPOLYTYPE STRUCTURES BASED ON SIC
    • CENTER FOR MICRO- AND NANOTECHNOLOGIES (ZMN). ANNUAL REPORT.
    • [Año]: 2005
    • [Pagina inicial]: 52
    • [Pagina final]: 53
    • STRESS DESIGN IN 3C-SIC/SI HETEROEPITAXIAL SYSTEMS
    • WISSENSCHAFTLICH-TECHNISCHE BERICHTE
    • [Año]: 2005
    • [Volumen]: FZR-433
    • [Pagina inicial]: 20
    • [Pagina final]: 26
    • THE ROLE OF SI AS SURFACTANT AND DONOR IN MOLECULAR-BEAM EPITAXY OF ALN
    • JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
    • [Año]: 2005
    • [Volumen]: 98
    • [Pagina inicial]: 093508_1
    • [Pagina final]: 093508_6
    • ALPHA-SIC - BETA-SIC HETEROPOLYTYPE STRUCTURES ON SI (111)
    • APPLIED PHYSICS LETTERS
    • [Año]: 2005
    • [Volumen]: 87
    • [Pagina inicial]: 201910_1
    • [Pagina final]: 201910_3
    • RAMAN STUDIES OF GE-PROMOTED STRESS MODULATION IN 3C-SIC GROWN ON SI(111)
    • APPLIED PHYSICS LETTERS
    • [Año]: 2005
    • [Volumen]: 87
    • [Pagina inicial]: 1
    • [Pagina final]: 3
    • PHASE EQUILIBRIA IN THE ZRO2-GDO1.5 SYSTEM BETWEEN 1400 AND 1700ºC
    • JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS
    • [Año]: 2005
    • [Volumen]: 398
    • [Numero]: 1-2
    • [Pagina inicial]: 261
    • [Pagina final]: 268
    • PHASE EQUILIBRIA IN THE ZRO2-GDO1.5 SYSTEM BETWEEN 1400 AND 1700OC.
    • CHEMINFORM: SELECTED ABSTRACTS IN CHEMISTRY
    • [Año]: 2005
    • [Volumen]: 36
    • [Pagina inicial]: 39-020
    • [Pagina final]: 39-020
    • ESTUDIO POR MICROSCOPÍA ELECTRÓNICA Y ESPECTROSCOPÍA DE INFRA-ROJOS DE CAPAS DE SIC OBTENIDAS MEDIANTE CARBURIZACIÓN DE OBLEAS DE SI
    • BOLETIN DE LA SOCIEDAD ESPAÑOLA DE CERÁMICA Y VIDRIO
    • [Año]: 2004
    • [Volumen]: 43
    • [Numero]: 2
    • [Pagina inicial]: 363
    • [Pagina final]: 366
    • SIMS INVESTIGATION OF THE INFLUENCE OF GE PRE-DEPOSITION ON THE INTERFACE QUALITY BETWEEN SIC AND SI
    • SURFACE AND INTERFACE ANALYSIS
    • [Año]: 2004
    • [Volumen]: 36
    • [Numero]: 8
    • [Pagina inicial]: 969
    • [Pagina final]: 972
    • STRUCTURAL STUDY OF MICRO AND NANOTUBES SYNTHESIZED BY RAPID THERMAL CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
    • MICROCHIMICA ACTA
    • [Año]: 2004
    • [Volumen]: 145
    • [Numero]: 1-4
    • [Pagina inicial]: 129
    • [Pagina final]: 132
    • CRYSTALLINE INCLUSIONS FORMED IN C+N+BF2 COIMPLANTED ON SILICON (111)
    • MICROCHIMICA ACTA
    • [Año]: 2004
    • [Volumen]: 145
    • [Numero]: 1-4
    • [Pagina inicial]: 165
    • [Pagina final]: 169
    • INFLUENCE OF THE GE COVERAGE PRIOR TO CARBONIZATION ON THE STRUCTURE OF SIC GROWN ON SI(111)
    • MATERIALS SCIENCE FORUM
    • [Año]: 2004
    • [Volumen]: 457-460
    • [Pagina inicial]: 297
    • [Pagina final]: 300
    • MICROSTRUCTURAL AND THERMODYNAMIC STUDY OF GANMA-GA2O3
    • ZEITSCHRIFT FUR METALLKUNDE
    • [Año]: 2004
    • [Volumen]: 95
    • [Numero]: 9
    • [Pagina inicial]: 756
    • [Pagina final]: 762
    • THE ROLE OF GE PREDEPOSITION TEMPERATURE IN THE EPITAXY OF SIC ON SILICON
    • PHYSICA STATUS SOLIDI. C, CONFERENCES AND CRITICAL REVIEWS
    • [Año]: 2004
    • [Volumen]: 1
    • [Numero]: 2
    • [Pagina inicial]: 341
    • [Pagina final]: 345
    • INTERFACIAL STRAIN AND DEFECTS IN SI (001) CARBONISATION LAYERS FOR 3C-SIC HETERO-EPITAXY
