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[Curriculum Vitae]

  • Foto
    • GONZÁLEZ ROBLEDO, DAVID
    • CIENCIAS
    • INVESTIGADOR DOCTOR
    • [Email]: david.gonzalez@uca.es
    • [Departamento]: CIENCIA DE LOS MATERIALES E INGENIERÍA METALÚRGICA Y QUÍMICA INORGÁNICA
    • [Centro]: ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERIA
    • [Telefono]: 956016352
    • [Fax]: 956016288

[Proyectos I+D dirigidos]

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    • APLICACIÓN DE LA MICROSCOPIA ELECTRÓNICA EN EL DESARROLLO DE NANOESTRUCTURAS SEMICONDUCTORAS DE ALTA CALIDAD: PUNTOS Y NANOHILOS CUÁNTICOS
    • [Programa]: PLAN NACIONAL I+D
    • [Fecha de inicio]: 1/1/2011
    • [Fecha de finalizacion]: 31/12/2013
    • DESARROLLO DE NANO ESTRUCTURAS DE IN(GA)N DE ALTA CALIDAD PARA APLICACIONES EN DISPOSITIVOS OPTO Y MCRO ELECTRÓNICOS.
    • [Programa]: PLAN NACIONAL I+D
    • [Fecha de inicio]: 1/10/2007
    • [Fecha de finalizacion]: 3/8/2010
    • DESARROLLO DE NANO ESTRUCTURAS DE IN(GA)N DE ALTA CALIDAD PARA APLICACIONES EN DISPOSITIVOS OPTO Y MCRO ELECTRÓNICOS.
    • [Programa]: PLAN NACIONAL I+D
    • [Fecha de inicio]: 1/10/2007
    • [Fecha de finalizacion]: 3/8/2010
    • EVALUACIÓN DEL IMPACTO DEL SUSTRATO SOBRE LA CALIDAD DE CAPAS DE INN PARA DISPOSITIVOS OPTOELECTRÓNICOS
    • [Programa]: PLAN NACIONAL I+D
    • [Fecha de inicio]: 13/12/2004
    • [Fecha de finalizacion]: 13/12/2007
    • INGENIERÍA DE ALEACIONES SEMICONDUCTORAS INGAAS(N) PARA APLICACIONES EN OPTOELECTRÓNICA.
    • [Programa]: PLAN NACIONAL I+D
    • [Fecha de inicio]: 28/12/2001
    • [Fecha de finalizacion]: 27/12/2004
    • LÁSERES SINTONIZABLES EN LA BANDA 1-1.3 MICRAS SOBRE SUSTRATOS GAAS (III) B.
    • [Programa]: PLAN NACIONAL I+D
    • [Fecha de inicio]: 1/12/1998
    • [Fecha de finalizacion]: 30/11/2001

[Participación Proyectos I+D]

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    • COST-MP0805: NOVEL GAIN MATERIALS AND DEVICES BASED ON III-V-N COMPOUNDS FP7: COST(EUROP.COOPER.SCI.&TECH.RES.)- MPNS(MATER., PHYS. AND NANOS.):ESF (EUROP.SCI.FOUND.)
    • [Programa]: PROGRAMA MARCO DE LA UE (VII)
    • [Fecha de inicio]: 24/11/2008
    • [Fecha de finalizacion]: 23/11/2012
    • PROGRAMME COST MP0805 ENTITLED NOVEL GAIN MATERIALS AND DEVICES BASED ON III-V-N COMPOUNDS
    • [Programa]: PROGRAMA MARCO DE LA UE (VII)
    • [Fecha de inicio]: 11/1/2009
    • [Fecha de finalizacion]: 23/11/2012
    • CONTRIBUCIÓN AL DESARROLLO DE NANOESTRUCTURAS SEMICONDUCTORAS DE INTERÉS PARA EL SECTOR.
    • [Programa]: JUNTA DE ANDALUCÍA. PROYECTOS DE EXCELENCIA
    • [Fecha de inicio]: 14/1/2009
    • [Fecha de finalizacion]: 13/1/2012
    • MEJORA DE LA TENACIDAD DE MATERIALES AERONAUTICOS: INTRUDCCIÓN DE NANOPARTICULAS EN RESINAS EPOXI DE POLIMEROS REFORZADOS (CFRP)
    • [Programa]: JUNTA DE ANDALUCÍA. PROYECTOS DE EXCELENCIA
    • [Fecha de inicio]: 19/12/2007
    • [Fecha de finalizacion]: 20/12/2011
    • DESARROLLO DE NANO ESTRUCTURAS DE IN(GA)N DE ALTA CALIDAD PARA APLICACIONES EN DISPOSITIVOS OPTO Y MCRO ELECTRÓNICOS.
    • [Programa]: PLAN NACIONAL I+D
    • [Fecha de inicio]: 1/10/2007
    • [Fecha de finalizacion]: 3/8/2010
    • REGLAS DE DISEÑO PARA LA INGENIERÍA DE NANOMATERIALES SEMICONDUCTORES AUTO-ENSAMBLADOS. ENTIDAD FINANCIADORA: JUNTA DE ANDALUCIA
    • [Programa]: JUNTA DE ANDALUCÍA
    • [Fecha de inicio]: 1/1/2006
    • [Fecha de finalizacion]: 31/12/2008
    • SELF-ASSEMBLED SEMICONDUCTOR NANOSTRUCTURES FOR NEW DEVICES IN PHOTONICS AND ELECTRONICS (SANDIE)
    • [Programa]: PROGRAMA MARCO DE LA UE (VI)
    • [Fecha de inicio]: 1/4/2004
    • [Fecha de finalizacion]: 31/3/2008
    • EVALUACIÓN DE LAS CONDICIONES DE CRECIMIENTO SOBRE LA CALIDAD ESTRUCTURAL DE CAPAS DE MGS
    • [Programa]: AGENCIA ESPAÑOLA DE COOPERACIÓN INTERNACIONAL (AECI)
    • [Fecha de inicio]: 1/1/2007
    • [Fecha de finalizacion]: 31/12/2007
    • EVALUACIÓN DEL IMPACTO DEL SUSTRATO SOBRE LA CALIDAD DE CAPAS DE INN PARA DISPOSITIVOS OPTOELECTRÓNICOS
    • [Programa]: PLAN NACIONAL I+D
    • [Fecha de inicio]: 13/12/2004
    • [Fecha de finalizacion]: 13/12/2007
    • DISEÑO Y CARACTERIZACIÓN NANO-ESTRUCTURAL DE MATERIALES SEMICONDUCTORES AUTO-ENSAMBLADOS
    • [Programa]: ACCIONES INTEGRADAS. PROGRAMA DE COOPERACIÓN INTERNACIONAL (MEC)
    • [Fecha de inicio]: 1/1/2004
    • [Fecha de finalizacion]: 31/12/2005
    • ACTUALIZACIÓN DE LOS MEDIOS INFORMÁTICOS Y LA FORMACIÓN NECESARIOS PARA LA INTERPRETACIÓN DE IMÁGENES DE MICROSCOPÍA ELECTRÓNICA DE MATERIALES
    • [Programa]: ACCIONES ESPECIALES. PROGRAMA DE COOPERACIÓN INTERNACIONAL (MEC)
    • [Fecha de inicio]: 11/6/2003
    • [Fecha de finalizacion]: 10/6/2004
    • MATERIALS AND DESIGN SCHEME FOR LONG WAVELENGTH OPTOELECTRONIC DEVICES ON GALLIUM ARSENIDE USING HIGH-INDEX SUBSTRATES
    • [Programa]: OTROS PROGRAMAS DEL MEC
    • [Fecha de inicio]: 1/5/2001
    • [Fecha de finalizacion]: 1/5/2002
    • LÁSERES SINTONIZABLES EN LA BANDA 1-1.3 MICRAS SOBRE SUSTRATOS GAAS (III) B.
    • [Programa]: PLAN NACIONAL I+D
    • [Fecha de inicio]: 1/12/1998
    • [Fecha de finalizacion]: 30/11/2001
    • DESARROLLO DE EXPERIMENTOS EBIC/CL-SEM Y DE OTRAS TÉCNICAS MEDIANTE ANÁLISIS CON HACES DE ELECTRONES PARA SU APLICACIÓN AL DISEÑO E INGENIERÍA DE NANO/HETEROESTRUCTURAS Y DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
    • [Programa]: PLAN NACIONAL I+D
    • [Fecha de inicio]: 1/5/1994
    • [Fecha de finalizacion]: 31/12/1997
    • BUFFER LAYER ENGINEERING IN SEMICONDUCTORS (BLES) ENTIDAD FINACIADORA : LA COMUNIDAD EUROPEA, PROGRAMA ESPRIT. ENTIDADES PARTICIPANTES: UPM, CNM, UCA, UNIV. LIVERPOOL, UNIV. SURVEY, NMRC
    • [Programa]: OTROS PROGRAMAS CON FINANCIACIÓN EUROPEA
    • [Fecha de inicio]: 1/7/1992
    • [Fecha de finalizacion]: 30/6/1995
    • NUEVAS PERSPECTIVAS DE LOS MÉTODOS DE VELOCIDAD DE REACCIÓN EN QUÍMICA ANALÍTICA
    • [Programa]: -- OTROS --
    • [Fecha de inicio]: 1/7/1988
    • [Fecha de finalizacion]: 1/7/1991

[Participación Contratos I+D]

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    • VALORACIÓN DEL PROTOCOLO DEL PROCESO DE INYECCIÓN POR MOLDE SOBRE LAS PROPIEDADES MECÁNICAS EN CIERTAS PARTES DE PIEZAS FABRICADAS EN PPE-PS
    • [Programa]: OTROS CONTRATOS (PÚBLICO)
    • [Fecha de inicio]: 1/6/2001
    • [Fecha de finalizacion]: 30/7/2001
    • MEDIDA DE DUREZA EN TORNILLOS SEGÚN NORMA ISO 898-1
    • [Programa]: OTROS CONTRATOS (PÚBLICO)
    • [Fecha de inicio]: 1/4/2000
    • [Fecha de finalizacion]: 30/4/2000
    • FRACTOGRAFÍA DE TORNILLOS DE ACEROS SAE 12L15 GALVANIZADOS Y CROMADOS
    • [Programa]: OTROS CONTRATOS (PÚBLICO)
    • [Fecha de inicio]: 1/6/1999
    • [Fecha de finalizacion]: 30/6/1999

