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[Curriculum Vitae]

  • Foto
    • PACHECO ROMERO, FRANCISCO JOSE
    • CIENCIAS (QUIMICAS)
    • INVESTIGADOR DOCTOR
    • [Email]: paco.pacheco@uca.es
    • [Departamento]: CIENCIA DE LOS MATERIALES E INGENIERÍA METALÚRGICA Y QUÍMICA INORGÁNICA
    • [Centro]: ESCUELA UNIVERSITARIA DE INGENIERIA TECNICA NAVAL
    • [Telefono]: 956016047

[Participación Proyectos I+D]

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    • CONTRIBUCIÓN AL DESARROLLO DE NANOESTRUCTURAS SEMICONDUCTORAS DE INTERÉS PARA EL SECTOR.
    • [Programa]: JUNTA DE ANDALUCÍA. PROYECTOS DE EXCELENCIA
    • [Fecha de inicio]: 14/1/2009
    • [Fecha de finalizacion]: 13/1/2012
    • MEJORA DE LA TENACIDAD DE MATERIALES AERONAUTICOS: INTRUDCCIÓN DE NANOPARTICULAS EN RESINAS EPOXI DE POLIMEROS REFORZADOS (CFRP)
    • [Programa]: JUNTA DE ANDALUCÍA. PROYECTOS DE EXCELENCIA
    • [Fecha de inicio]: 19/12/2007
    • [Fecha de finalizacion]: 20/12/2011
    • DISEÑO Y CARACTERIZACIÓN NANO-ESTRUCTURAL DE MATERIALES SEMICONDUCTORES AUTO-ENSAMBLADOS
    • [Programa]: ACCIONES INTEGRADAS. PROGRAMA DE COOPERACIÓN INTERNACIONAL (MEC)
    • [Fecha de inicio]: 1/1/2004
    • [Fecha de finalizacion]: 31/12/2005
    • NANOESTRUCTURAS DE SEMICONDUCTORES COMPUESTOS Y SU APLICACIÓN EN DISPOSITIVOS OPTOELECTRÓNICOS Y FOTÓNICOS
    • [Programa]: PLAN NACIONAL I+D
    • [Fecha de inicio]: 1/12/2002
    • [Fecha de finalizacion]: 30/11/2005
    • ACTUALIZACIÓN DE LOS MEDIOS INFORMÁTICOS Y LA FORMACIÓN NECESARIOS PARA LA INTERPRETACIÓN DE IMÁGENES DE MICROSCOPÍA ELECTRÓNICA DE MATERIALES
    • [Programa]: ACCIONES ESPECIALES. PROGRAMA DE COOPERACIÓN INTERNACIONAL (MEC)
    • [Fecha de inicio]: 11/6/2003
    • [Fecha de finalizacion]: 10/6/2004
    • TRANSISTORES DE GAN PARA MICROONDAS: SI CARBURIZADO (SIC) COMO SUSTRATO Y RELACIÓN ESTRUCTURA DE DEFECTOS /PROPIEDADES OPTOMICROELECTRÓNICAS MEDIANTE TEM-CL/EBIC.
