Usted está aquí: Inicio

[Curriculum Vitae]

  • Foto
    • ARAÚJO GAY, DANIEL
    • CIENCIAS FÍSICAS
    • INVESTIGADOR DOCTOR
    • [Email]: daniel.araujo@uca.es
    • [Departamento]: CIENCIA DE LOS MATERIALES E INGENIERÍA METALÚRGICA Y QUÍMICA INORGÁNICA
    • [Centro]: FACULTAD DE CIENCIAS
    • [Telefono]: 956016427

[Proyectos I+D dirigidos]

[Volver a principio de pagina]
    • DIAMANTE SINTETICO: PROPIEDADES Y EVALUACION PARA SU USO EN APLICACIONES FUNCIONALES
    • [Programa]: PETRI
    • [Fecha de inicio]: 3/7/2007
    • NOESIS
    • [Programa]: OTROS PROGRAMAS CON FINANCIACIÓN PÚBLICA
    • [Fecha de inicio]: 18/7/2003
    • [Descargar]
    • MECANIZADO LÁSER DE FIBRA DE CARBONO PARA LA INDUSTRIA AERONAUTICA. ESTUDIO DEL PROCESADO LÁSER Y DE LA METODOLOGÍA DE CORTE IMPLANTACIÓN DEL SISTEMA EN PLANTA.
    • [Programa]: PROFIT (PROGRAMA DE FOMENTO DE LA INVESTIGACIÓN TÉCNICA)
    • [Fecha de inicio]: 24/9/2003
    • DIAMANTE PARA DISPOSITIVOS DE POTENCIA.
    • [Programa]: PLAN NACIONAL I+D
    • [Fecha de inicio]: 1/1/2010
    • [Fecha de finalizacion]: 31/12/2012
    • MEJORA DE LA TENACIDAD DE MATERIALES AERONAUTICOS: INTRUDCCIÓN DE NANOPARTICULAS EN RESINAS EPOXI DE POLIMEROS REFORZADOS (CFRP)
    • [Programa]: JUNTA DE ANDALUCÍA. PROYECTOS DE EXCELENCIA
    • [Fecha de inicio]: 19/12/2007
    • [Fecha de finalizacion]: 20/12/2011
    • EXMATEC 2006
    • [Programa]: ACCIONES INTEGRADAS. PROGRAMA DE COOPERACIÓN INTERNACIONAL (MEC)
    • [Fecha de inicio]: 14/5/2006
    • [Fecha de finalizacion]: 31/12/2007
    • DISEÑO, CONSTRUCCIÓN Y COMERCIALIZACIÓN DE UN SISTEMA EBIC/CL
    • [Programa]: PLAN ANDALUZ DE INVESTIGACIÓN
    • [Fecha de inicio]: 30/1/2004
    • [Fecha de finalizacion]: 31/12/2004
    • MECANIZADO LÁSER DE FIBRA DE CARBONO PARA LA INDUSTRIA AERONÁUTICA: APROXIMACIÓN NO CONVENCIONAL DE CORTES.
    • [Programa]: PROFIT (PROGRAMA DE FOMENTO DE LA INVESTIGACIÓN TÉCNICA)
    • [Fecha de inicio]: 1/1/2004
    • [Fecha de finalizacion]: 31/12/2004
    • TRANSISTORES DE GAN PARA MICROONDAS: SI CARBURIZADO (SIC) COMO SUSTRATO Y RELACIÓN ESTRUCTURA DE DEFECTOS /PROPIEDADES OPTOMICROELECTRÓNICAS MEDIANTE TEM-CL/EBIC.
    • [Programa]: PLAN NACIONAL I+D
    • [Fecha de inicio]: 1/12/1998
    • [Fecha de finalizacion]: 30/11/2001
    • TRANSISTORES DE GAN PARA MICROONDAS: SI CARBURIZADO COMO SUSTRATO Y RELACIÓN ESTRUCTURA DE DEFECTOS/PROPIEDADES OPTOMICROELECTRÓNICAS MEDIANTE TEM-CL/EBIC
    • [Programa]: PLAN NACIONAL I+D
    • [Fecha de inicio]: 1/12/1998
    • [Fecha de finalizacion]: 30/11/2001