[Capitulos de libros publicados]

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    • CRECIMIENTO DEL POLITIPO CÚBICO DE NITRURO DE INDIO (C-INN)
    • X CONGRESO NACIONAL DE MATERIALES:
    • [Pagina inicial]: 1
    • [Pagina final]: 4
    • [ISBN]: 978-84-608-07
    • [Editorial]: MONDRAGON UNIBERTSITATEKO ZERBITZU
    • [Año]: 2008
    • INFLUENCE OF THE GROWTH TEMPERATURE ON THE COMPOSITION FLUCTUATIONS OF GAINNAS/GAAS QUANTUM WELLS,
    • DILUTE III-V NITRIDE SEMICONDUCTORS AND MATERIAL SYSTEMS
    • [Pagina inicial]: 199
    • [Pagina final]: 221
    • [ISBN]: 978-3-540-745
    • [Editorial]: SPRINGER
    • [Año]: 2008
    • STRAIN RELIEF AND NUCLEATION MECHANISMS OF INN QUANTUM DOTS
    • QUANTUM DOTS: RESEARCH, TECHNOLOGY AND APPLICATIONS
    • [Pagina inicial]: 269
    • [Pagina final]: 300
    • [ISBN]: 978-1-60456-9
    • [Editorial]: NOVA SCIENCE PUBLISHERS
    • [Año]: 2008
    • PHASE MAPPING OF UNCAPPED INN QUANTUM DOTS
    • PROCEEDING OF 14TH EUROPEAN MICROSCOPY CONGRESS
    • [Pagina inicial]: 69
    • [Pagina final]: 70
    • [Editorial]: SPRINGER-VERLAG
    • [Año]: 2008
    • STUDY OF MICROSTRUCTURE AND STRAIN RELAXATION ON THIN INXGA1-XN EPILAYERS WITH MEDIUM AND HIGH IN CONTENTS
    • PROCEEDING OF 14TH EUROPEAN MICROSCOPY CONGRESS
    • [Pagina inicial]: 77
    • [Pagina final]: 78
    • [Editorial]: SPRINGER-VERLAG
    • [Año]: 2008
    • STRUCTURAL DEFECTS IN GAINNAS/GAAS QUANTUM WELLS STUDIED BY TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY
    • NITRIDES AND DILUTE NITRIDES: GROWTH, PHYSICS AND DEVICES
    • [Pagina inicial]: 1
    • [Pagina final]: 21
    • [ISBN]: 9788178952505
    • [Editorial]: TRANSWORLD RESEARCH NETWORK
    • [Año]: 2007
    • CARACTERIZACIÓN ESTRUCTURAL Y ÓPTICA DE POZOS CUÁNTICOS DE GAINNAS/GAAS(001)
    • ACTAS
    • [Pagina inicial]: 1295
    • [Pagina final]: 1300
    • [ISBN]: 84-9705-594-2
    • [Editorial]: EDITORIAL DE LA UNIVERSIDAD POLITÉCNICA DE VALENCIA
    • [Año]: 2004
    • FLUCTUACIONES DE COMPOSICIÓN EN POZOS CUÁNTICOS DE GAINNAAS/GAAS
    • ACTAS
    • [Pagina inicial]: 1301
    • [Pagina final]: 1306
    • [ISBN]: 84-9705-594-2
    • [Editorial]: EDITORIAL DE LA UNIVERSIDAD POLITÉCNICA DE VALENCIA
    • [Año]: 2004
    • EL EFECTO DE LA INTERACCIÓN ENTRE DISLOCACIONES EN EL RÉGIMEN DE ENDURECIMIENTO MECÁNICO DE CAPAS EPITAXIALES TENSADAS
    • PROPIEDADES MECÁNICAS DE SÓLIDOS
    • [Pagina inicial]: 619
    • [Pagina final]: 624
    • [ISBN]: 84-89349-59-2
    • [Editorial]: GIL MUR
    • [Año]: 1996
    • CARACTERIZACIÓN DE DEFECTOS PLANARES EN CAPAS EPITAXIALES DE GAAS CRECIDAS SOBRE SUBSTRATOS VECINALES DE SI
    • MICROLECTRONICA 92
    • [Pagina inicial]: 123
    • [Pagina final]: 126
    • [Editorial]: SERVICIO DE PUBLICACIONES DE LA UNIVERSIDAD DE CANTABRIA
    • [Año]: 1993

[Publicaciones en revistas]