    • [Programa]: PLAN NACIONAL I+D
    • [Fecha de inicio]: 1/12/1998
    • [Fecha de finalizacion]: 30/11/2001
    • DESARROLLO DE EXPERIMENTOS EBIC/CL-SEM Y DE OTRAS TÉCNICAS MEDIANTE ANÁLISIS CON HACES DE ELECTRONES PARA SU APLICACIÓN AL DISEÑO E INGENIERÍA DE NANO/HETEROESTRUCTURAS Y DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
    • [Programa]: PLAN NACIONAL I+D
    • [Fecha de inicio]: 1/5/1994
    • [Fecha de finalizacion]: 31/12/1997

[Participación en Ayudas]

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    • FOMENTO DEL BILINGÜISMO EN LA E.U. DE INGENIERÍA TÉCNICA NAVAL
    • [Programa]: PLAN PROPIO (UNIV. CÁDIZ)
    • [Fecha de inicio]: 15/3/2009
    • [Fecha de finalizacion]: 15/10/2009

[Publicaciones en revistas]

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    • DEFECT MORPHOLOGY AND STRAIN OF CVD GROWN 3C-SIC LAYERS: EFFECT OF THE CARBONIZATION PROCESS
    • PHYSICA STATUS SOLIDI. A, APPLIED RESEARCH
    • [Año]: 2005
    • [Volumen]: 202
    • [Numero]: 4
    • [Pagina inicial]: 561
    • [Pagina final]: 565
    • ANALYSIS OF SIC ISLANDS FORMATION DURING FIRST STEPS OF SI CARBONIZATION PROCESS
    • MATERIALS SCIENCE FORUM
    • [Año]: 2005
    • [Volumen]: 483
    • [Pagina inicial]: 555
    • [Pagina final]: 558
    • PLANAR DEFECTS, VOIDS AND THEIR RELATIONSHIP IN 3C-SIC LAYERS
    • MATERIALS SCIENCE FORUM
    • [Año]: 2005
    • [Volumen]: 483
    • [Pagina inicial]: 189
    • [Pagina final]: 192
    • DEFECT MORPHOLOGY AND STRAIN OF CVD-GROWN 3C-SIC LAYERS : EFFECT OF CARBONIZATION PROCESS
    • PHYSICA STATUS SOLIDI. A, APPLIED RESEARCH
    • [Año]: 2005
    • [Volumen]: 202
    • [Pagina inicial]: 561
    • [Pagina final]: 565
    • INTERFACIAL STRAIN AND DEFECTS IN SI (001) CARBONISATION LAYERS FOR 3C-SIC HETERO-EPITAXY
    • MATERIALS SCIENCE FORUM
    • [Año]: 2004
    • [Volumen]: 457-460
    • [Pagina inicial]: 277
    • [Pagina final]: 280
    • FATIGUE BEHAVIOUR OF LASER MACHINED 2024 T3 AERONAUTIC ALUMINIUM ALLOY
    • APPLIED SURFACE SCIENCE
    • [Año]: 2003
    • [Volumen]: 208-209
    • [Pagina inicial]: 194
    • [Pagina final]: 198
    • CORRELATION BETWEEN THE ALN BUFFER LAYER THICKNESS AND THE GAN POLARITY IN GAN/ALN/SI(111) GROWN BY MBE
    • MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS
    • [Año]: 2003
    • [Volumen]: 743
    • [Pagina inicial]: L3.25.1
    • [Pagina final]: L3.25.6
    • ON THE APPLICATION OF ADVANCED COMPUTING TECHNIQUES FOR THE DETERMINATION OF THICKNESS AND DEFOCUS FROM HIGH RESOLUTION TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY IMAGES
    • ADVANCES IN SCIENCE AND TECHNOLOGY
    • [Año]: 2003
    • [Volumen]: 36
    • [Pagina inicial]: 165
    • [Pagina final]: 172
    • ORIGIN OF INVERSION DOMAINS IN GAN/ALN/SI(111) HETEROSTRUCTURES GROWN BY MOLECULAR BEAM EPITAXY
    • PHYSICA STATUS SOLIDI. B, BASIC RESEARCH
    • [Año]: 2002
    • [Volumen]: 234
    • [Numero]: 3
    • [Pagina inicial]: 935
    • [Pagina final]: 938
    • ALN BUFFER LAYER THICKNESS INFLUENCE ON INVERSION DOMAINS IN GAN/ALN/SI(111)
    • MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -ADVANCED FUNCTIONAL SOLID-STATE MATERIALS
    • [Año]: 2002
    • [Volumen]: 93
    • [Numero]: 1-3
    • [Pagina inicial]: 181
    • [Pagina final]: 184