    • MATERIALS SCIENCE FORUM
    • [Año]: 2004
    • [Volumen]: 457-460
    • [Pagina inicial]: 277
    • [Pagina final]: 280
    • SIC VOIDS, MOSAIC MICROSTRUCTURE AND DISLOCATIONS DISTRIBUTION IN SI CARBONIZED LAYERS
    • DIAMOND AND RELATED MATERIALS
    • [Año]: 2003
    • [Volumen]: 12
    • [Numero]: 3-7
    • [Pagina inicial]: 1227
    • [Pagina final]: 1230
    • N+BF2 AND N+C+BF2 HIGH-DOSE CO-IMPLANTATION IN SILICON
    • APPLIED PHYSICS A: MATERIALS SCIENCE & PROCESSING
    • [Año]: 2003
    • [Volumen]: 76
    • [Numero]: 5
    • [Pagina inicial]: 791
    • [Pagina final]: 800
    • STRUCTURAL STUDY OF GAN LAYERS GROWN ON CARBONIZED SI(111) SUBSTRATES
    • MATERIALS SCIENCE FORUM
    • [Año]: 2003
    • [Volumen]: 433-434
    • [Pagina inicial]: 1003
    • [Pagina final]: 1006
    • TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY STUDY OF ULTRA-THIN SIC LAYERS OBTAINED BY RAPID THERMAL CARBONIZATION OF SI WAFERS
    • PHYSICA STATUS SOLIDI. A, APPLIED RESEARCH
    • [Año]: 2003
    • [Volumen]: 195
    • [Numero]: 1
    • [Pagina inicial]: 116
    • [Pagina final]: 121
    • TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY STUDY OF SIMULTANEOUS HIGH-DOSE C++N+ CO-IMPLANTATION INTO (1 1 1)SI
    • THIN SOLID FILMS
    • [Año]: 2003
    • [Volumen]: 426
    • [Numero]: 1-2
    • [Pagina inicial]: 16
    • [Pagina final]: 30
    • COMPARATIVE TEM INVESTIGATION OF MBE AND RTCVD CONVERSION OF SI INTO SIC
    • MATERIALS SCIENCE FORUM
    • [Año]: 2003
    • [Volumen]: 433-436
    • [Pagina inicial]: 285
    • [Pagina final]: 288
    • PREPARATION OF EPITAXIAL TEMPLATES FOR MOLECULAR BEAM EPITAXY OF III-NITRIDES ON SILICON SUBSTRATES
    • PHYSICA STATUS SOLIDI. C, CONFERENCES AND CRITICAL REVIEWS
    • [Año]: 2002
    • [Volumen]: 0
    • [Numero]: (1)
    • [Pagina inicial]: 183
    • [Pagina final]: 187
    • STRUCTURAL CHARACTERIZATION OF HIGH-DOSE C++N+ ION-IMPLANTED (111) SI
    • NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH. SECTION B. BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS
    • [Año]: 2001
    • [Volumen]: 184
    • [Numero]: 3
    • [Pagina inicial]: 361
    • [Pagina final]: 370
    • SIC THIN FILMS OBTAINED BY SI CARBONIZATION
    • MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -ADVANCED FUNCTIONAL SOLID-STATE MATERIALS
    • [Año]: 2001
    • [Volumen]: 80
    • [Numero]: 1-3
    • [Pagina inicial]: 342
    • [Pagina final]: 344

[Aportaciones a congresos]

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    • STRUCTURAL CHARACTERIZATION OF NOVEL INALN AND INALGAN LAYERS LATTICE MATCHED TO GAN FOR HIGH-FREQUENCY ELECTRONICS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2010
    • [Lugar del congreso]: ESTRASBURGO
    • GROWTH AND CHARACTERIZATION OF INAL(GA)N LAYERS PSEUDOMORPHIC TO GAN FOR HIGH-ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2010
    • [Lugar del congreso]: TAMPA (FLORIDA, USA)
    • STRUCTURAL CHARACTERIZATION OF NOVEL INALN AND INALGAN LAYERS LATTICE MATCHED TO GAN FOR HIGH-FREQUENCY ELECTRONICS
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2010
    • [Lugar del congreso]: MONTPELLIER, FRANCIA
    • THIN FILMS OF INALN TERNARY ALLOYS PSEUDOAMORPHICALLY GROWN ON GAN/SAPPHIRE