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    • ANÁLISIS DE LA FORMACIÓN DE NANOHILOS DE GAN/ALN SIN CATALIZADOR MEDIANTE HRTEM, EDX Y EE
    • LIBRO DE PROCEEDINGS XI CONGRESO NACIONAL DE MATERIALES
    • [Año]: 2010
    • [Pagina inicial]: 436
    • [Pagina final]: 439
    • CARACTERIZACIÓN DE NANOHILOS DE ZNO CRECIDOS POR OXIDACIÓN DE UNA LÁMINA DE ZN METÁLICO SOBRE DIFERENTES SUSTRATOS: ESPECTROSCOPIA RAMAN Y LUMINISCENCIA
    • LIBRO DE PROCEEDINGS XI CONGRESO NACIONAL DE MATERIALES
    • [Año]: 2010
    • [Pagina inicial]: 440
    • [Pagina final]: 443
    • STRUCTURAL AND COMPOSITIONAL HOMOGENEITY OF INALN EPITAXIAL LAYERS NEARLY LATTICE-MATCHED TO GAN
    • ACTA MATERIALIA
    • [Año]: 2010
    • [Pagina inicial]: 4120
    • [Pagina final]: 4125
    • PHASE MAPPING OF AGING PROCESS IN INN NANOSTRUCTURES: OXYGEN INCORPORATION AND THE ROLE OF THE ZINC BLENDE PHASE
    • NANOTECHNOLOGY
    • [Año]: 2010
    • [Pagina inicial]: 185706
    • [Pagina final]: 185714
    • NATURAL OXIDATION OF INN QUANTUM DOTS: THE ROLE OF CUBIC INN
    • PHYSICA STATUS SOLIDI. C, CONFERENCES AND CRITICAL REVIEWS
    • [Año]: 2010
    • [Volumen]: 7
    • [Numero]: 1
    • [Pagina inicial]: 9
    • [Pagina final]: 12
    • EFECTO DE LA INCORPORACIÓN DE NITRÓGENO EN PUNTOS CUÁNTICOS ENTERRADOS DE IN(GA)AS CRECIDOS SOBRE GAAS
    • LIBRO DE PROCEEDINGS XI CONGRESO NACIONAL DE MATERIALES
    • [Año]: 2010
    • [Pagina inicial]: 809
    • [Pagina final]: 812
    • CRECIMIENTO DE NANOHILOS DE ZNO SOBRE DIFERENTES SUSTRATOS CRISTALINOS MEDIANTE OXIDACIÓN DE LÁMINAS DE ZN EN CONDICIONES AMBIENTALES
    • LIBRO DE PROCEEDINGS XI CONGRESO NACIONAL DE MATERIALES
    • [Año]: 2010
    • [Pagina inicial]: 420
    • [Pagina final]: 423
    • IDENTIFICATION OF III-N NANOWIRE GROWTH KINETICS VIA A MARKER TECHNIQUE
    • NANOTECHNOLOGY
    • [Año]: 2010
    • [Volumen]: 21
    • [Pagina inicial]: 295605(1)
    • [Pagina final]: 295605(4)
    • STRUCTURAL CHANGES DURING THE NATURAL AGING PROCESS OF INN QUANTUM DOTS
    • JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
    • [Año]: 2009
    • [Volumen]: 105
    • [Numero]: 1
    • [Pagina inicial]: 1
    • [Pagina final]: 6
    • DETERMINATION OF THE COMPOSITION OF INXGA1−XN FROM STRAIN MEASUREMENTS
    • ACTA MATERIALIA
    • [Año]: 2009
    • [Volumen]: 57
    • [Pagina inicial]: 5681
    • [Pagina final]: 5692
    • ATOMIC SCALE HIGH-ANGLE ANNULAR DARK FIELD STEM ANALYSIS OF THE N CONFIGURATION IN DILUTE NITRIDES OF GAAS
    • PHYSICAL REVIEW B
    • [Año]: 2009
    • [Volumen]: 80
    • [Pagina inicial]: 125211
    • [Pagina final]: 125223
    • HIGH RESOLUTION HAADF-STEM IMAGING ANALYSIS OF N RELATED DEFECTS IN GANAS QUANTUM WELLS
    • MICROSCOPY AND MICROANALYSIS
    • [Año]: 2008
    • [Volumen]: 14
    • [Numero]: SUPPL.
    • [Pagina inicial]: 318
    • [Pagina final]: 319
    • STUDY OF MICROSTRUCTURE AND STRAIN RELAXATION ON THIN INXGA1-XN EPILAYERS WITH MEDIUM AND HIGH IN CONTENTS
    • PROCEEDINGS OF THE 14TH EUROPEAN MICROSCOPY CONGRESS (EMC 2008)
    • [Año]: 2008
    • [Volumen]: 2
    • [Pagina inicial]: 77
    • [Pagina final]: 78
    • CRECIMIENTO DEL POLITIPO CÚBICO DE NITRURO DE INDIO (C-INN)
    • ACTAS DEL X CONGRESO NACIONAL DE MATERIALES
    • [Año]: 2008
    • [Volumen]: 2
    • [Pagina inicial]: 637
    • [Pagina final]: 640
    • INN/IN2O3 HETEROSTRUCTURES
    • PHYSICA STATUS SOLIDI. C, CONFERENCES AND CRITICAL REVIEWS
    • [Año]: 2008
    • [Volumen]: 5
    • [Numero]: 6
    • [Pagina inicial]: 1627
    • [Pagina final]: 1629
    • ELECTRONIC AND PHOTOCONDUCTIVE PROPERTIES OF ULTRATHIN INGAN PHOTODETECTORS
    • JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
    • [Año]: 2008
    • [Volumen]: 103
    • [Numero]: 7
    • [Pagina inicial]: 073715-1
    • [Pagina final]: 073715-7
    • STRUCTURE OF CUBIC POLYTYPE INDIUM NITRIDE LAYERS ON TOP OF MODIFIED SAPPHIRE SUBSTRATES
    • PHYSICA STATUS SOLIDI. C, CONFERENCES AND CRITICAL REVIEWS
    • [Año]: 2008
    • [Volumen]: 5
    • [Numero]: 2
    • [Pagina inicial]: 514
    • [Pagina final]: 517
    • ELECTRON TRANSPORT PROPERTIES OF INDIUM OXIDE ¿ INDIUM NITRIDE METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES
    • PHYSICA STATUS SOLIDI. C, CONFERENCES AND CRITICAL REVIEWS
    • [Año]: 2008
    • [Volumen]: 5
    • [Numero]: 2
    • [Pagina inicial]: 495
    • [Pagina final]: 498
    • EVALUATION OF THE INFLUENCE OF GAN AND ALN AS PSEUDOSUBSTRATES ON THE CRYSTALLINE QUALITY OF INN LAYERS
    • PHYSICA STATUS SOLIDI. C, CONFERENCES AND CRITICAL REVIEWS
    • [Año]: 2007
    • [Volumen]: 4
    • [Pagina inicial]: 1454
    • [Pagina final]: 1457
    • COALESCENCE ASPECTS OF III-NITRIDE EPITAXY
    • JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
    • [Año]: 2007
    • [Volumen]: 101
    • [Numero]: 5
    • [Pagina inicial]: 054906-1
    • [Pagina final]: 054906-12
    • STRAIN RELIEF ANALYSIS OF INN QUANTUM DOTS GROWN ON GAN
    • NANOSCALE RESEARCH LETTERS
    • [Año]: 2007
    • [Volumen]: 2
    • [Numero]: 9
    • [Pagina inicial]: 442
    • [Pagina final]: 446
    • CONFIGURATION OF THE MISFIT DISLOCATION NETWORKS IN UNCAPPED AND CAPPED INN QUANTUM DOTS
    • APPLIED PHYSICS LETTERS
    • [Año]: 2007
    • [Volumen]: 91
    • [Numero]: 7
    • [Pagina inicial]: 071915-1
    • [Pagina final]: 071915-3
    • CUBIC INN GROWTH ON SAPPHIRE (0001) USING CUBIC INDIUM OXIDE AS BUFFER LAYER
    • APPLIED PHYSICS LETTERS
    • [Año]: 2007
    • [Volumen]: 90
    • [Numero]: 9
    • [Pagina inicial]: 091901-1
    • [Pagina final]: 091901-3
    • KINETIC CONSIDERATIONS ON THE PHASE SEPARATION OF GIINNAS QUANTUM WELLS
    • PHYSICA STATUS SOLIDI. C, CONFERENCES AND CRITICAL REVIEWS
    • [Año]: 2007
    • [Volumen]: 4
    • [Pagina inicial]: 1477
    • [Pagina final]: 1480
    • STRAIN MAPPING AT THE ATOMIC SCALE IN HIGHLY MISMATCHED HETEROINTERFACES
    • ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS
    • [Año]: 2007
    • [Volumen]: 17
    • [Numero]: 14
    • [Pagina inicial]: 2588
    • [Pagina final]: 2593
    • EFFECT OF ISLAND COALESCENCE ON STRUCTURAL AND ELECTRICAL PROPERTIES OF INN THIN FILMS
    • JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
    • [Año]: 2007
    • [Volumen]: 300
    • [Numero]: 1
    • [Pagina inicial]: 50
    • [Pagina final]: 56
    • Z-CONTRAST IMAGING ANALYSIS OF SEMICONDUCTOR EPITAXIES: APPLICATION TO GANAS QUANTUM WELLS AND INAS/GAINAS/GAAS DOT IN WELL STRUCTURES
    • MICROSCOPY AND MICROANALYSIS
    • [Año]: 2007
    • [Volumen]: 2
    • [Numero]: 13
    • [Pagina inicial]: 664
    • [Pagina final]: 665
    • STRUCTURAL CHARACTERIZATION OF INN QUANTUM DOTS GROWN BY METALORGANIC VAPOUR PHASE EPITAXY
    • PHYSICA STATUS SOLIDI. C, CONFERENCES AND CRITICAL REVIEWS
    • [Año]: 2006
    • [Volumen]: 3
    • [Numero]: 6
    • [Pagina inicial]: 1687
    • [Pagina final]: 1690
    • ROLE OF ELASTIC ANISOTROPY IN THE VERTICAL ALIGNMENT OF IN(GA)AS QUANTUM DOT SUPERLATTICES
    • APPLIED PHYSICS LETTERS
    • [Año]: 2006
    • [Volumen]: 88
    • [Numero]: 19
    • [Pagina inicial]: 193118-1
    • [Pagina final]: 193118-3
    • EFFECT OF DISLOCATIONS ON ELECTRICAL AND ELECTRON TRANSPORT PROPERTIES OF INN THIN FILMS. I. STRAIN RELIEF AND FORMATION OF A DISLOCATION NETWORK
    • JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
    • [Año]: 2006
    • [Volumen]: 100
    • [Numero]: 9
    • [Pagina inicial]: 094902-1
    • [Pagina final]: 094902-13
    • CORRELATION BETWEEN STRUCTURAL AND ELECTRICAL PROPERTIES OF INN THIN FILMS PREPARED BY MOLECULAR BEAM EPITAXY
    • SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES
    • [Año]: 2006
    • [Volumen]: 40
    • [Numero]: 4-6 SPEC
    • [Pagina inicial]: 289
    • [Pagina final]: 294