    • STRUCTURAL CHARACTERIZATION OF HIGH TEMPERATURE ALN INTERMEDIATE LAYER IN GAN GROWN BY MOLECULAR BEAM EPITAXY
    • MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -ADVANCED FUNCTIONAL SOLID-STATE MATERIALS
    • [Año]: 2001
    • [Volumen]: 80
    • [Numero]: 1-3
    • [Pagina inicial]: 299
    • [Pagina final]: 303
    • INVERSION DOMAINS IN GAN LAYERS GROWN ON (111) SILICON BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY
    • APPLIED PHYSICS LETTERS
    • [Año]: 2001
    • [Volumen]: 78
    • [Numero]: 18
    • [Pagina inicial]: 2688
    • [Pagina final]: 2690
    • CRITICAL THICKNESS OF HIGH-TEMPERATURE ALN INTERLAYERS IN GAN ON SAPPHIRE (0001)
    • JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS
    • [Año]: 2001
    • [Volumen]: 30
    • [Numero]: 5
    • [Pagina inicial]: L17
    • [Pagina final]: L20
    • A MECHANISM FOR THE MULTIPLE ATOMIC CONFIGURATIONS OF INVERSION DOMAIN BOUNDARIES IN GAN LAYERS GROWN ON SI(111)
    • APPLIED PHYSICS LETTERS
    • [Año]: 2001
    • [Volumen]: 79
    • [Numero]: 22
    • [Pagina inicial]: 3588
    • [Pagina final]: 3590
    • MULTIPLE ATOMIC CONFIGURATION OF INVERSION DOMAIN BOUNDARIES IN GAN GROWN ON (111)SI
    • INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES
    • [Año]: 2001
    • [Pagina inicial]: 333
    • [Pagina final]: 336
    • EFECTO DEL DOPADO CON SI SOBRE LA ESTRUCTURA DE DEFECTOS EN SISTEMAS HETEROEPITAXIALES GAN/ALN/SI(111).
    • BOLETIN DE LA SOCIEDAD ESPAÑOLA DE CERÁMICA Y VIDRIO
    • [Año]: 2000
    • [Volumen]: 39
    • [Numero]: 4
    • [Pagina inicial]: 468
    • [Pagina final]: 471
    • HIGH TEMPERATURE ALN INTERMEDIATE LAYER IN GAN GROWN BY MOLECULAR BEAM EPITAXY
    • JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
    • [Año]: 2000
    • [Volumen]: 216
    • [Numero]: 1-4
    • [Pagina inicial]: 15
    • [Pagina final]: 20
    • INFLUENCE OF SI DOPING ON THE SUBGRAIN STRUCTURE OF GAN GROWN ON ALN/SI (111)
    • PHYSICA STATUS SOLIDI. C, CONFERENCES AND CRITICAL REVIEWS
    • [Año]: 1999
    • [Volumen]: 176
    • [Pagina inicial]: 401
    • [Pagina final]: 406
    • GROWTH OF III-NITRIDES ON SI(111) BY MOLECULAR BEAM EPITAXY. DOPING, OPTICAL AND ELECTRICAL PROPERTIES
    • JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
    • [Año]: 1999
    • [Volumen]: 201/202
    • [Pagina inicial]: 296
    • [Pagina final]: 317
    • THE ROLE OF ALN BUFFER LAYERS TO IMPROVE THE GROWTH OF SI DOPED GAN ON SI (111)
    • LATICCE-MISMATCHED THIN FILM
    • [Año]: 1999
    • [Pagina inicial]: 177
    • [Pagina final]: 182
    • PROPERTIES OF HOMOEPITAXIAL AND HETEROEPITAXIAL GAN LAYERS GROWN BY PLASMA-ASSISTED MBE
    • PHYSICA STATUS SOLIDI. A, APPLIED RESEARCH
    • [Año]: 1999
    • [Volumen]: 176
    • [Pagina inicial]: 447
    • [Pagina final]: 452
    • THE EFFECT OF SI DOPING ON THE DEFECT STRUCTURE OF GAN/ALN/SI(111)
    • APPLIED PHYSICS LETTERS
    • [Año]: 1999
    • [Volumen]: 74
    • [Pagina inicial]: 3362
    • [Pagina final]: 3364
    • ELECTRON MICROSCOPY STUDY OF SIC OBTAINED BY THE CARBONIZATION OF SI(111)
    • THIN SOLID FILMS
    • [Año]: 1999
    • [Numero]: 343-344
    • [Pagina inicial]: 305
    • [Pagina final]: 308
    • EFFECT OF THE TEMPERATURE RAMP RATE DURING CARBONIZATION OF SI (111) ON THE CRYSTALLINE QUALITY OF SIC PRODUCED
    • INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES
    • [Año]: 1999
    • [Numero]: 164
    • [Pagina inicial]: 521
    • [Pagina final]: 524
    • STRUCTURAL CHARACTERISATION OF ALGAN/ALN/SI(111) HETEROSTRUCTURES BY TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY
    • INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES
    • [Año]: 1999
    • [Numero]: 164
    • [Pagina inicial]: 397
    • [Pagina final]: 400
    • MBE GROWTH OF GAN AND ALGAN LAYERS ON SI(111) SUBSTRATES: DOPING EFFECTS
    • JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
    • [Año]: 1999
    • [Volumen]: 201/202
    • [Pagina inicial]: 415
    • [Pagina final]: 418
    • ELECTRON MICROSCOPY STUDY OF SIC OBTAINED BY CARBURIZATION OF SI(111)
    • THIN SOLID FILMS
    • [Año]: 1999
    • [Volumen]: 343/344
    • [Pagina inicial]: 305
    • [Pagina final]: 308
    • CHARACTERIZATION BY TEM AND X-RAY DIFFRACTION OF LINEARLY GRADED COMPOSITION INGAAS BUFFER LAYERS ON (001) GAAS
    • MATERIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY
    • [Año]: 1998
    • [Volumen]: 14
    • [Numero]: 12
    • [Pagina inicial]: 1273
    • [Pagina final]: 1278
    • CHARACTERISATION BY TEM AND X-RAY DIFFRACTION OF LINEARLY GRADED COMPOSITION INGAAS BUFFER LAYERS ON (001) GAAS
    • MATERIALS SCIENCE AND TECHNOLOGY
    • [Año]: 1998
    • [Volumen]: 14
    • [Numero]: 12
    • [Pagina inicial]: 1273
    • [Pagina final]: 1278
    • EBIC AND TEM INVESTIGATIONS OF LASER HETEROSTRUCTURES GROWN ON LINEARLY-GRADED AND STEP-GRADED BUFFER LAYERS
    • INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES
    • [Año]: 1997
    • [Numero]: 157
    • [Pagina inicial]: 547
    • [Pagina final]: 550
    • ADVANTAGES OF THIN INTERFACES IN STEP-GRADED BUFFER STRUCTURES
    • MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -ADVANCED FUNCTIONAL SOLID-STATE MATERIALS
    • [Año]: 1997
    • [Volumen]: 44
    • [Numero]: 1-3
    • [Pagina inicial]: 41
    • [Pagina final]: 45
    • INFLUENCE OF THE SURFACE MORPHOLOGY ON THE RELAXATION OF LOW- STRAINED INXGA1-XAS LINEAR BUFFER STRUCTURES
    • JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
    • [Año]: 1997
    • [Volumen]: 182
    • [Numero]: 3-4
    • [Pagina inicial]: 281
    • [Pagina final]: 291
    • COMPARISON OF THE CRYSTALLINE QUALITY OF STEP-GRADED AND CONTINUOUSLY GRADED INGAAS BUFFER LAYERS
    • JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
    • [Año]: 1996
    • [Volumen]: 169
    • [Numero]: 4
    • [Pagina inicial]: 649
    • [Pagina final]: 659
    • STRAIN RELAXATION IN STEP AND LINEARLY-GRADED INGAAS BUFFER LAYERS ON (001)GAAS
    • INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES
    • [Año]: 1995
    • [Volumen]: 146
    • [Pagina inicial]: 211
    • [Pagina final]: 214
    • DESIGN OF INGAAS LINEAR GRADED BUFFER STRUCTURES
    • APPLIED PHYSICS LETTERS
    • [Año]: 1995
    • [Volumen]: 66
    • [Numero]: 24
    • [Pagina inicial]: 3334
    • [Pagina final]: 3336
    • A STUDY OF THE DEFECT STRUCTURE IN GAAS-LAYERS GROWN AT LOW AND HIGH-TEMPERATURES ON SI(001) SUBSTRATES
    • MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -ADVANCED FUNCTIONAL SOLID-STATE MATERIALS
    • [Año]: 1994
    • [Volumen]: 28
    • [Numero]: 1-3
    • [Pagina inicial]: 196