[Participación Proyectos I+D]

[Volver a principio de pagina]
    • MECANIZADO LÁSER DE FIBRA DE CARBONO PARA LA INDUSTRIA AERONAUTICA. ESTUDIO DEL PROCESADO LÁSER Y DE LA METODOLOGÍA DE CORTE IMPLANTACIÓN DEL SISTEMA EN PLANTA.
    • [Programa]: PROFIT (PROGRAMA DE FOMENTO DE LA INVESTIGACIÓN TÉCNICA)
    • [Fecha de inicio]: 24/9/2003
    • [Descargar]
    • DIAMANTE PARA DISPOSITIVOS DE POTENCIA.
    • [Programa]: PLAN NACIONAL I+D
    • [Fecha de inicio]: 1/1/2010
    • [Fecha de finalizacion]: 31/12/2012
    • REGLAS DE DISEÑO PARA LA INGENIERÍA DE NANOMATERIALES SEMICONDUCTORES AUTO-ENSAMBLADOS. ENTIDAD FINANCIADORA: JUNTA DE ANDALUCIA
    • [Programa]: JUNTA DE ANDALUCÍA
    • [Fecha de inicio]: 1/1/2006
    • [Fecha de finalizacion]: 31/12/2008
    • NANOESTRUCTURAS DE SEMICONDUCTORES COMPUESTOS Y SU APLICACIÓN EN DISPOSITIVOS OPTOELECTRÓNICOS Y FOTÓNICOS II.
    • [Programa]: PLAN NACIONAL I+D
    • [Fecha de inicio]: 31/12/2005
    • [Fecha de finalizacion]: 31/12/2008
    • SELF-ASSEMBLED SEMICONDUCTOR NANOSTRUCTURES FOR NEW DEVICES IN PHOTONICS AND ELECTRONICS (SANDIE)
    • [Programa]: PROGRAMA MARCO DE LA UE (VI)
    • [Fecha de inicio]: 1/4/2004
    • [Fecha de finalizacion]: 31/3/2008
    • DISEÑO Y CARACTERIZACIÓN NANO-ESTRUCTURAL DE MATERIALES SEMICONDUCTORES AUTO-ENSAMBLADOS
    • [Programa]: ACCIONES INTEGRADAS. PROGRAMA DE COOPERACIÓN INTERNACIONAL (MEC)
    • [Fecha de inicio]: 1/1/2004
    • [Fecha de finalizacion]: 31/12/2005
    • MECANIZADO LASER DE FIBRA DE CARBONO PARA LA INDUSTRIA AERONAÚTICA: EFECTO SOBRE EL COMPORTAMIENTO MECÁNICO.
    • [Programa]: PROFIT (PROGRAMA DE FOMENTO DE LA INVESTIGACIÓN TÉCNICA)
    • [Fecha de inicio]: 1/1/2005
    • [Fecha de finalizacion]: 31/12/2005
    • MECANIZADO LÁSER DE FIBRA DE CARBONO PARA LA INDUSTRIA AERONÁUTICA: APROXIMACIÓN NO CONVENCIONAL DE CORTES.
    • [Programa]: PROFIT (PROGRAMA DE FOMENTO DE LA INVESTIGACIÓN TÉCNICA)
    • [Fecha de inicio]: 1/1/2004
    • [Fecha de finalizacion]: 31/12/2004
    • ACTUALIZACIÓN DE LOS MEDIOS INFORMÁTICOS Y LA FORMACIÓN NECESARIOS PARA LA INTERPRETACIÓN DE IMÁGENES DE MICROSCOPÍA ELECTRÓNICA DE MATERIALES
    • [Programa]: ACCIONES ESPECIALES. PROGRAMA DE COOPERACIÓN INTERNACIONAL (MEC)
    • [Fecha de inicio]: 11/6/2003
    • [Fecha de finalizacion]: 10/6/2004
    • TRANSISTORES DE GAN PARA MICROONDAS: SI CARBURIZADO (SIC) COMO SUSTRATO Y RELACIÓN ESTRUCTURA DE DEFECTOS /PROPIEDADES OPTOMICROELECTRÓNICAS MEDIANTE TEM-CL/EBIC.
    • [Programa]: PLAN NACIONAL I+D
    • [Fecha de inicio]: 1/12/1998
    • [Fecha de finalizacion]: 30/11/2001
    • DESARROLLO DE EXPERIMENTOS EBIC/CL-SEM Y DE OTRAS TÉCNICAS MEDIANTE ANÁLISIS CON HACES DE ELECTRONES PARA SU APLICACIÓN AL DISEÑO E INGENIERÍA DE NANO/HETEROESTRUCTURAS Y DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
    • [Programa]: PLAN NACIONAL I+D
    • [Fecha de inicio]: 1/5/1994
    • [Fecha de finalizacion]: 31/12/1997
    • BUFFER LAYER ENGINEERING IN SEMICONDUCTORS (BLES) ENTIDAD FINACIADORA : LA COMUNIDAD EUROPEA, PROGRAMA ESPRIT. ENTIDADES PARTICIPANTES: UPM, CNM, UCA, UNIV. LIVERPOOL, UNIV. SURVEY, NMRC
    • [Programa]: OTROS PROGRAMAS CON FINANCIACIÓN EUROPEA
    • [Fecha de inicio]: 1/7/1992
    • [Fecha de finalizacion]: 30/6/1995