    • EFFECT OF DISLOCATIONS ON ELECTRICAL AND ELECTRON TRANSPORT PROPERTIES OF INN THIN FILMS. II. DENSITY AND MOBILITY OF THE CARRIERS
    • JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
    • [Año]: 2006
    • [Volumen]: 100
    • [Numero]: 9
    • [Pagina inicial]: 094903-1
    • [Pagina final]: 094903-8
    • MISFIT RELAXATION OF INN QUANTUM DOTS: EFFECT OF THE GAN CAPPING LAYER
    • APPLIED PHYSICS LETTERS
    • [Año]: 2006
    • [Volumen]: 88
    • [Numero]: 15
    • [Pagina inicial]: 151913-1
    • [Pagina final]: 151913-3
    • STRUCTURAL AND OPTICAL PROPERTIES OF HIGH IN AND N CONTENT GAINNAS QUANTUM WELLS
    • THIN SOLID FILMS
    • [Año]: 2005
    • [Volumen]: 483
    • [Numero]: 1-2
    • [Pagina inicial]: 185
    • [Pagina final]: 190
    • EFFECT OF THE GROWTH PARAMETERS ON THE STRUCTURE AND MORPHOLOGY OF INAS/INGAAS/GAAS DWELL QUANTUM DOT STRUCTURES
    • JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
    • [Año]: 2005
    • [Volumen]: 278
    • [Numero]: 1-4
    • [Pagina inicial]: 151
    • [Pagina final]: 155
    • COMPOSITION MODULATION IN GAINNAS QUANTUM WELLS: COMPARISON OF EXPERIMENT AND THEORY
    • JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
    • [Año]: 2005
    • [Volumen]: 97
    • [Numero]: 7
    • UNFAULTING OF DISLOCATION LOOPS IN THE GAINNAS ALLOY: AN ESTIMATION OF THE STACKING FAULT ENERGY
    • JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
    • [Año]: 2005
    • [Volumen]: 98
    • [Numero]: 2
    • [Pagina inicial]: 023521-1
    • [Pagina final]: 023521-7
    • STRAIN INTERACTIONS AND DEFECT FORMATION IN STACKED INGAAS QUANTUM DOT AND DOT-IN-WELL STRUCTURES
    • PHYSICA E
    • [Año]: 2005
    • [Volumen]: 26
    • [Pagina inicial]: 245
    • [Pagina final]: 251
    • SPINODAL DECOMPOSITION IN GAINNAS/GAAS MULTI-QUANTUM WELLS
    • PHYSICA STATUS SOLIDI. C, CONFERENCES AND CRITICAL REVIEWS
    • [Año]: 2005
    • [Volumen]: 2
    • [Numero]: 4
    • [Pagina inicial]: 1292
    • [Pagina final]: 1297
    • EFFECT OF ANNEALING ON ANTICORRELATED INGAAS/GAAS QUANTUM DOTS
    • INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES
    • [Año]: 2005
    • [Pagina inicial]: 255
    • [Pagina final]: 258
    • VERTICAL CORRELATION-ANTICORRELATION TRANSITION IN INAS/GAAS QUANTUM DOT STRUCTURES GROWN BY MOLECULAR BEAM EPITAXY
    • INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES
    • [Año]: 2005
    • [Volumen]: 107
    • [Pagina inicial]: 251
    • [Pagina final]: 254
    • DEFECT GENERATION IN HIGH IN AND N CONTENT GAINNAS QUANTUM WELLS: UNFAULTING OF FRANK DISLOCATION LOOPS
    • INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES
    • [Año]: 2005
    • [Volumen]: 107
    • [Pagina inicial]: 139
    • [Pagina final]: 142
    • ACTIVATION ENERGY FOR SURFACE DIFUSSION IN GAINNAS QUANTUM WELLS
    • INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES
    • [Año]: 2005
    • [Volumen]: 107
    • [Pagina inicial]: 279
    • [Pagina final]: 282
    • INFLUENCE OF STRUCTURE AND DEFECTS ON THE PERFORMANCE OF DOT-IN-WELL LASER STRUCTURES
    • MICROELECTRONICS JOURNAL
    • [Año]: 2005
    • [Volumen]: 5840
    • [Pagina inicial]: 486
    • [Pagina final]: 497
    • NUCLEATION OF INN QUANTUM DOTS ON GAN BY METALORGANIC VAPOR PHASE EPITAXY
    • APPLIED PHYSICS LETTERS
    • [Año]: 2005
    • [Volumen]: 87
    • [Numero]: 26
    • [Pagina inicial]: 263104-1
    • [Pagina final]: 263104-3
    • CHARACTERIZATION OF STRUCTURE AND DEFECTS IN DOT-IN-WELL LASER STRUCTURES
    • MATERIALS SCIENCE & ENGINEERING: C, BIOMIMETIC MATERIALS, SENSORS AND SYSTEMS
    • [Año]: 2005
    • [Volumen]: 25
    • [Pagina inicial]: 793
    • [Pagina final]: 797
    • CRITICAL BARRIER THICKNESS FOR THE FORMATION OF INGAAS/GAAS QUANTUM DOTS
    • MATERIALS SCIENCE & ENGINEERING: C, BIOMIMETIC MATERIALS, SENSORS AND SYSTEMS
    • [Año]: 2005
    • [Volumen]: 25
    • [Pagina inicial]: 798
    • [Pagina final]: 803
    • AN APPROACH TO THE FORMATION MECHANISM OF THE COMPOSITION FLUCTUATION IN GAINNAS QUANTUM WELLS
    • SEMICONDUCTOR SCIENCE TECHNOLOGY
    • [Año]: 2005
    • [Volumen]: 20
    • [Numero]: 10
    • [Pagina inicial]: 1096
    • [Pagina final]: 1102
    • ESTUDIO DE CAPAS DE DESACOPLO DE INGAAS/GAAS(001) POR CRECIMIENTO COMBINADO DE MBE-ALMBE EN FORMA DINÁMICA Y ESCALONADA
    • BOLETIN DE LA SOCIEDAD ESPAÑOLA DE CERÁMICA Y VIDRIO
    • [Año]: 2004
    • [Volumen]: 43
    • [Numero]: 2
    • [Pagina inicial]: 373
    • [Pagina final]: 375
    • EPILAYER THICKNESS INFLUENCE ON COMPOSITION MODULATION OF LOW TEMPERATURE GROWN INGAAS/GAAS(001) LAYERS
    • JOURNAL OF OPTOELECTRONICS AND ADVANCED MATERIALS
    • [Año]: 2004
    • [Volumen]: 6
    • [Numero]: 3
    • [Pagina inicial]: 805
    • [Pagina final]: 810
    • COMPOSITION MODULATION IN LOW TEMPERATURE GROWTH OF INGAAS/GAAS SYSTEM: INFLUENCE ON PLASTIC RELAXATION
    • MICROCHIMICA ACTA
    • [Año]: 2004
    • [Volumen]: 145
    • [Numero]: 1-4
    • [Pagina inicial]: 63
    • [Pagina final]: 66
    • COMPOSITION FLUCTUATIONS IN GAINNAS MULTI-QUANTUM WELLS
    • IEE PROCEEDINGS-OPTOELECTRONICS
    • [Año]: 2004
    • [Volumen]: 151
    • [Numero]: 5
    • [Pagina inicial]: 271
    • [Pagina final]: 274
    • IMPROVEMENT IN THE OPTICAL QUALITY OF GAINNAS/GAINAS QUANTUM WELL STRUCTURES BY INTERFACIAL STRAIN REDUCTION
    • IEE PROCEEDINGS-OPTOELECTRONICS
    • [Año]: 2004
    • [Volumen]: 151
    • [Numero]: 5
    • [Pagina inicial]: 301
    • [Pagina final]: 304
    • INFLUENCE OF GROWTH TEMPERATURE ON THE STRUCTURAL AND OPTICAL QUALITY OF GAINNAS/GAAS MULTI-QUANTUM WELLS
    • SEMICONDUCTOR SCIENCE TECHNOLOGY
    • [Año]: 2004
    • [Volumen]: 19
    • [Numero]: 7
    • [Pagina inicial]: 813
    • [Pagina final]: 818
    • STRUCTURAL DEFECTS CHARACTERISATION OF GAINNAS MQWS BY TEM AND PL
    • IEE PROCEEDINGS-OPTOELECTRONICS
    • [Año]: 2004
    • [Volumen]: 151
    • [Numero]: 5
    • [Pagina inicial]: 385
    • [Pagina final]: 388
    • COMPOSITION MODULATION AND GROWTH-ASSOCIATED DEFECTS IN GAINNAS/GAAS MULTI QUANTUM WELLS
    • INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES
    • [Año]: 2004
    • [Numero]: 179
    • [Pagina inicial]: 103
    • [Pagina final]: 106
    • INHIBICIÓN DE LA RELAJACIÓN PLÁSTICA EN HETEROESTRUCTURAS INGAAS/GAAS(001) CRECIDAS A BAJA TEMPERATURA
    • BOLETIN DE LA SOCIEDAD ESPAÑOLA DE CERÁMICA Y VIDRIO
    • [Año]: 2004
    • [Volumen]: 43
    • [Numero]: 2
    • [Pagina inicial]: 376
    • [Pagina final]: 378
    • THICKNESS INFLUENCE ON SPINODAL DECOMPOSITION IN IN0.2GA0.8AS/GAAS LOW TEMPERATURE GROWTH
    • INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES
    • [Año]: 2003
    • [Numero]: 180
    • [Pagina inicial]: 213
    • [Pagina final]: 216
    • CHARACTERIZATION OF INGAAS (N)/GAASN MULTI-QUANTUM WELLS USING TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY
    • INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES
    • [Año]: 2003
    • [Numero]: 180
    • [Pagina inicial]: 143
    • [Pagina final]: 146
    • ANOMALOUS RELAXATION IN COMBINED LOW AND HIGH TEMPERATURE GROWTH OF INGAAS/GAAS EPILAYERS
    • INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES
    • [Año]: 2003
    • [Numero]: 180
    • [Pagina inicial]: 199
    • [Pagina final]: 202
    • RELAXATION STUDY OF ALGAAS CLADDING LAYERS IN INGAAS/GAAS (111)B LASERS DESIGNED FOR 1.0-1.1 [MU]M OPERATION
    • MICROELECTRONICS JOURNAL
    • [Año]: 2002
    • [Volumen]: 33
    • [Numero]: 7
    • [Pagina inicial]: 553
    • [Pagina final]: 557
    • THE ROLE OF CLIMB AND GLIDE IN MISFIT RELIEF OF INGAAS/GAAS(111)B HETEROSTRUCTURES
    • MICROELECTRONICS JOURNAL
    • [Año]: 2002
    • [Volumen]: 33
    • [Numero]: 7
    • [Pagina inicial]: 559