    • [Pagina final]: 199
    • STRAIN RELIEF IN LINEARLY GRADED COMPOSITION BUFFER LAYERS - A DESIGN SCHEME TO GROW DISLOCATION-FREE (LESS-THAN-10(5) CM(-2)) AND UNSTRAINED EPILAYERS
    • APPLIED PHYSICS LETTERS
    • [Año]: 1994
    • [Volumen]: 65
    • [Numero]: 19
    • [Pagina inicial]: 2460
    • [Pagina final]: 2462
    • CATHODOLUMINISCENCE AND TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY STUDY OF ISLAND FORMATION IN INAS/INP QW STRUCTURES DURING GROWTH INTERRUPTIONS
    • INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES
    • [Año]: 1993
    • [Volumen]: 138
    • [Pagina inicial]: 317
    • [Pagina final]: 320
    • CHARACTERIZATION OF THE GAP/SI(001) INTERFACE BY TRANSMISSION ELECTRON-MICROSCOPY
    • INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES
    • [Año]: 1993
    • [Numero]: 138
    • [Pagina inicial]: 317
    • [Pagina final]: 320

[Aportaciones a congresos]

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    • DEFECT MORPHOLOGY AND STRAIN OF CVD GROWN 3C-SIC LAYERS: EFFECT OF THE CARBONIZATION PROCESS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2004
    • [Lugar del congreso]: MONTPELLIER, FRANCIA
    • PLANAR DEFECTS, VOIDS AND THEIR RELATIONSHIP IN 3C-SIC LAYERS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2004
    • [Lugar del congreso]: BOLOGNA, ITALIA
    • DEFECT MORPHOLOGY AND STRAIN OF CVD GROWN 3C-SIC LAYERS: EFFECT OF THE CARBONIZATION PROCESS
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2004
    • [Lugar del congreso]: MONTPELLIER, FRANCIA
    • ANALYSIS OF SIC ISLANDS FORMATION DURING FIRST STEPS OF SI CARBONIZATION PROCESS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2004
    • [Lugar del congreso]: BOLOGNA, ITALIA
    • DOMINIOS DE INVERSIÓN EN HETEROESTRUCTURAS GAN/ALN/SI (111) CRECIDAS POR MBE
    • XXI BIENAL DE LA SOCIEDAD DE MICROSCOPIA DE ESPAÑA
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2003
    • [Lugar del congreso]: SAN FERNANDO (CÁDIZ)
    • FATIGUE BAHAVIOR OF LASER MACHINE 2024T3 AERONAUTIC ALUMINIUM ALLOY
    • E-MRS 2002
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2002
    • [Lugar del congreso]: STRASBOURG (FRANCE)
    • CORRELATION BETWEEN THE ALN BUFFER LAYER THICKNESS AND THE GAN POLARITY IN GAN/ALN/SI (111) GROWN BY MBE
    • FALL MEETING MATERIALS RESEARCH SOCIETY
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2002
    • [Lugar del congreso]: BOSTON, EEUU
    • ALN BUFFER LAYER THICKNESS INFLUENCE ON INVERSION DOMAINS IN GAN/ALN/SI(111)
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2002
    • [Lugar del congreso]: ESTRASBURGO, FRANCIA
    • CORRELATION BETWEEN THE ALN BUFFER LAYER THICKNESS AND THE GAN POLARITY IN GAN/ALN/SI(111) GROWN BY MBE
    • MRS FALL MEETING
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2002
    • [Lugar del congreso]: BOSTON, MASSACHUSETTS
    • ON THE APPLICATION OF ADVANCED COMPUTING TECHNIQUES TO THE DETERMINATION OF THICKNESS AND DEFOCUS FROM HIGH RESOLUTION TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY IMAGES
    • CIMTEC 2002
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2002
    • [Lugar del congreso]: FLORENCIA (ITALIA)
    • TRASMISSION ELECTRON MICROSCOPY SUTDY OF GAN LAYERS GROWN ON ALN BUFFERED (111) SI SUBSTRATES BY MBE.