[Contratos I+D dirigidos]

[Volver a principio de pagina]
    • DEVELOPMENT OF ELECTRON MICROSCOPY ANALYTICAL SYSTEMS: CATHODOLUMINESCENCE, EBIC AND QUANTITATIVE ELECTRON DIFFRACTION SYSTEMS
    • [Programa]: CONTRATO art. 11/45 LRU - 68/83 LOU
    • [Fecha de inicio]: 3/9/2003
    • ULTRA HIGH INCORPORATION OF BORON IN SILICON AND DIAMOND: FROM NANOSTRUCTURE AND NANOSPECTROSCOPY TO THE UNDERSTANDING OF SUPERCONDUCTING SEMICONDUCTORS
    • [Programa]: OTROS CONTRATOS (PÚBLICO)
    • [Fecha de inicio]: 8/2/2007
    • DISEÑO Y CONSTRUCCION DE UN SIUSTEMA EBIC/CL
    • [Programa]: CONTRATO art. 11/45 LRU - 68/83 LOU
    • [Fecha de inicio]: 27/5/2003
    • CENTRE LYONNAIS DE MICROSCOPIE (CLYM), PROYECTO DE SFR (STRUCTURE FÉDÉRATIVE DE RECHERCHE)
    • [Programa]: OTROS CONTRATOS (PRIVADO)
    • [Fecha de inicio]: 1/1/2007
    • [Fecha de finalizacion]: 31/12/2011
    • CENTRE LYONNAIS DE MICROSCOPIE (CLYM), PROYECTO DE SFR (STRUCTURE FÉDÉRATIVE DE RECHERCHE)
    • [Programa]: OTROS CONTRATOS (PRIVADO)
    • [Fecha de inicio]: 1/1/2007
    • [Fecha de finalizacion]: 1/1/2011
    • VERS DES CELLULES PHOTOVOLTAÏQUES DE SILICIUM MINCES (<100&#956;M) À BAS COÛT ET À HAUT RENDEMENT DE CONVERSION BASÉE SUR LA TECHNOLOGIE RST (RUBANSOLAIRE)
    • [Programa]: OTROS CONTRATOS (PRIVADO)
    • [Fecha de inicio]: 1/10/2006
    • [Fecha de finalizacion]: 31/12/2009
    • NUEVA METODOLOGÍA DE PERFORADO EN ESTRUCTURAS SANDWICH DE FIBRA DE CARBONO-MATERIALES METÁLICOS: APORTACIÓN DEL LÁSER Y DE LA CRIOGENIA
    • [Fecha de inicio]: 30/7/2001
    • [Fecha de finalizacion]: 30/7/2004
    • COMPORTAMIENTO FRENTE A LA FATIGA DE CHAPAS DE ALUMINIO 2024 MECANIZADAS POR LÁSER, ASÍ COMO SU CUMPLIMIENTO DE LA NORMATIVA AITM1-0011
    • [Programa]: OTROS CONTRATOS (PÚBLICO)
    • [Fecha de inicio]: 1/1/2000
    • [Fecha de finalizacion]: 1/1/2001