    • [Pagina final]: 563
    • STRAIN RELAXATION BEHAVIOR OF INXGA1-XAS QUANTUM WELLS ON VICINAL GAAS (111)B SUBSTRATES
    • APPLIED PHYSICS LETTERS
    • [Año]: 2002
    • [Volumen]: 80
    • [Numero]: 9
    • [Pagina inicial]: 1541
    • [Pagina final]: 1543
    • EFFECT OF GRADED BUFFER DESIGN ON THE DEFECT STRUCTURE IN INGAAS/GAAS (111)B HETEROSTRUCTURES
    • MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -ADVANCED FUNCTIONAL SOLID-STATE MATERIALS
    • [Año]: 2001
    • [Volumen]: 80
    • [Numero]: 1-3
    • [Pagina inicial]: 27
    • [Pagina final]: 31
    • EFFECT OF INDIUM CONTENT ON THE NORMAL-INCIDENT PHOTORESPONSE OF INGAAS/GAAS QUANTUM-WELL INFRARED PHOTODETECTORS
    • APPLIED PHYSICS LETTERS
    • [Año]: 2001
    • [Volumen]: 78
    • [Numero]: 16
    • [Pagina inicial]: 2390
    • [Pagina final]: 2392
    • STRAIN RELAXATION BEHAVIOUR IN INXGA1-XAS QUANTUM WELLS ON MISORIENTATED GAAS (111)B SUBSTRATES
    • INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES
    • [Año]: 2001
    • [Numero]: 169
    • [Pagina inicial]: 137
    • [Pagina final]: 140
    • BARRIER THICKNESS INFLUENCE ON PLASTIC RELAXATION IN (111)B MISORIENTED INGAAS/GAAS DOUBLE QUANTUM WELLS
    • INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES
    • [Año]: 2001
    • [Numero]: 169
    • [Pagina inicial]: 133
    • [Pagina final]: 136
    • ESPESORES CRÍTICOS DE RELAJACIÓN EN POZOS CUÁNTICOS DE INGA / GAAS SOBRE SUSTRATOS DE GAAS (001) Y (111)B.
    • BOLETIN DE LA SOCIEDAD ESPAÑOLA DE CERÁMICA Y VIDRIO
    • [Año]: 2000
    • [Volumen]: 39
    • [Numero]: 4
    • [Pagina inicial]: 482
    • [Pagina final]: 486
    • CONTROL OF PHASE MODULATION IN INGAAS EPILAYERS
    • APPLIED PHYSICS LETTERS
    • [Año]: 2000
    • [Volumen]: 76
    • [Numero]: 22
    • [Pagina inicial]: 3236
    • [Pagina final]: 3238
    • RELAXATION STUDY OF INXGA1-XAS/GAAS QUANTUM-WELL STRUCTURES GROWN BY MBE ON (001) AND (111)B GAAS FOR LONG WAVELENGTH APPLICATIONS
    • JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
    • [Año]: 1999
    • [Volumen]: 206
    • [Numero]: 4
    • [Pagina inicial]: 287
    • [Pagina final]: 293
    • STUDY OF THE RELAXATION IN INGAASSQW GROWN ON (111)B SUBSTRATES
    • INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES
    • [Año]: 1999
    • [Numero]: 164
    • [Pagina inicial]: 223
    • [Pagina final]: 226
    • INFLUENCE OF SUBSTRATE MISORIENTATION ON THE OPTICAL AND STRUCTURAL PROPERTIES OF INGAAS/GAAS SINGLE STRAINED QUANTUM WELLS GROWN ON (111)B GAAS BY MOLECULAR BEAM EPITAXY
    • MICROELECTRONICS JOURNAL
    • [Año]: 1999
    • [Volumen]: 30
    • [Numero]: 4-5
    • [Pagina inicial]: 373
    • [Pagina final]: 378
    • NEW RELAXATION MECHANISMS IN INGAAS/GAAS (111) MULTIPLE QUANTUM WELL
    • MICROELECTRONICS JOURNAL
    • [Año]: 1999
    • [Volumen]: 30
    • [Pagina inicial]: 467
    • [Pagina final]: 470
    • CATHODOLUMINESCENCE STUDY OF PYRAMIDAL FACETS IN PIEZOELECTRIC INGAAS/GAAS MULTIPLE QUANTUM WELL PIN PHOTODIODES
    • MICROELECTRONICS JOURNAL
    • [Año]: 1999
    • [Volumen]: 30
    • [Numero]: 4-5
    • [Pagina inicial]: 427
    • [Pagina final]: 431
    • EFFECT OF IN-CONTENT ON THE MISFIT DISLOCATION INTERACTION IN INGAAS GAAS LAYERS
    • THIN SOLID FILMS
    • [Año]: 1999
    • [Volumen]: 344
    • [Pagina inicial]: 302
    • [Pagina final]: 304
    • INFLUENCE OF SUBSTRATE MISORIENTATION ON THE STRUCTURAL CHARACTERISTICS OF INGAAS GAAS MQW ON (111)B GAAS GROWN BY MBE
    • THIN SOLID FILMS
    • [Año]: 1999
    • [Volumen]: 344
    • [Pagina inicial]: 558
    • [Pagina final]: 561
    • OPTICAL PROPERTIES OF INXGA1-XAS/GAAS MQW STRUCTURES ON (111)B GAAS GROWN BY MBE: DEPENDENCE ON SUBSTRATE MISCUT
    • JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
    • [Año]: 1999
    • [Volumen]: 202
    • [Pagina inicial]: 1085
    • [Pagina final]: 1088
    • GROWTH RATE AND CRITICAL TEMPERATURES TO AVOID THE MODULATION OF COMPOSITION OF INGAAS EPITAXIAL LAYERS
    • APPLIED PHYSICS LETTERS
    • [Año]: 1999
    • [Volumen]: 74
    • [Numero]: 18
    • [Pagina inicial]: 2649
    • [Pagina final]: 2651
    • CRITICAL THICKNESS FOR THE SATURATION STATE OF STRAIN RELAXATION IN THE INGAAS/GAAS SYSTEMS
    • APPLIED PHYSICS LETTERS
    • [Año]: 1998
    • [Volumen]: 72
    • [Numero]: 15
    • [Pagina inicial]: 1875
    • [Pagina final]: 1877
    • INFLUENCE OF INTERFACE DISLOCATIONS ON SURFACE KINETICS DURING EPITAXIAL GROWTH OF INGAAS
    • APPLIED SURFACE SCIENCE
    • [Año]: 1998
    • [Volumen]: 123-124
    • [Pagina inicial]: 303
    • [Pagina final]: 307
    • WORK-HARDENING EFFECTS IN THE LATTICE RELAXATION OF SINGLE LAYER HETEROSTRUCTURES
    • APPLIED PHYSICS LETTERS
    • [Año]: 1997
    • [Volumen]: 71
    • [Numero]: 17
    • [Pagina inicial]: 2475
    • [Pagina final]: 2477
    • WORK-HARDENING BASED MODEL OF THE STRAIN RELIEF IN MULTILAYER GRADED-BUFFER STRUCTURES
    • APPLIED PHYSICS LETTERS
    • [Año]: 1997
    • [Volumen]: 71
    • [Numero]: 21
    • [Pagina inicial]: 3099
    • [Pagina final]: 3101
    • ADVANTAGES OF THIN INTERFACES IN STEP-GRADED BUFFER STRUCTURES
    • MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -ADVANCED FUNCTIONAL SOLID-STATE MATERIALS
    • [Año]: 1997
    • [Volumen]: 44
    • [Numero]: 1-3
    • [Pagina inicial]: 41
    • [Pagina final]: 45
    • EBIC AND TEM INVESTIGATIONS OF LASER HETEROSTRUCTURES GROWN ON LINEARLY-GRADED AND STEP-GRADED BUFFER LAYERS
    • INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES
    • [Año]: 1997
    • [Numero]: 157
    • [Pagina inicial]: 547
    • [Pagina final]: 550
    • COMPARISON OF THE CRYSTALLINE QUALITY OF STEP-GRADED AND CONTINUOUSLY GRADED INGAAS BUFFER LAYERS
    • JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
    • [Año]: 1996
    • [Volumen]: 169
    • [Numero]: 4
    • [Pagina inicial]: 649
    • [Pagina final]: 659
    • DISLOCATION BEHAVIOR IN INGAAS STEP-GRADED AND ALTERNATING STEP-GRADED STRUCTURES - DESIGN RULES FOR BUFFER FABRICATION
    • APPLIED PHYSICS LETTERS
    • [Año]: 1995
    • [Volumen]: 67
    • [Numero]: 24
    • [Pagina inicial]: 3632
    • [Pagina final]: 3634
    • STRAIN RELAXATION IN STEP AND LINEARLY-GRADED INGAAS BUFFER LAYERS ON (001)GAAS
    • INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES
    • [Año]: 1995
    • [Volumen]: 146
    • [Pagina inicial]: 211
    • [Pagina final]: 214
    • STEP-GRADED BUFFER LAYER STUDY OF THE STRAIN RELAXATION BY TRANSMISSION ELECTRON-MICROSCOPY
    • MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -ADVANCED FUNCTIONAL SOLID-STATE MATERIALS
    • [Año]: 1994
    • [Volumen]: 28
    • [Numero]: 1-3
    • [Pagina inicial]: 497
    • [Pagina final]: 501
    • TRANSMISSION ELECTRON-MICROSCOPY STUDY OF INXGA1-XAS/GAAS MULTILAYER BUFFER STRUCTURES USED AS DISLOCATION FILTERS
    • MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -ADVANCED FUNCTIONAL SOLID-STATE MATERIALS
    • [Año]: 1994
    • [Volumen]: 28
    • [Numero]: 1-3
    • [Pagina inicial]: 515
    • [Pagina final]: 519
    • TEM AND PL STUDY OF STRAIN RELAXATION IN INGAAS/GAAS MQW STRUCTURES
    • INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES
    • [Año]: 1993
    • [Numero]: 138
    • [Pagina inicial]: 313
    • [Pagina final]: 316
    • DETERMINATION OF HYPOCHLORITE IN WATERS BY STOPPED-FLOW CHEMILUMINESCENCE SPECTROMETRY
    • ANALYTICA CHIMICA ACTA
    • [Año]: 1990
    • [Volumen]: 228
    • [Numero]: 1
    • [Pagina inicial]: 125
    • [Pagina final]: 129
    • PERFORMANCE OF THE STOPPED-FLOW TECHNIQUE IN CHEMILUMINESCENCE SPECTROMETRY BASED ON DIRECT RATE MEASUREMENTS
    • ANALYTICA CHIMICA ACTA
    • [Año]: 1989
    • [Volumen]: 217
    • [Numero]: 1
    • [Pagina inicial]: 239
    • [Pagina final]: 248