    • IMPAM, INTERFACE ATOMIC LEVEL AND PROPERTIES OF ADAVANCED MATERIALS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2001
    • [Lugar del congreso]: SAN FELIU DE GUIXOLS, FRANCIA
    • MULTIPLE ATOMIC CONFIGURATION OF INVERSION DOMAIN BOUNDARIES IN GAN GROWN ON (111)SI
    • MICROSCOPY OF SEMICONDUCTING MATERIALS XII 2001
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2001
    • [Lugar del congreso]: OXFORD, REINO UNIDO
    • EFECT OF HIGH TEMPERATURE SINGLE AND MULTIPLE ALN INTERMEDIATE LAYERS ON N-POLAR AND GA-POLAR GAN GROWN BY MOLECULAR BEAM EPITAXY.
    • MRS FALL MEETING
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2001
    • [Lugar del congreso]: BOSTON, MASSACHUSETTS
    • TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY STUDY OF GAN LAYERS GROWN ON ALN BUFFERED (111) SI SUBSTRATES BY MBE
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2001
    • [Lugar del congreso]: SANT FELIUE
    • STACKING FAULT AND THREADING DISLOCATION INTERACTION IN GAN GROWN ON (111)SI
    • MICROSCOPY, BARCELONA 2001
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2001
    • [Lugar del congreso]: BARCELONA
    • STRUCTURAL CHARACTERIZATION OF HIGH TEMPERATURE ALN INTERMEDIATE LAYER IN GAN GROWN BY MOLECULAR BEAM EPITAXY
    • EXPERT EVALUATION AND CONTROL OF COMPOUND SEMICONDUCTOR MATERIALS AND TECHNOLOGY
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2000
    • [Lugar del congreso]: CRETE
    • INFLUENCE OF SI DOPING ON THE SUBGRAIN STRUCTURE OF GAN GROWN ON ALN/SI(111)
    • THE THIRD INTERNATIONAL CONFERENCE ON NITRIDE SEMICONDUCTORS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1999
    • [Lugar del congreso]: MONTPELLIER, FRANCIA
    • THE EFFECT OF TEMPERATURE RAMP RATE DURING CARBONIZATION OF SI(111) ON THE OBTAINED SIC CRYSTALLINE QUALITY
    • MICROSCOPY OF SEMICONDUCTING MATERIALS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1999
    • [Lugar del congreso]: OXFORD
    • STRUCTURAL CHARACTERIZATION OF ALGAN/ALN/SI(111) HETEROSTRUCTURES BY TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY
    • MICROSCOPY OF SEMICONDUCTING MATERIALS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1999
    • [Lugar del congreso]: OXFORD
    • CARACTERIZACION MEDIANTE MICROSCOPIA ELECTRONICA DE SIC OBTENIDO POR CARBURIZACION DE SI (111)
    • REUNIÓN BIENAL DE LA SOCIEDAD ESPAÑOLA DE MICROSCOPÍA ELECTRÓNICA
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1999
    • [Lugar del congreso]: MURCIA
    • ESTUDIO MEDIANTE MICROSCOPIA ELECTRONICA DE TRANSMISION DE HETEROESTRUCTURAS ALGAN/ALN/SI(111)
    • REUNIÓN BIENAL DE LA SOCIEDAD ESPAÑOLA DE MICROSCOPÍA ELECTRÓNICA
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1999
    • [Lugar del congreso]: MURCIA
    • EFECTO DEL DOPADO CON SI SOBRE LA ESTRUCTURA DE DEFECTOS EN SISTEMAS HETEROEPITAXIALES GAN/ALN/SI
    • REUNION NACIONAL DE MATERIALES