[Participación Contratos I+D]

[Volver a principio de pagina]
    • ACTIVIDADES DE ENSAYOS DE CARACTERIZACIÓN MICROGRÁFICA DE MATERIALES COMPUESTOS DEL PROYECTO DAICA
    • [Programa]: OTROS CONTRATOS (PRIVADO)
    • [Fecha de inicio]: 1/1/2009
    • NUEVA METODOLOGÍA DE PERFORADO EN ESTRUCTURAS SANDWICH DE FIBRA DE CARBONO-MATERIALES METÁLICOS: APORTACIÓN DEL LÁSER Y DE LA CRIOGENIA
    • [Fecha de inicio]: 30/7/2001
    • [Fecha de finalizacion]: 30/7/2004

[Participación en Convenios]

[Volver a principio de pagina]
    • ESTUDIO PRELIMINAR DE VIABILIDAD TÉCNICA DE LA IMPLANTACIÓN DE METODOLOGÍAS LÁSER EN EL CORTE DE MATERIALES COMPUESTOS DE INTERÉS INDUSTRIAL.
    • [Fecha de inicio]: 1/1/2003
    • [Fecha de finalizacion]: 15/11/2003

[Libros publicados]

[Volver a principio de pagina]
    • CATHODOLUMINESCENCE STUDY OF EPITAXIAL III-V QUANTUM WELL LAYERS
    • [Editorial]: SERVICIO DE PUBLICACIONES DE LA UNIVERSIDAD DE LAUSANA
    • [Año]: 1993

[Capitulos de libros publicados]

[Volver a principio de pagina]
    • EL EFECTO DE LA INTERACCIÓN ENTRE DISLOCACIONES EN EL RÉGIMEN DE ENDURECIMIENTO MECÁNICO DE CAPAS EPITAXIALES TENSADAS
    • PROPIEDADES MECÁNICAS DE SÓLIDOS
    • [Pagina inicial]: 619
    • [Pagina final]: 624
    • [ISBN]: 84-89349-59-2
    • [Editorial]: GIL MUR
    • [Año]: 1996

[Publicaciones en revistas]