[Aportaciones a congresos]

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    • EFFECTS OF THE NITROGEN INCORPORATION IN THE OPTICAL AND STRUCTURAL CHARACTERISTICS OF NITROGEN-DILUTE INASN QDS
    • [Tipo de participacion]: CARTEL
    • [Anio de celebracion]: 2010
    • [Lugar del congreso]: ESTRASBURGO (FRANCIA)
    • STUDY OF THE ROLE OF CD/TE INCORPORATION IN ZNO NANOWIRES GROWN ON CDTE SUBSTRATES BY OXIDATION OF ZN METAL FILMS AT LOW TEMPERATURES
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2010
    • [Lugar del congreso]: RIO DE JANIERO, BRASIL
    • CARACTERIZACIÓN DE NANOHILOS DE ZNO CRECIDOS POR OXIDACIÓN DE UNA LÁMINA DE ZN METÁLICO SOBRE DIFERENTES SUSTRATOS: ESPECTROSCOPIA RAMAN Y LUMINISCENCIA
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2010
    • [Lugar del congreso]: ZARAGOZA
    • CRECIMIENTO DE NANOHILOS DE ZNO SOBRE DIFERENTES SUSTRATOS CRISTALINOS MEDIANTE OXIDACION DE LAMINAS DE ZN EN CONDICIONES AMBIENTALES
    • [Tipo de participacion]: CONFERENCIA
    • [Anio de celebracion]: 2010
    • [Lugar del congreso]: ZARAGOZA
    • ANALISIS DE LA ESTRUCTURA Y COMPOSICIÓN DE NANOHILOS DE ZNO CRECIDOS POR OXIDACIÓN TÉRMICA
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2010
    • [Lugar del congreso]: ZARAGOZA
    • TEM STUDY OF THE MECHANISM FOR THE GROWTH OF UNIFORM ZNO NANOROD ARRAYS USING A SUBSTRATE INDEPENDENT THREE-STEP PROCESS
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2010
    • [Lugar del congreso]: RIO DE JANIERO, BRASIL
    • ANÁLISIS DE LA FORMACIÓN DE NANOHILOS DE GAN/ALN SIN CATALIZADOR MEDIANTE HRTEM, EDX Y EELS
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2010
    • [Lugar del congreso]: ZARAGOZA
    • EFECTO DE LA INCORPORACIÓN DE NITRÓGENO EN PUNTOS CUÁNTICOS ENTERRADOS DE IN(GA)AS CRECIDOS SOBRE GAAS.
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2010
    • [Lugar del congreso]: ZARAGOZA
    • STRUCTURAL CHARACTERIZATION OF HIGH-QUALITY SINGLE PHASE INALN LAYERS LATTICE MATCHED TO GAN
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2009
    • [Lugar del congreso]: ESTRASBURGO
    • PHASE MAPPING OF NATURALLY AGED UNCAPPED INN QUANTUM DOTS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2009
    • [Lugar del congreso]: SEGOVIA
    • THIN FILMS OF INALN TERNARY ALLOYS PSEUDOAMORPHICALLY GROWN ON GAN/SAPPHIRE
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2009
    • [Lugar del congreso]: SEGOVIA
    • INALN NANOLAYERS LATTICE-MATCHED TO GAN FOR PHOTONIC USES
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2009
    • [Lugar del congreso]: DELPHI (GRECIA)
    • DETERMINATION OF THE COMPOSITION OF INXGA'_XN FROM STRAIN MEASUREMENTS AND ITS CRITICALLAYER THICKNESS ON GAN
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2009
    • [Lugar del congreso]: DELPHI (GRECIA)
    • THE CRITICAL COMPOSITION THICKNESS OF 25 NM THICK INGAN EPILAYERS ON GAN
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2009
    • [Lugar del congreso]: ESTRASBURGO
    • NATURAL OXIDATION OF INN QUANTUM DOTS: THE ROLE OF CUBIC INN
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2009
    • [Lugar del congreso]: ESTRASBURGO
    • DETERMINATION OF THE INGAN COMPOSITION FROM STRAIN MEASUREMENTS
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2008
    • [Lugar del congreso]: BOSTON (USA)
    • STUDY OF MICROSTRUCTURE AND LATTICE RELAXATION ON THIN INXGA1-XN EPILAYERS FOR THE RANGE OF MEDIUM AND HIGH CONCENTRATIONS OF IN (0.4<X<0.8)
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2008
    • [Lugar del congreso]: LAFORET SHUZENJI, IZU, JAPÓN
    • STRUCTURE, RELAXATION STATE AND ELASTIC BEHAVIOUR OF INGAN IN THE COMPLETE RANGE OF IN CONCENTRATION
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2008
    • [Lugar del congreso]: TOLEDO, ESPAÑA
    • STUDY OF MICROSTRUCTURE AND STRAIN RELAXATION ON THIN INGAN EPILAYERS WITH MEDIUM AND HIGH IN CONTENTS
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2008
    • [Lugar del congreso]: AQUISGRÁN (ALEMANIA)
    • PHASE MAPPING OF UNCAPPED INN QUANTUM DOTS
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2008
    • [Lugar del congreso]: AQUISGRÁN (ALEMANIA)
    • RELAJACIÓN Y CONFIGURACIÓN DE LAS REDES DE DISLOCACIONES DE DESAJUSTE EN PUNTOS CUÁNTICOS DE INN
    • [Tipo de participacion]: PONENCIA
    • [Anio de celebracion]: 2008
    • [Lugar del congreso]: SAN SEBASTIÁN
    • GROWTH OF CUBIC INDIUM NITRIDE LAYERS ON INDIUM OXIDE/SAPPHIRE PSEUDOSUBSTRATES
    • [Tipo de participacion]: CONFERENCIA
    • [Anio de celebracion]: 2007
    • [Lugar del congreso]: ESTRASBURGO, FRANCIA
    • ELECTRON TRANSPORT PROPERTIES OF INDIUM OXIDE/INDIUM NITRIDE METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES
    • [Tipo de participacion]: CONFERENCIA
    • [Anio de celebracion]: 2007
    • [Lugar del congreso]: ESTRASBURGO, FRANCIA
    • ATOMIC SCALE ANALYSIS OF N DISTRIBUTION IN GANAS QUANTUM WELLS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2007
    • [Lugar del congreso]: SAN FRANCISCO
    • CHARACTERIZATION OF THE MISFIT DISLOCATION NETWORKS IN INN QUANTUM DOTS GROWN ON GAN
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2007
    • [Lugar del congreso]: CARRÈ DES SCIENCES - PARIS - FRANCE
    • HIGH RESOLUTION HAADF-STEM ANALYSIS OF N-DOPED GAAS QUANTUM WELLS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2007
    • [Lugar del congreso]: CUSCO (PERU)
    • ATOMIC SCALE Z CONTRAST IMAGING STUDY OF N DISTRIBUTION IN GAASN QUANTUM WELLS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2007
    • [Lugar del congreso]: BOSTON (USA)
    • EPITAXY OF INN/IN2O3 HETEROSTRUCTURES
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2007
    • [Lugar del congreso]: LAS VEGAS, NEVADA, ESTADOS UNIDOS
    • STRAIN RELIEF ANALYSIS OF INN QUANTUM DOTS GROWN ON GAN
    • [Tipo de participacion]: CONFERENCIA
    • [Anio de celebracion]: 2007
    • [Lugar del congreso]: FAYETTEVILLE, ARKANSAS, USA
    • MISFIT RELAXATION AND NUCLEATION MECHANISMS OF INN QUANTUM DOTS
    • [Tipo de participacion]: CONFERENCIA
    • [Anio de celebracion]: 2007
    • [Lugar del congreso]: SAN FRANCISCO, EEUU
    • EFECTO DE LAS CAPAS INTERMEDIAS EN LA ESTRUCTURA DEL INN CRECIDO SOBRE ZAFIRO
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2007
    • [Lugar del congreso]: BILBAO (ESPAÑA)
    • NUCLEATION OF INN QUANTUM DOTS ON TOP OF PURE EDGE THREADING DISLOCATIONS IN GAN
    • [Tipo de participacion]: CONFERENCIA
    • [Anio de celebracion]: 2006
    • [Lugar del congreso]: CADIZ (SPAIN)
    • Z-CONTRAST IMAGING ANALYSIS OF SEMICONDUCTOR EPITAXIES: APPLICATION TO GANAS QUANTUM WELLS AND INAS/GAINAS/GAAS DOT IN WELL STRUCTURES
    • [Tipo de participacion]: PONENCIA
    • [Anio de celebracion]: 2006
    • [Lugar del congreso]: FORT LAUDERALE, FLORIDA (US)
    • STRAIN RELIEF AND FORMATION OF A DISLOCATION NETWORK IN INN THIN FILMS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2006
    • [Lugar del congreso]: LINKÖPING (SWEDEN)
    • STRUCTURAL AND MORPHOLOGICAL ASPECTS OF CAPPED AND UNCAPPED INN QUANTUM DOTS
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2006
    • [Lugar del congreso]: SAPPORO, JAPAN
    • PHASE SEPARATION IN GAINNAS QUANTUM WELLS STUDIED BY ELECTRON MICROSCOPY TECHNIQUES
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2006
    • [Lugar del congreso]: SAPPORO, JAPAN
    • ESTUDIO DE LA MORFOLOGÍA Y ESTADO DE RELAJACIÓN DE PUNTOS CUÁNTICOS DE INN: EFECTO DEL RECUBRIMIENTO DE GAN A BAJA TEMPERATURA
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2006
    • [Lugar del congreso]: VIGO, ESPAÑA
    • KINETICS OF THE PHASE SEPARATION IN GA0.65IN0,35N0.023AS/GAAS QUANTUM WELLS
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2006
    • [Lugar del congreso]: CADIZ (SPAIN)
    • CHARACTERISATION OF DEFECTS AND THEIR EFFECT ON THE PERFORMANCE OF MULTILAYER INGAAS QUANTUM DOT LASERS
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2006
    • [Lugar del congreso]: CADIZ (SPAIN)
    • STRAIN-ENGINEERED INGAAS QUANTUM DOT STRUCTURES FOR LONG WAVELENGTH EMISSION
    • [Tipo de participacion]: CONFERENCIA
    • [Anio de celebracion]: 2006
    • [Lugar del congreso]: CADIZ (SPAIN)
    • EVALUATION OF THE INFLUENCE OF GAN AND ALN AS PSEUDOSUBSTRATES ON THE CRYSTALLINE QUALITY OF INN LAYERS
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2006
    • [Lugar del congreso]: CADIZ (SPAIN)
    • EFFECT OF ANNEALING ON ANTICORRELATED INGAAS/GAAS QUANTUM DOTS
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2005
    • [Lugar del congreso]: OXFORD, REINO UNIDO
    • ACTIVATION ENERGY FOR SURFACE DIFFUSION IN GAINNAS QUANTUM WELLS
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2005
    • [Lugar del congreso]: OXFORD, REINO UNIDO
    • DEFECT GENERATION IN HIGH IN AND N CONTENT GAINNAS QUANTUM WELLS: UNFAULTING OF FRANK DISLOCATION LOOPS
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2005
    • [Lugar del congreso]: OXFORD, REINO UNIDO
    • VERTICAL CORRELATION-ANTICORRELATION TRANSITION IN INAS/GAAS QUANTUM DOT STRUCTURES GROWN BY MOLECULAR BEAM EPITAXY
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2005
    • [Lugar del congreso]: OXFORD, REINO UNIDO
    • ENERGÍA DE ACTIVACIÓN PARA LA DIFUSIÓN EN POZOS CUÁNTICOS DE GAINNAS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2005
    • [Lugar del congreso]: GRANADA, ESPAÑA
    • ANÁLISIS ESTRUCTURAL DE PUNTOS CUÁNTICOS DE INN
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2005
    • [Lugar del congreso]: GRANADA, ESPAÑA
    • OPTIMISATION OF PLASMA NITROGEN MOLECULAR BEAM EPITAXY GROWTH FOR IMPROVED OPTICAL QUALITY GAINNAS QUANTUM WELL STRUCTURES
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2005
    • [Lugar del congreso]: CARDIFF, WALES
    • STRUCTURAL CHARACTERIZATION OF INN QUANTUM DOTS GROWN BY METALORGANIC VAPOUR PHASE EPITAXY
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2005
    • [Lugar del congreso]: BREMEN (ALEMANIA)
    • EFFECT OF LOW TEMPERATURE GAN CAPPING LAYER ON THE MORPHOLOGY OF INN QDS
    • [Tipo de participacion]: TALLER DE TRABAJO
    • [Anio de celebracion]: 2005
    • [Lugar del congreso]: EINDHOVEN, HOLANDA
    • EXPERIMENTAL EVIDENCE OF ANISOTROPY EFFECTS IN INAS/GAAS QUANTUM DOT STRUCTURES GROWTH BY MOLECULAR BEAM EPITAXY
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2005
    • [Lugar del congreso]: GRINDELWALD, SUIZA
    • INFLUENCE OF STRUCTURE AND DEFECTS ON THE PERFORMANCE OF DOT-IN-WELL LASER STRUCTURES
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2005
    • [Lugar del congreso]: SEVILLA, ESPAÑA
    • COMPOSITION MODULATION AND GROWTH-ASSOCIATED DEFECTS IN GAINNAS/GAAS MULTI QUANTUM WELLS
    • ELECTRON MICROSCOPY AND ANALYSIS GROUP CONFERENCE
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2004
    • [Lugar del congreso]: OXFORD, REINO UNIDO
    • COMPOSITION MODULATION AND GROWTH-ASSOCIATED DEFECTS IN INGAASN/GAAS MULTI QUANTUM WELLS
    • ELECTRON MICROSCOPY AND ANALYSIS GROUP CONFERENCE
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2004
    • [Lugar del congreso]: OXFORD, REINO UNIDO
    • CHARACTERIZATION OF STRUCTURE AND DEFECTS IN DOT-IN-WELL LASER STRUCTURES
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2004
    • [Lugar del congreso]: STRASBOURG (FRANCIA)
    • FLUCTUACIONES DE COMPOSICIÓN EN DE POZOS CUÁNTICOS DE GAINASN/GAAS
    • [Tipo de participacion]: CONFERENCIA
    • [Anio de celebracion]: 2004
    • [Lugar del congreso]: VALENCIA, ESPAÑA
    • CARACTERIZACIÓN ESTRUCTURAL Y ÓPTICA DE POZOS CUÁNTICOS DE GAINASN/GAAS(001)
    • [Tipo de participacion]: CONFERENCIA
    • [Anio de celebracion]: 2004
    • [Lugar del congreso]: VALENCIA, ESPAÑA
    • GROWTH TEMPERATURE EFFECT ON THE PHASE SEPARATION OF INGAASN QWS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2004
    • [Lugar del congreso]: MONTPELLIER, FRANCIA
    • 1.34 MM GAINNAS/GAINNAS MULTI QUANTUM WELL LASER
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2004
    • [Lugar del congreso]: CARDIFF
    • STRAIN INTERACTIONS AND DEFECT FORMATION IN STACKED INGAAS QUANTUM DOT AND DOT-IN-WELL STRUCTURES
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2004
    • [Lugar del congreso]: BANFF, CANADA