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2009
    • [Lugar del congreso]: SEGOVIA
    • INALN NANOLAYERS LATTICE-MATCHED TO GAN FOR PHOTONIC USES
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2009
    • [Lugar del congreso]: DELPHI (GRECIA)
    • DETERMINATION OF THE COMPOSITION OF INXGA'_XN FROM STRAIN MEASUREMENTS AND ITS CRITICALLAYER THICKNESS ON GAN
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2009
    • [Lugar del congreso]: DELPHI (GRECIA)
    • THE CRITICAL COMPOSITION THICKNESS OF 25 NM THICK INGAN EPILAYERS ON GAN
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2009
    • [Lugar del congreso]: ESTRASBURGO
    • STRUCTURAL CHARACTERIZATION OF HIGH-QUALITY SINGLE PHASE INALN LAYERS LATTICE MATCHED TO GAN
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2009
    • [Lugar del congreso]: ESTRASBURGO
    • TEM TOOLS AT UCA FOR SOLVING PROBLEMS IN SEMICONDUCTOR NANOSTRUCTURES
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2009
    • [Lugar del congreso]: ESSEX, UK
    • TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY: A TOOL TO SOLVE MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING PROBLEMS IN SEMICONDUCTOR NANOSTRUCTURES
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2009
    • [Lugar del congreso]: KERALA, INDIA
    • PHASE MAPPING OF NATURALLY AGED UNCAPPED INN QUANTUM DOTS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2009
    • [Lugar del congreso]: SEGOVIA
    • STUDY OF MICROSTRUCTURE AND STRAIN RELAXATION ON THIN INGAN EPILAYERS WITH MEDIUM AND HIGH IN CONTENTS
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2008
    • [Lugar del congreso]: AQUISGRÁN (ALEMANIA)
    • DETERMINATION OF THE INGAN COMPOSITION FROM STRAIN MEASUREMENTS
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2008
    • [Lugar del congreso]: BOSTON (USA)
    • THE EFFECT OF THE BARRIER MATERIAL ON THE FORMATION OF CDSE QUANTUM DOTS: CHARACTERIZATION OF CDSE/MGS HETEROSTRUCTURES BY PL AND TEM
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2008
    • [Lugar del congreso]: VANCOUVER (CANADA)
    • IMPROVEMENTS ON INP EPILAYERS BY THE USE OF MONOATOMIC HYDROGEN DURING EPITAXIAL GROWTH AND SUCCESSIVE ANNEALING
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2008
    • [Lugar del congreso]: AACHEN,ALEMANIA
    • A COMPARISON OF ZNMGSSE AND MGS WIDE BANDGAP SEMICONDUCTORS USED AS BARRIERS: GROWTH, STRUCTURE AND LUMINESCENCE
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2008
    • [Lugar del congreso]: VANCOUVER (CANADA)
    • STUDY OF MICROSTRUCTURE AND LATTICE RELAXATION ON THIN INXGA1-XN EPILAYERS FOR THE RANGE OF MEDIUM AND HIGH CONCENTRATIONS OF IN (0.4<X<0.8)
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2008
    • [Lugar del congreso]: LAFORET SHUZENJI, IZU, JAPÓN
    • STRUCTURE, RELAXATION STATE AND ELASTIC BEHAVIOUR OF INGAN IN THE COMPLETE RANGE OF IN CONCENTRATION
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2008
    • [Lugar del congreso]: TOLEDO, ESPAÑA
    • CRECIMIENTO DEL POLITIPO CÚBICO DE NITRURO DE INDIO (C-INN)
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2008
    • [Lugar del congreso]: SAN SEBASTIÁN
    • WHAT CAN INN AND INO BE GOOD FOR?