[Volver a principio de pagina]
    • INFLUENCE OF THE SUBSTRATE TYPE ON CVD GROWN HOMOEPITAXIAL DIAMOND LAYER QUALITY BY CROSS SECTIONAL TEM AND CL ANALYSIS
    • DIAMOND AND RELATED MATERIALS
    • [Año]: 2011
    • [Pagina inicial]: 1
    • [Pagina final]: 22
    • CROSS SECTIONAL EVALUATION OF BORON DOPING AND DEFECTS DISTRIBUTION IN HOMOEPITAXIAL DIAMOND LAYERS
    • PHYSICA STATUS SOLIDI. C, CONFERENCES AND CRITICAL REVIEWS
    • [Año]: 2011
    • [Pagina inicial]: 1
    • [Pagina final]: 6
    • NANOCRYSTALLINE BORON-DOPED DIAMOND FILMS, A MIXTURE OF BCS-LIKE AND NON-BCS-LIKE SUPERCONDUCTING GRAINS
    • PHYSICA STATUS SOLIDI. A, APPLIED RESEARCH
    • [Año]: 2010
    • [Volumen]: 207
    • [Numero]: 9
    • [Pagina inicial]: 2064
    • [Pagina final]: 2068
    • COMPARISON OF THE CRYSTALLINE QUALITY OF HOMOEPITAXIALLY GROWN CVD DIAMOND LAYER ON CLEAVED AND POLISHED SUBSTRATES
    • PHYSICA STATUS SOLIDI. A, APPLIED RESEARCH
    • [Año]: 2010
    • [Volumen]: 207
    • [Numero]: 9
    • [Pagina inicial]: 2023
    • [Pagina final]: 2028
    • LOCAL BORON DOPING QUANTIFICATION IN HOMOEPITAXIAL DIAMOND STRUCTURES
    • DIAMOND AND RELATED MATERIALS
    • [Año]: 2010
    • [Volumen]: 19
    • [Numero]: 7-9
    • [Pagina inicial]: 972
    • [Pagina final]: 975
    • HYDROGEN PASSIVATION OF BORON ACCEPTORS IN AS-GROWN BORON-DOPED CVD DIAMOND EPILAYERS
    • DIAMOND AND RELATED MATERIALS
    • [Año]: 2010
    • [Volumen]: 19
    • [Pagina inicial]: 904
    • [Pagina final]: 907
    • COMPOSITION MODULATION ANALYSIS OF INGAP LAYERS GROWN ON (001) GERMANIUM SUBSTRATES
    • APPLIED SURFACE SCIENCE
    • [Año]: 2010
    • [Pagina inicial]: 5681
    • [Pagina final]: 5683
    • MECHANISM OF PHASE SEPARATION GENERATION IN GE-BASED SOLAR CELL TUNNEL JUNCTIONS
    • JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY
    • [Año]: 2010
    • [Volumen]: 10
    • [Pagina inicial]: 1
    • [Pagina final]: 5
    • INFLUENCE OF IN CONTENT ON DEFECTS AND SPINODAL DECOMPOSITION IN INGAP LAYERS
    • JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY
    • [Año]: 2010
    • [Pagina inicial]: XX
    • [Pagina final]: XX
    • SPATIALLY CORRELATED MICROSTRUCTURE AND SUPERCONDUCTIVITY IN POLYCRYSTALLINE BORON-DOPED DIAMOND
    • PHYSICAL REVIEW B
    • [Año]: 2010
    • [Volumen]: 82
    • [Pagina inicial]: 33306-1
    • [Pagina final]: 33306-4
    • A MICROSTRUCTURAL STUDY OF SUPERCONDUCTIVE NANOCRYSTALLINE DIAMOND
    • PHYSICA STATUS SOLIDI. A, APPLIED RESEARCH
    • [Año]: 2009
    • [Volumen]: 206
    • [Numero]: 9
    • [Pagina inicial]: 1986
    • [Pagina final]: 1990
    • INAS/GAAS QUANTUM DOTS MORPHOLOGY: NANOMETRIC SCALE HAADF SIMULATIONS
    • MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B
    • [Año]: 2009
    • [Pagina inicial]: 88
    • [Pagina final]: 93
    • ELECTRO-OPTICAL CHARACTERISATION FOR THE ONTROL OF SILICON NANOCRYSTALS EMBEDDED IN SINX: H FILMS