    • STRUCTURAL DEFECTS CHARACTERIZATION OF GAINNAS MQWS BY TEM AND PL
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2004
    • [Lugar del congreso]: STRASBOURG (FRANCIA)
    • STRAIN INTERACTIONS AND DEFECT FORMATION IN STACKED INGAAS QUANTUM DOT AND DOT-IN-WELL STRUCTURES
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2004
    • [Lugar del congreso]: BANFF, CANADA
    • COMPOSITION FLUCTUATIONS IN GAINNAS MULTI-QUANTUM WELLS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2004
    • [Lugar del congreso]: STRASBOURG (FRANCIA)
    • EFFECT OF THE GROWTH PARAMETERS ON THE STRUCTURE AND MORPHOLOGY OF INAS/INGAAS/GAAS DWELL QUNTUM DOT STRUCTURES
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2004
    • [Lugar del congreso]: EDINBURGH, REINO UNIDO
    • CRITICAL BARRIER THICKNESS FOR THE FORMATION OF INGAAS/GAAS QUANTUM DOTS
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2004
    • [Lugar del congreso]: STRASBOURG (FRANCIA)
    • STRAIN INTERACTIONS AND DEFECT FORMATION IN STACKED INGAAS QUANTUM DOT AND DOT-IN-WELL STRUCTURES
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2004
    • [Lugar del congreso]: BANFF, CANADA
    • CRITICAL THICKNESS FOR COMPOSITION MODULATION IN LOW TEMPERATURE
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2003
    • [Lugar del congreso]: BOSTON, ESTADOS UNIDOS
    • COMPOSITION MODULATION IN LOW-TEMPERATURE GROWTH OF INGAAS/GAAS SYSTEM: INFLUENCE ON PLASTIC RELAXATION
    • EMAS2003
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2003
    • [Lugar del congreso]: CHICLANA (ESPAÑA)
    • RELAJACIÓN EN POZOS CUÁNTICOS DE INGAAS/GAAS SOBRE SUSTRATOS (001) Y (111)B DE GAAS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2003
    • [Lugar del congreso]: GRANADA, ESPAÑA
    • CHARACTERIZATION OF INGAAS(N)/GAAS MULTI-QUANTUM WELLS USING TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY
    • INTERNATIONAL CONFERENCE OF MICROSCOPY OF SEMICONDUCTING MATERIALS
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2003
    • [Lugar del congreso]: CAMBRIDGE, REINO UNIDO
    • ANOMALOUS RELAXATION IN COMBINED LOW AND HIGH TEMPERATURE GROWTH OF IN0.2GA0.8AS/GAAS EPILAYERS
    • INTERNATIONAL CONFERENCE OF MICROSCOPY OF SEMICONDUCTING MATERIALS
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2003
    • [Lugar del congreso]: CAMBRIDGE, REINO UNIDO
    • THICKNESS INFLUENCE ON SPINODAL DECOMPOSITION FORMATION IN IN0.2GA0.8AS/GAAS LOW TEMPERATURE GROWTH
    • INTERNATIONAL CONFERENCE OF MICROSCOPY OF SEMICONDUCTING MATERIALS
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2003
    • [Lugar del congreso]: CAMBRIDGE, REINO UNIDO
    • DEFECTOS ESTRUCTURALES EN MULTI-POZOS CUÁNTICOS DE INGAASN
    • XXI BIENAL DE LA SOCIEDAD DE MICROSCOPIA DE ESPAÑA
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2003
    • [Lugar del congreso]: SAN FERNANDO (CÁDIZ)
    • COMPARISON BETWEEN GROWTH MECHANISMS IN DILUTE NITRIDES GROWN ON (111)B AND (001)GAAS SUBSTRATES
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2003
    • [Lugar del congreso]: STTUART, ALEMANIA
    • EFECTO DEL CICLO TÉRMICO EN LA RELAJACIÓN PLÁSTICA DE HETEROESTRUCTRAS INGAAS/GAAS CRECIDAS POR ALMBE A BAJA TEMPERATURA
    • CONGRESO NACIONAL DE MATERIALES. 42 CONGRESO ANUAL DE S.E.C.V.
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2002
    • [Lugar del congreso]: MADRID, ESPAÑA
    • ESTUDIO DE CAPAS DE DESACOPLO DE INGAAS/GAAAS(001) POR CRECIMIENTO COMBINADO DE MBE-ALMBE EN FORMA DINÁMICA Y ESCALONADA
    • CONGRESO NACIONAL DE MATERIALES. 42 CONGRESO ANUAL DE S.E.C.V.
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2002
    • [Lugar del congreso]: MADRID, ESPAÑA
    • DEFECT STRUCTURE OF INGAAS/GAAS(001)
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2002
    • [Lugar del congreso]: CERCEDILLA (MADRID)
    • STRAIN RELAXATION BEHAVIOR IN INGAAS QUANTUM WELLS ON MISORIENTATED GAAS (111)B SUBSTRATES
    • MICROSCOPY OF SEMICONDUCTING MATERIALS XII 2001
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2001
    • [Lugar del congreso]: OXFORD, REINO UNIDO
    • BARRIER THICKNESS INFLUENCE ON PLASTIC RELAXATION IN (111)B MISORIENTATED INGAAS/GAAS DOUBLE QUANTUM WELLS
    • MICROSCOPY OF SEMICONDUCTING MATERIALS XII 2001
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2001
    • [Lugar del congreso]: OXFORD, REINO UNIDO
    • LASER DEGRADATION DUE TO ALGAAS CLADDING LAYER RELAXATION OF INGAAS/GAAS (111)B LASERS IN THE 1.0-1.1 MICRONS
    • MICROSCOPY, BARCELONA 2001
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2001
    • [Lugar del congreso]: BARCELONA
    • THE ROLE OF CLIMB AND GLIDE IN MISFIT RELIEF OF INGAAS/GAAS (111)B HETEROSTRUCTURES
    • INTERNATIONAL WORKSHOP ON MODELLING, GROWTH, PROPERTIES AND DEVICES OF EPITAXIAL SEMICONDUCTORS ON NOVEL INDEX SURFACES
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2001
    • [Lugar del congreso]: ASPET, FRANCIA
    • RELAXATION STUDY OF ALGAAS CLADDING LAYERS IN INGAAS/GAAS (111)B LASERS DESIGNED FOR 1.0-1.1 MICRONS OPERATION
    • INTERNATIONAL WORKSHOP ON MODELLING, GROWTH, PROPERTIES AND DEVICES OF EPITAXIAL SEMICONDUCTORS ON NOVEL INDEX SURFACES
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2001
    • [Lugar del congreso]: ASPET, FRANCIA
    • EFFECT OF GRADED BUFFER DESIGN ON THE DEFECT STRUCTURE IN INGAAS/GAAS(111)B HETEROSTRUCTURES
    • EXPERT EVALUATION AND CONTROL OF COMPOUND SEMICONDUCTOR MATERIALS AND TECHNOLOGY
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2000
    • [Lugar del congreso]: CRETE
    • RELAJACION EN POZOS CUANTICOS DE INGAAS/GAAS SOBRE SUSTRATOS (001) Y (111)B DE GAAS
    • REUNION NACIONAL DE MATERIALES
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1999
    • [Lugar del congreso]: SAN SEBASTIAN, ESPAÑA
    • STUDY OF THE RELAXATION IN INGAAS SQW GROWN ON (001) AND (111)B SUBSTRATES
    • MICROSCOPY OF SEMICONDUCTING MATERIALS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1999
    • [Lugar del congreso]: OXFORD
    • ESTRUCTURA DE DEFECTOS EN MULTIPOZOS CUANTICOS DE INGAAS/GAAS CRECIDOS SOBRE SUBSTRATOS DE GAAS(111)B
    • REUNIÓN BIENAL DE LA SOCIEDAD ESPAÑOLA DE MICROSCOPÍA ELECTRÓNICA
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1999
    • [Lugar del congreso]: MURCIA
    • ESTUDIO DE LA ACTIVIDAD ELECTRICA Y OPTICA DE MICROFACETAS EN FOTODIODOS PIEZOELECTRICOS DE MULTIPLES POZOS CUANTICOS DE INGAAS/GAAS (111)B
    • REUNION NACIONAL DE MATERIALES
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1999
    • [Lugar del congreso]: SAN SEBASTIAN, ESPAÑA
    • EFFECT OF IN CONTENT ON THE MISFIT DISLOCATION INTERACTION IN INGAAS/GAAS LAYERS
    • INTERNATIONAL VACUUM CONGRESS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1998
    • [Lugar del congreso]: BIRMINGHAM, REINO UNIDO
    • CATHODOLUMINISCENCE STUDY OF PYRAMIDAL FACETS IN PIEZOELECTRIC INGAAS/GAAS MULTIPLE QUANTUM WELL P-I-N PHOTODIODES
    • NOVEL INDEX SURFACES
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1998
    • [Lugar del congreso]: SEGOVIA, ESPAÑA
    • OPTICAL PROPERTIES OF INXGA1-XAS/GAAS MQW STRUCTURES ON (111)B GAAS GROWN BY MBE: DEPENDENCE WITH SUBSTRATE MISCUT
    • INTERNATIONAL CONFERENCE ON MOLECULAR BEAM EPITAXY
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1998
    • [Lugar del congreso]: CANNES
    • INFLUENCE OF SUBSTRATE MISORIENTATION ON THE OPTICAL AND STRUCTURAL PROPERTIES OF INGAAS/GAAS SINGLE STRAINED QW GROWN ON (111)B GAAS BY MBE
    • NOVEL INDEX SURFACES
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1998
    • [Lugar del congreso]: SEGOVIA, ESPAÑA
    • NEW RELAXATION MECHANISM IN INGAAS/GAAS (111)B MQW GROWN BY MBE
    • NOVEL INDEX SURFACES
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1998
    • [Lugar del congreso]: SEGOVIA, ESPAÑA
    • INFLUENCE OF SUBSTRATE MISORIENTATION ON THE STRUCTURAL CHARACTERISTICS OF INGAAS/GAAS QUANTUM WELLS ON (111)B GAAS GROWN BY MBE
    • INTERNATIONAL VACUUM CONGRESS (IVC-14) AND 10THINTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID SURFACES (ICSS-10)
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 1998
    • [Lugar del congreso]: BIRMINGHAM (REINO UNIDO)
    • EVALUACION DE LAS PROPIEDADES DE TRANSPORTE Y CORRELACION CON LA ESTRUCTURA DE DEFECTOS DE LASERES CRECIDOS SOBRE CAPAS AMORTIGUADORAS
    • REUNIÓN BIENAL DE LA SOCIEDAD ESPAÑOLA DE MICROSCOPÍA ELECTRÓNICA
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1997
    • [Lugar del congreso]: TOLEDO
    • INHIBITION OF MODULATION OF COMPOSITION FEATURES IN INXGA1-XAS LAYERS GROWN BY ALMBE
    • WORKSHOP ON MOLECULAR BEAM EPITAXY
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1997
    • [Lugar del congreso]: OXFORD
    • EBIC AND TEM INVESTIGATIONS OF LASER HETEROSTRUCTURES GROWN ON LINEARLY-GRADED AND STEP-GRADED BUFFER LAYERS
    • TENTH INTERNATIONAL CONFERENCE ON MICROSCOPY OF SEMICONDUCTING MATERIALS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1997
    • [Lugar del congreso]: OXFORD
    • ADVANTAGES OF THIN INTERFACES IN STEP-GRADED BUFFER STRUCTURES
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 1996
    • [Lugar del congreso]: FRIBURGO, ALEMANIA
    • EFECTO DE LA INTERACCIÓN ENTRE DISLOCACIONES EN EL RÉGIMEN DE ENDURECIMIENTO MECÁNICO DE CAPAS EPITAXIALES TENSADAS
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 1996
    • [Lugar del congreso]: BARCELONA
    • DETERMINACIÓN TEÓRICA DE LA DENSIDAD DE DISLOCACIONES DE DESAJUSTE EN ESTRUCTURAS ESCALONADAS DE INGAAS/GAAS
    • REUNION NACIONAL DE MATERIALES
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 1996
    • [Lugar del congreso]: CADIZ
    • ESTUDIO DEL EFECTO DEL CAMBIO DE SALTO COMPOSICIONAL EN LA RELAJACIÓN DE ESTRUCTURAS ESCALONADAS DE INGAAS/GAAS MEDIANTE TEM
    • REUNION BIENAL DE LA SOCIEDAD ESPAÑOLA DE MICROSCOPIA ELECTRÓNICA
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 1995
    • [Lugar del congreso]: OVIEDO, ESPAÑA
    • STRAIN RELAXATION IN STEP-GRADED AND LINEARLY GRADED INGAAS BUFFER LAYER ON (001) GAAS
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 1995
    • [Lugar del congreso]: OXFORD, REINO UNIDO
    • ESTUDIO POR TEM DE CAPAS DE COMPOSICIÓN GRADUAL DE INGAAS DEPOSITADAS SOBRE GAAS(001)
    • REUNION BIENAL DE LA SOCIEDAD ESPAÑOLA DE MICROSCOPIA ELECTRÓNICA
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 1995
    • [Lugar del congreso]: OVIEDO, ESPAÑA
    • METAMORPHIC INGAAS/GAAS BUFFER STRUCTURES
    • GENERAL CONFERENCE OF THE CONDENSED MATTER DIVISION
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1994
    • [Lugar del congreso]: MADRID (SPAIN)
    • TEM STUDY OF THE INGAAS/GAAS MULTILAYER BUFFER USED AS DISLOCATION FILTERS
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 1994
    • [Lugar del congreso]: PARMA, ITALIA
    • STEP GRADED BUFFER LAYER STUDY OF THE STRAIN RELAXATION BY TEM
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 1994
    • [Lugar del congreso]: PARMA, ITALIA
    • MULTILAYER STRAIN RELAXATION DETERMINATION BY XTEM IN INGAAS STEP GRADED STRUCTURES
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 1994
    • [Lugar del congreso]: PARÍS, FRANCIA
    • COMPARISON OF THE MISFIT AND THREADING DISLOCATION BEHAVIOR IN INGAAS STEP AND INVERSE STEP-GRADED STRUCTURES BY TEM
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 1994
    • [Lugar del congreso]: BARCELONA
    • COMPORTAMIENTO DE LAS DISLOCACIONES EN CAPAS DE COMPOSICIÓN GRADUAL DE INXGA1-XAS
    • REUNION NACIONAL DE MATERIALES
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 1993
    • [Lugar del congreso]: OVIEDO, ESPAÑA
    • TEM AND PL STUDY OF STRAIN RELAXATION IN INGAAS/GAAS MQW STRUCTURES
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 1993
    • [Lugar del congreso]: LIVERPOOL, REINO UNIDO
    • STUDY OF PLANAR GROWTH DEFECTS IN A BUFFER LAYER OF A GAP/GAAS DOUBLE HETEROSTRUCTURE BY TEM
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 1993
    • [Lugar del congreso]: REGENSBURG, ALEMANIA
    • STOPPED-FLOW CHEMILUMINESCENCE SPECTROMETRY
    • THIRD INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON KINETICS IN ANALYTICAL CHEMISTRY
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1989
    • [Lugar del congreso]: DUBROVNIK-CAVTAT (YUGOSLAVIA)