    • [Tipo de participacion]: CURSO - SEMINARIO
    • [Anio de celebracion]: 2008
    • [Lugar del congreso]: BRISTOL
    • CHARACTERIZATION OF HIGH QUALITY INP ON GAAS GROWN BY HYDROGEN-ASSISTED MOLECULAR BEAM EPITAXY BY TEM AND PL
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2008
    • [Lugar del congreso]: BOSTON (USA)
    • EPITAXY OF INN/IN2O3 HETEROSTRUCTURES
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2007
    • [Lugar del congreso]: LAS VEGAS, NEVADA, ESTADOS UNIDOS
    • ELECTRON TRANSPORT PROPERTIES OF INDIUM OXIDE/INDIUM NITRIDE METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES
    • [Tipo de participacion]: CONFERENCIA
    • [Anio de celebracion]: 2007
    • [Lugar del congreso]: ESTRASBURGO, FRANCIA
    • GROWTH OF CUBIC INDIUM NITRIDE LAYERS ON INDIUM OXIDE/SAPPHIRE PSEUDOSUBSTRATES
    • [Tipo de participacion]: CONFERENCIA
    • [Anio de celebracion]: 2007
    • [Lugar del congreso]: ESTRASBURGO, FRANCIA
    • EFECTO DE LAS CAPAS INTERMEDIAS EN LA ESTRUCTURA DEL INN CRECIDO SOBRE ZAFIRO
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2007
    • [Lugar del congreso]: BILBAO (ESPAÑA)
    • GERMANIUM PRESENCE AT THE 3C-SIC/SI INTERFACE: LOCATION AND DISTRIBUTION
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2007
    • [Lugar del congreso]: BERLÍN, ALEMANIA
    • ESTUDIO MEDIANTE MET DE MATERIALES COMPUESTOS DE MATRIZ METÁLICA FABRICADOS A PARTIR DE ALEACIONES CON MEMORIA DE FORMA DE CU-AL-NI
    • [Tipo de participacion]: PONENCIA
    • [Anio de celebracion]: 2007
    • [Lugar del congreso]: BILBAO (ESPAÑA)
    • SIMULATION OF THE SI SURFACE AND THE SIC/SI INTERFACE EVOLUTION DURING MBE DEPOSITION OF C ON SI
    • [Tipo de participacion]: PONENCIA
    • [Anio de celebracion]: 2006
    • [Lugar del congreso]: ILMENAU, ALEMANIA
    • EVALUATION OF THE INFLUENCE OF GAN AND ALN AS PSEUDOSUBSTRATES ON THE CRYSTALLINE QUALITY OF INN LAYERS
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2006
    • [Lugar del congreso]: CADIZ (SPAIN)
    • STRAIN RELIEF AND FORMATION OF A DISLOCATION NETWORK IN INN THIN FILMS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2006
    • [Lugar del congreso]: LINKÖPING (SWEDEN)
    • LOCAL CONTROL OF SIC POLYTYPES
    • [Tipo de participacion]: PONENCIA
    • [Anio de celebracion]: 2006
    • [Lugar del congreso]: CADIZ (SPAIN)
    • STRAIN RELIEF AND EFFECT OF DISLOCATIONS ON ELECTRICAL PROPERTIES OF THIN INN FILMS
    • [Tipo de participacion]: PONENCIA
    • [Anio de celebracion]: 2006
    • [Lugar del congreso]: NIZA, FRANCIA
    • MORPHOLOGY AND STRESS CONTROL IN UHVCVD OF 3C-SIC(100) ON SI
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2006
    • [Lugar del congreso]: NEWCASTLE UPON TYNE, REINO UNIDO
    • ORIGIN OF N-TYPE CONDUCTIVITY IN NOMINALLY UNDOPED INN
    • [Tipo de participacion]: PONENCIA
    • [Anio de celebracion]: 2006