    • PHYSICA STATUS SOLIDI. C, CONFERENCES AND CRITICAL REVIEWS
    • [Año]: 2007
    • [Volumen]: 4
    • [Numero]: 4
    • [Pagina inicial]: 1554
    • [Pagina final]: 1559
    • [Descargar]
    • EVIDENCE OF INTRINSIC SILICON NANOSTRUCTURE FORMATION IN SIN MATRIX DEPOSITED BY VARIOUS LOW TEMPERATURE CVD TECHNIQUES
    • PHYSICA STATUS SOLIDI. C, CONFERENCES AND CRITICAL REVIEWS
    • [Año]: 2007
    • [Volumen]: 4
    • [Numero]: 4
    • [Pagina inicial]: 1401
    • [Pagina final]: 1405
    • [Descargar]
    • STRUCTURAL CHARACTERIZATION OF INN QUANTUM DOTS GROWN BY METALORGANIC VAPOUR PHASE EPITAXY
    • PHYSICA STATUS SOLIDI. C, CONFERENCES AND CRITICAL REVIEWS
    • [Año]: 2006
    • [Volumen]: 3
    • [Numero]: 6
    • [Pagina inicial]: 1687
    • [Pagina final]: 1690
    • Correlation of optical and photoluminescence properties in amorphous SiNx:H thin films deposited by PECVD or UVCVD
    • THIN SOLID FILMS
    • [Año]: 2006
    • [Volumen]: 511-512
    • [Pagina inicial]: 103
    • [Pagina final]: 107
    • [Descargar]
    • CORRELATION OF OPTICAL AND PHOTOLUMINESCENCE PROPERTIES IN AMORPHOUS SINX: H THIN FILMS DEPOSITED BY PECVD OR UVCVD
    • THIN SOLID FILMS
    • [Año]: 2006
    • [Volumen]: 511-512
    • [Pagina inicial]: 103
    • [Pagina final]: 107
    • PLANAR DEFECTS, VOIDS AND THEIR RELATIONSHIP IN 3C-SIC LAYERS
    • MATERIALS SCIENCE FORUM
    • [Año]: 2005
    • [Volumen]: 483
    • [Pagina inicial]: 189
    • [Pagina final]: 192
    • EFFECT OF OXYGEN ON THE CATHODOLUMINESCENCE SIGNAL FROM EXCITONS, IMPURITIES AND STRUCTURAL DEFECTS IN HOMOEPITAXIAL (100) DIAMOND FILMS
    • DIAMOND AND RELATED MATERIALS
    • [Año]: 2005
    • [Volumen]: 14
    • [Numero]: 3-7
    • [Pagina inicial]: 566
    • [Pagina final]: 569
    • DEFECT MORPHOLOGY AND STRAIN OF CVD GROWN 3C-SIC LAYERS: EFFECT OF THE CARBONIZATION PROCESS
    • PHYSICA STATUS SOLIDI. A, APPLIED RESEARCH
    • [Año]: 2005
    • [Volumen]: 202
    • [Numero]: 4
    • [Pagina inicial]: 561
    • [Pagina final]: 565
    • ANALYSIS OF SIC ISLANDS FORMATION DURING FIRST STEPS OF SI CARBONIZATION PROCESS
    • MATERIALS SCIENCE FORUM
    • [Año]: 2005
    • [Volumen]: 483
    • [Pagina inicial]: 555
    • [Pagina final]: 558
    • STUDY OF ISOLATED CUBIC GAN QUANTUM DOTS BY LOW-TEMPERATURE CATHODOLUMINESCENCE
    • PHYSICA E
    • [Año]: 2005
    • [Volumen]: 26
    • [Numero]: 1-4
    • [Pagina inicial]: 203
    • [Pagina final]: 206
    • EXCITONIC EMISSION AND N-AND B-INCORPORATION IN HOMOEPITAXIAL CVD-GROWN DIAMOND INVESTIGATED BY CATHODOLUMINESCENCE
    • PHYSICA STATUS SOLIDI. C, CONFERENCES AND CRITICAL REVIEWS
    • [Año]: 2005
    • [Volumen]: 2
    • [Pagina inicial]: 1336
    • [Pagina final]: 1340
    • NUCLEATION OF INN QUANTUM DOTS ON GAN BY METALORGANIC VAPOR PHASE EPITAXY
    • APPLIED PHYSICS LETTERS
    • [Año]: 2005
    • [Volumen]: 87
    • [Numero]: 26
    • [Pagina inicial]: 263104-1
    • [Pagina final]: 263104-3