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1999
    • [Lugar del congreso]: SAN SEBASTIAN, ESPAÑA
    • PROPERTIES OF HOMOEPITAXIAL AND HETEROEPITAXIAL GAN LAYERS GROWN BY PLASMA-ASSISTED MBE
    • THE THIRD INTERNATIONAL CONFERENCE ON NITRIDE SEMICONDUCTORS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1999
    • [Lugar del congreso]: MONTPELLIER, FRANCIA
    • HOMOEPITAXY AND HETEROEPITAXY OF III-NITRIDES BY PLASMA-ASSISTED MOLECULAR BEAM EPITAXY
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1999
    • [Lugar del congreso]: LES ARCS, SAVOIE (FRANCIA)
    • ESTUDIO ESTRUCTURAL DE SISTEMAS GAN/ALN/SI(111)
    • REUNION NACIONAL DE MATERIALES
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1999
    • [Lugar del congreso]: SAN SEBASTIAN, ESPAÑA
    • MBE GROWTH OF GAN AND ALGAN LAYERS ON SI(111) SUBSTRATES: DOPING EFFECTS
    • INTERNATIONAL CONFERENCE ON MOLECULAR BEAM EPITAXY
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1998
    • [Lugar del congreso]: CANNES
    • THE ROLE OF ALN BUFFER LAYERS TO IMPROVE THE GROWTH OF SI DOPED GAN ON SI (111)
    • INTERNATIONAL WORKSHOP ON LATTICE-MISMATCHED AND HETEROVALENT THIN FILM EPITAXY
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1998
    • [Lugar del congreso]: BARGA, ITALIA
    • ELECTRON MICROSCOPY STUDY OF SIC OBTAINED BY CARBONIZATION OF SI(111)
    • INTERNATIONAL VACUUM CONGRESS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1998
    • [Lugar del congreso]: BIRMINGHAM, REINO UNIDO
    • EBIC AND TEM INVESTIGATIONS OF LASER HETEROSTRUCTURES GROWN ON LINEARLY-GRADED AND STEP-GRADED BUFFER LAYERS
    • TENTH INTERNATIONAL CONFERENCE ON MICROSCOPY OF SEMICONDUCTING MATERIALS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1997
    • [Lugar del congreso]: OXFORD
    • EVALUACION DE LAS PROPIEDADES DE TRANSPORTE Y CORRELACION CON LA ESTRUCTURA DE DEFECTOS DE LASERES CRECIDOS SOBRE CAPAS AMORTIGUADORAS
    • REUNIÓN BIENAL DE LA SOCIEDAD ESPAÑOLA DE MICROSCOPÍA ELECTRÓNICA
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1997
    • [Lugar del congreso]: TOLEDO
    • MORFOLOGÍA SUPERFICIAL EN CAPAS DE INGAAS GRADUADAS SOBRE GAAS(001)
    • REUNION NACIONAL DE MATERIALES
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 1996
    • [Lugar del congreso]: CADIZ
    • STRAIN RELAXATION IN STEP-GRADED AND LINEARLY GRADED INGAAS BUFFER LAYER ON (001) GAAS
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 1995
    • [Lugar del congreso]: OXFORD, REINO UNIDO
    • ESTUDIO POR TEM DE CAPAS DE COMPOSICIÓN GRADUAL DE INGAAS DEPOSITADAS SOBRE GAAS(001)
    • REUNION BIENAL DE LA SOCIEDAD ESPAÑOLA DE MICROSCOPIA ELECTRÓNICA
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 1995
    • [Lugar del congreso]: OVIEDO, ESPAÑA
    • ESTUDIO DEL EFECTO DEL CAMBIO DE SALTO COMPOSICIONAL EN LA RELAJACIÓN DE ESTRUCTURAS ESCALONADAS DE INGAAS/GAAS MEDIANTE TEM