    • [Lugar del congreso]: ILMENAU, ALEMANIA
    • SELF ORGANIZATION AND PROPERTIES OF BLACK SILICON
    • [Tipo de participacion]: PONENCIA
    • [Anio de celebracion]: 2006
    • [Lugar del congreso]: ILMENAU, ALEMANIA
    • INVESTIGATION OF THE INTERFACE MANIPULATION IN SIC(100) ON SI(100) WITH ISOVALENT IMPURITIES
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2006
    • [Lugar del congreso]: VIENA, AUSTRIA
    • SIC NANOHETEROPOLYTYPIC STRUCTURES GROWN BY UHVCVD ON SI(111)
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2005
    • [Lugar del congreso]: UNIVERSIDAD RUHR, BOCHUM, ALEMANIA
    • NANO-HETERO-ESTRUCTURAS BASADAS EN POLITIPOS DE SIC CRECIDAS SOBRE SI MEDIANTE CVD
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2005
    • [Lugar del congreso]: GRANADA, ESPAÑA
    • CUBIC GAN QUANTUM DOTS NUCLEATED ON PLANAR DEFECTS
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2005
    • [Lugar del congreso]: OXFORD, REINO UNIDO
    • OXIDATION BEHAVIOR OF RUAL INTERMETALLICS
    • [Tipo de participacion]: PONENCIA
    • [Anio de celebracion]: 2005
    • [Lugar del congreso]: MOSCONE WEST CONVENTION CENTER. SAN FRANCISCO, USA.
    • ALPHA TO BETA TRANSITION AND DEFECTS ON SIC ON SI GROWN BY CVD
    • [Tipo de participacion]: PONENCIA
    • [Anio de celebracion]: 2005
    • [Lugar del congreso]: OXFORD, REINO UNIDO
    • STRAIN RELAXATION AND VOIDS REDUCTION IN SIC ON SI BY GE PREDEPOSITION
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2005
    • [Lugar del congreso]: OXFORD, REINO UNIDO
    • STRESS DESIGN METHODS IN THE 3C-SIC/SI HETEROEPITAXIAL SYSTEM
    • [Tipo de participacion]: PONENCIA
    • [Anio de celebracion]: 2005
    • [Lugar del congreso]: HOTEL ERBGERICHT, KRIPPEN, ALEMANIA
    • STRESS MANIPULATION IN CVD GROWN SIC ON SI BY MONO- AND SUBMONOLAYER GE PRECOVERAGES
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2005
    • [Lugar del congreso]: UNIVERSIDAD RUHR, BOCHUM, ALEMANIA
    • THE ROLE OF SI AS SURFACTANT AND DONOR IN MOLECULAR BEAM EPITAXY OF ALN
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2005
    • [Lugar del congreso]: BREMEN (ALEMANIA)
    • NANOCRYSTALLINE ALN:SI FIELD EMISSION ARRAYS FOR VACUUM ELECTRONICS
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2005
    • [Lugar del congreso]: BREMEN (ALEMANIA)
    • GROWTH ACCELERATION IN FLASIC ASSISTED SHORT TIME LIQUID PHASE EPITAXY BY MELT MODIFICATION
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2005
    • [Lugar del congreso]: PITTSBURGH, PENNSYLVANIA, ESTADOS UNIDOS
    • MICROSTRUCTURAL DYNAMICS OF TBCS
    • [Tipo de participacion]: PONENCIA
    • [Anio de celebracion]: 2004
    • [Lugar del congreso]: REAL INSTITUTO DE TECNOLOGÍA. ESTOCOLMO, SUECIA
    • THEMODYNAMICS AND PHASE DIAGRAMS FOR TBC SYSTEMS
    • [Tipo de participacion]: PONENCIA
    • [Anio de celebracion]: 2004