    • MICROSTRUCTURAL CHARACTERIZATION OF CUBIC GAN/ALN QUANTUM DOTS
    • PHYSICS OF THE SOLID STATE
    • [Año]: 2005
    • [Pagina inicial]: -
    • [Pagina final]: -
    • DEFECT MORPHOLOGY AND STRAIN OF CVD-GROWN 3C-SIC LAYERS : EFFECT OF CARBONIZATION PROCESS
    • PHYSICA STATUS SOLIDI. A, APPLIED RESEARCH
    • [Año]: 2005
    • [Volumen]: 202
    • [Pagina inicial]: 561
    • [Pagina final]: 565
    • HOMOEPITAXIAL {111}-ORIENTED DIAMOND PN JUNCTIONS GROWN ON B-DOPED IB SYNTHETIC DIAMOND
    • PHYSICA STATUS SOLIDI. A, APPLIED RESEARCH
    • [Año]: 2004
    • [Volumen]: 201
    • [Numero]: 11
    • [Pagina inicial]: 2462
    • [Pagina final]: 2466
    • STUDY OF THE PHOSPHORUS INCORPORATION IN N-DOPED DIAMOND FILMS BY CATHODOLUMINESCENCE
    • JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER
    • [Año]: 2004
    • [Volumen]: 16
    • [Numero]: 2
    • [Pagina inicial]: S287
    • [Pagina final]: S292
    • EXCITON AND DEFECTS IN HOMOEPITAXIAL DIAMOND FILMS FROM CATHODOLUMINESCENCE OF P-/P+ SAMPLES
    • PHYSICA STATUS SOLIDI. B, BASIC RESEARCH
    • [Año]: 2004
    • [Volumen]: 11
    • [Pagina inicial]: 2457
    • [Pagina final]: 2461
    • MICROSTRUCTURAL CHARACTERIZATION OF CUBIC GAN/ALN QUANTUM DOTS
    • PHYSICA STATUS SOLIDI. C, CONFERENCES AND CRITICAL REVIEWS
    • [Año]: 2004
    • [Pagina inicial]: 0
    • [Pagina final]: 0
    • INTERFACIAL STRAIN AND DEFECTS IN SI (001) CARBONISATION LAYERS FOR 3C-SIC HETERO-EPITAXY
    • MATERIALS SCIENCE FORUM
    • [Año]: 2004
    • [Volumen]: 457-460
    • [Pagina inicial]: 277
    • [Pagina final]: 280
    • INFLUENCE OF THE GE COVERAGE PRIOR TO CARBONIZATION ON THE STRUCTURE OF SIC GROWN ON SI(111)
    • MATERIALS SCIENCE FORUM
    • [Año]: 2004
    • [Volumen]: 457-460
    • [Pagina inicial]: 297
    • [Pagina final]: 300
    • THE ROLE OF GE PREDEPOSITION TEMPERATURE IN THE EPITAXY OF SIC ON SILICON
    • PHYSICA STATUS SOLIDI. C, CONFERENCES AND CRITICAL REVIEWS
    • [Año]: 2004
    • [Volumen]: 1
    • [Numero]: 2
    • [Pagina inicial]: 341
    • [Pagina final]: 345
    • ESTUDIO POR MICROSCOPÍA ELECTRÓNICA Y ESPECTROSCOPÍA DE INFRA-ROJOS DE CAPAS DE SIC OBTENIDAS MEDIANTE CARBURIZACIÓN DE OBLEAS DE SI
    • BOLETIN DE LA SOCIEDAD ESPAÑOLA DE CERÁMICA Y VIDRIO
    • [Año]: 2004
    • [Volumen]: 43
    • [Numero]: 2
    • [Pagina inicial]: 363
    • [Pagina final]: 366
    • STRUCTURAL STUDY OF MICRO AND NANOTUBES SYNTHESIZED BY RAPID THERMAL CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
    • MICROCHIMICA ACTA
    • [Año]: 2004
    • [Volumen]: 145
    • [Numero]: 1-4
    • [Pagina inicial]: 129
    • [Pagina final]: 132
    • DETERMINATION OF HEAT TRANSMISSION PARAMETERS IN LASER MACHINED CARBON FIBER COMPOSITES.
    • ANNALS OF DAAAM
    • [Año]: 2003
    • [Pagina inicial]: 157
    • [Pagina final]: 158
    • TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY STUDY OF SIMULTANEOUS HIGH-DOSE C++N+ CO-IMPLANTATION INTO (1&NBSP;1&NBSP;1)SI