    • REUNION BIENAL DE LA SOCIEDAD ESPAÑOLA DE MICROSCOPIA ELECTRÓNICA
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 1995
    • [Lugar del congreso]: OVIEDO, ESPAÑA
    • TEM AND X-RAY DIFRACTION CHARACTERIZATION OF LINEARLY-GRADED COMPOSITION INGAAS BUFFER LAYERS ON GAAS (001)
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1994
    • [Lugar del congreso]: BARCELONA
    • MULTILAYER STRAIN RELAXATION DETERMINATION BY XTEM IN INGAAS STEP GRADED STRUCTURES
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 1994
    • [Lugar del congreso]: PARÍS, FRANCIA
    • TEM STUDY OF DISLOCATION DISTRIBUTION IN LINEARLY-GRADED COMPOSITION INGAAS LAYERS ON GAAS (001
    • INTERNATIONAL CONGRESS ON ELECTRON
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1994
    • [Lugar del congreso]: PARIS
    • ESTRUCTURA DE CIERRE DE FRONTERAS DE ANTIFASE EN GAAS CRECIDO SOBRE SI (001).
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1993
    • [Lugar del congreso]: LAREDO CANTABRIA
    • CATHODOLUMINISCENCE AND TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY STUDY OF ISLAND FORMATION IN INAS/INP QW STRUCTURES DURING GROWTH INTERRUPTIONS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1993
    • [Lugar del congreso]: SANTANDER, ESPAÑA
    • CHARACTERIZATION OF THE GAP/SI(001) INTERFACE BY TEM.
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1993
    • [Lugar del congreso]: LIVERPOOL, REINO UNIDO
    • COMPORTAMIENTO DE LAS DISLOCACIONES EN CAPAS DE COMPOSICIÓN GRADUAL DE INXGA1-XAS
    • REUNION NACIONAL DE MATERIALES
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 1993
    • [Lugar del congreso]: OVIEDO, ESPAÑA
    • TEM CHARACTERIZATION OF GAAS P-I-N DIODES GROWN AT LOW TEMPERATURES ON SI SUBSTRATES.
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1993
    • [Lugar del congreso]: BOSTON, USA
    • ERRORS IN THE DETERMINATION BY HREM OF STEPS AT ALAS/GAAS INTERFACES.
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1993
    • [Lugar del congreso]: TRIESTE, ITALIA
    • CARACTERIZACIÓN COMPOSICIONAL DE INTERCARAS ALGAAS/GAAS MEDIANTE MICROSCOPÍA ELECTRÓNICA DE TRANSMISIÓN.
    • REUNION BIENAL DE LA REAL SOCIEDAD ESPAÑOLA DE QUÍMICA
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1992
    • [Lugar del congreso]: MÁLAGA
    • CARACTERIZACIÓN COMPOSICIONAL DE INTERCARAS ALGAAS/GAAS MEDIANTE MICROSCOPÍA ELECTRÓNICA DE TRANSMISIÓN.
    • REUNION BIENAL DE LA REAL SOCIEDAD ESPAÑOLA DE QUÍMICA
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1992
    • [Lugar del congreso]: MÁLAGA

[Tesis dirigidas]

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    • CONTRIBUCIÓN AL ESTUDIO DE LA ESTRUCTURA DE DEFECTOS EN GAN HETEROEPITAXIAL MEDIANTE TÉCNICAS DE HACES DE ELECTRONES
    • [Autor]: ANA MARIA SANCHEZ FUENTES
    • [Fecha de lectura]: 19/10/2001
    • [Calificacion]: SOBRESALIENTE CUM LAUDE