    • [Lugar del congreso]: REAL INSTITUTO DE TECNOLOGÍA. ESTOCOLMO, SUECIA
    • OXIDATION OF RUAL-BASED ALLOYS
    • [Tipo de participacion]: PONENCIA
    • [Anio de celebracion]: 2004
    • [Lugar del congreso]: REAL INSTITUTO DE TECNOLOGÍA. ESTOCOLMO, SUECIA
    • THE IMPROVED ZRO2-GDO1.5 SYSTEM AND EXPERIMENTAL WORK ON ZRO2-GDO1.5-YO1.5 SYSTEM
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2004
    • [Lugar del congreso]: REAL INSTITUTO DE TECNOLOGÍA. ESTOCOLMO, SUECIA
    • OXIDATION MECHANISMS OF RUAL BASED ALLOYS
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2004
    • [Lugar del congreso]: REAL INSTITUTO DE TECNOLOGÍA. ESTOCOLMO, SUECIA
    • INFLUENCE OF DOPANT SIZE ON THE PHASE TRANSFORMATIONS OF ZIRCONIA SOLID SOLUTIONS
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2004
    • [Lugar del congreso]: REAL INSTITUTO DE TECNOLOGÍA. ESTOCOLMO, SUECIA
    • DEFECT MORPHOLOGY AND STRAIN OF CVD GROWN 3C-SIC LAYERS: EFFECT OF THE CARBONIZATION PROCESS
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2004
    • [Lugar del congreso]: MONTPELLIER, FRANCIA
    • OXIDATION OF RU-CONTAINING ALLOYS
    • [Tipo de participacion]: PONENCIA
    • [Anio de celebracion]: 2004
    • [Lugar del congreso]: UNIVERSIDAD CALIFORNIA, SANTA BÁRBARA, ESTADOS UNIDOS
    • THE ROLE OF GE AND C IN SIC EPITAXIAL GROWTH AND ITS APPLICATIONS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2004
    • [Lugar del congreso]: TELEKOM TAGUNGSHOTEL, STUTTGART, ALEMANIA
    • STRUCTURAL STUDY OF MICRO AND NANOTUBES SYTHESIZED BY RAPID THERMAL CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
    • EMAS2003
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2003
    • [Lugar del congreso]: CHICLANA (ESPAÑA)
    • STRUCTURAL STUDY OF GAN LAYERS GROWN ON CARBONIZED SI(111) SUBSTRATES
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2003
    • [Lugar del congreso]: LINKÖPING, SUECIA
    • COMPARATIVE TEM INVESTIGATION OF MBE AND RTCVD CONVERSION OF SI INTO SIC
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2003
    • [Lugar del congreso]: LINKÖPING, SUECIA
    • INTERFACIAL STRAIN AND DEFECTS IN SI (001) CARBONISATION LAYERS FOR 3C-SIC HETERO-EPITAXY
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2003
    • [Lugar del congreso]: LYON, FRANCIA
    • INFLUENCE OF THE GE COVERAGE PRIOR TO CARBONIZATION ON THE STRUCTURE OF SIC GROWN ON SI(111)
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2003
    • [Lugar del congreso]: LYON, FRANCIA
    • THE ROLE OF GE PREDEPOSITION TEMPERATURE IN THE EPITAXY OF SIC ON SILICON
    • [Tipo de participacion]: PONENCIA
    • [Anio de celebracion]: 2003
    • [Lugar del congreso]: POLONIA
    • SIMS AND AES INVESTIGATION ON THE INFLUENCE OF GE PREDEPOSITION ON THE INTERFACE QUALITY BETWEEN SIC AND SI
    • ECASIA 3
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2003