[Tesis dirigidas]

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    • EVALUACIÓN MEDIANTE TÉCNICAS DE HACES DE ELECTRONES DE HETEROESTRUCTURAS BASADAS EN IN(GA)N PARA APLICACIONES EN DISPOSITIVOS OPTO/MICROELECTRÓNICOS
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    • SEPARACIÓN DE FASES Y RELAJACIÓN PLÁSTICA EN EPITAXIAS SEMICONDUCTORAS DE GAIN(N)AS/GAAS(001)
    • [Autor]: MIRIAM HERRERA COLLADO
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    • [Calificacion]: SOBRESALIENTE CUM LAUDE
    • EFECTO DE LA RELAJACIÓN PLÁSTICA EN LÁSERES CON LONGITUD DE ONDA MAYOR A UNA MICRA BASADOS EN HETEROESTRUCTURAS PIEZOELÉCTRICAS GAAS(111)B
    • [Autor]: MARINA GUTIÉRREZ PEINADO
    • [Fecha de lectura]: 17/5/2002
    • [Calificacion]: SOBRESALIENTE CUM LAUDE

[Otras publicaciones]

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    • POTENCIAL ANALÍTICO DE LA TÉCNICA DE FLUJO DETENIDO CON DETECCIÓN QUIMILUMINISCENTE
    • [Tipo de publicación]: INFORMES, ESTUDIOS, TRABAJOS Y DICTÁMENES
    • [Año]: 1987
    • [Lugar]: CORDOBA