    • [Lugar del congreso]: AVIGNON
    • CRYSTALINE INCLUSIONS AND DISLOCATIONS DETECTION IN C+N+B CON-IMPLANTED IN SILICON (111)
    • EMAS2003
    • [Tipo de participacion]: CONFERENCIA
    • [Anio de celebracion]: 2003
    • [Lugar del congreso]: CHICLANA (ESPAÑA)
    • OBTENCIÓN DE PLANTILLAS EFICIENTES PARA EL RECRECIMIENTO DE SIC Y/O ALEACIONES III-N MEDIANTE CARBURIZACIÓN E IMPLANTACIÓN IÓNICA DE SI
    • XXI BIENAL DE LA SOCIEDAD DE MICROSCOPIA DE ESPAÑA
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2003
    • [Lugar del congreso]: SAN FERNANDO (CÁDIZ)
    • ESTUDIO POR MICROSCOPÍA ELECTRÓNICA Y ESPECTROSCOPÍA DE INFRA-ROJOS DE CAPAS DE SIC OBTENIDAS MEDIANTE CARBURIZACIÓN DE OBLEAS DE SI
    • CONGRESO NACIONAL DE MATERIALES. 42 CONGRESO ANUAL DE S.E.C.V.
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2002
    • [Lugar del congreso]: MADRID, ESPAÑA
    • PREPARATION OF EPITAXIAL TEMPLATES FOR MOLECULAR BEAM EPITAXY OF III-NITRIDES ON SILICON SUBSTRATES
    • INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2002
    • [Lugar del congreso]: AACHEN (ALEMANIA)
    • SIC VOIDS, MOSAIC MICROSTRUCTURE AND DISLOCATIONS DISTRIBUTION IN SI CARBONIZED LAYERS
    • DIAMOND2002
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2002
    • [Lugar del congreso]: GRANADA (ESPAÑA)
    • TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY STUDY OF ULTRA-THIN SIC LAYERS OBTAINED BY RAPID THERMAL CARBONISATION OF SI WAFERS
    • INTERNATIONAL WORKSHOP ON EXPERT EVALUATION & CONTROL OF CMPOUND SEMICONDUCTOR MATERIALS & TECHNOLOGIES
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2002
    • [Lugar del congreso]: BUDAPEST, HUNGRÍA
    • TEM STUDY OF HEAVY DOSE C, B AND ION IMPLANTED (111)SI
    • MICROSCOPY, BARCELONA 2001
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2001
    • [Lugar del congreso]: BARCELONA
    • OPTIMISATION OF SIC THIN FILMS OBTAINED BY SI CARBONIZATION
    • EXPERT EVALUATION AND CONTROL OF COMPOUND SEMICONDUCTOR MATERIALS AND TECHNOLOGY
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2000
    • [Lugar del congreso]: CRETE

[Tesis dirigidas]

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    • EVALUACIÓN MEDIANTE TÉCNICAS DE HACES DE ELECTRONES DE HETEROESTRUCTURAS BASADAS EN IN(GA)N PARA APLICACIONES EN DISPOSITIVOS OPTO/MICROELECTRÓNICOS
    • [Autor]: JUAN GABRIEL LOZANO SUÁREZ
    • [Fecha de lectura]: 15/12/2008
    • [Calificacion]: SOBRESALIENTE CUM LAUDE
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[Patentes y propiedad intelectual]

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[Otras publicaciones]

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    • [Tipo de publicación]: TRABAJOS CREATIVOS DE CARÁCTER TÉCNICO O ARTÍSTICO
    • [Año]: 1999
    • [Lugar]: PUERTO REAL
    • [Editorial]: UNIVERSIDAD DE CÁDIZ