    • THIN SOLID FILMS
    • [Año]: 2003
    • [Volumen]: 426
    • [Numero]: 1-2
    • [Pagina inicial]: 16
    • [Pagina final]: 30
    • TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY STUDY OF ULTRA-THIN SIC LAYERS OBTAINED BY RAPID THERMAL CARBONIZATION OF SI WAFERS
    • PHYSICA STATUS SOLIDI. A, APPLIED RESEARCH
    • [Año]: 2003
    • [Volumen]: 195
    • [Numero]: 1
    • [Pagina inicial]: 116
    • [Pagina final]: 121
    • FATIGUE BEHAVIOUR OF LASER MACHINED 2024 T3 AERONAUTIC ALUMINIUM ALLOY
    • APPLIED SURFACE SCIENCE
    • [Año]: 2003
    • [Volumen]: 208-209
    • [Pagina inicial]: 194
    • [Pagina final]: 198
    • COMPARATIVE TEM INVESTIGATION OF MBE AND RTCVD CONVERSION OF SI INTO SIC
    • MATERIALS SCIENCE FORUM
    • [Año]: 2003
    • [Volumen]: 433-436
    • [Pagina inicial]: 285
    • [Pagina final]: 288
    • STRUCTURAL STUDY OF GAN LAYERS GROWN ON CARBONIZED SI(111) SUBSTRATES
    • MATERIALS SCIENCE FORUM
    • [Año]: 2003
    • [Volumen]: 433-434
    • [Pagina inicial]: 1003
    • [Pagina final]: 1006
    • SIC VOIDS, MOSAIC MICROSTRUCTURE AND DISLOCATIONS DISTRIBUTION IN SI CARBONIZED LAYERS
    • DIAMOND AND RELATED MATERIALS
    • [Año]: 2003
    • [Volumen]: 12
    • [Numero]: 3-7
    • [Pagina inicial]: 1227
    • [Pagina final]: 1230
    • MICROSTRUCTURAL STUDY OF CO2 LASER MACHINED HEAT AFFECTED ZONE OF 2024 ALUMINUM ALLOY
    • APPLIED SURFACE SCIENCE
    • [Año]: 2003
    • [Volumen]: 208-209
    • [Pagina inicial]: 210
    • [Pagina final]: 217
    • EXPERIMENTAL EVALUATION OF LASER CUTTING APPLIED TO CFR COMPOSITES.
    • ANNALS OF DAAAM
    • [Año]: 2003
    • [Pagina inicial]: 159
    • [Pagina final]: 160
    • COMPARATIVE TEM INVESTIGATION OF MBE AND RTCVD CONVERSION OF SI INTO SIC
    • MATERIALS SCIENCE FORUM
    • [Año]: 2002
    • [Volumen]: 433-434
    • [Pagina inicial]: 285
    • [Pagina final]: 288
    • STRUCTURAL STUDY OF GAN LAYERS GROWN ON CARBONIZED SI(111) SUBSTRATES
    • MATERIALS SCIENCE FORUM
    • [Año]: 2002
    • [Volumen]: 433
    • [Pagina inicial]: 1003
    • [Pagina final]: 1009
    • RADIATION RESPONSE OF N-TYPE BASE INP SOLAR CELLS
    • JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
    • [Año]: 2001
    • [Volumen]: 90
    • [Numero]: 7
    • [Pagina inicial]: 3558
    • [Pagina final]: 3565
    • STRUCTURAL CHARACTERIZATION OF HIGH-DOSE C++N+ ION-IMPLANTED (111) SI
    • NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH. SECTION B. BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS
    • [Año]: 2001
    • [Volumen]: 184
    • [Numero]: 3
    • [Pagina inicial]: 361
    • [Pagina final]: 370
    • PROTON-INDUCED DAMAGE IN P(+)-N INP SOLAR CELLS: THE ROLE OF ELECTRON CAPTURE AT HIGH FLUENCES
    • MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -ADVANCED FUNCTIONAL SOLID-STATE MATERIALS
    • [Año]: 2001
    • [Volumen]: 80
    • [Numero]: 1-3
    • [Pagina inicial]: 294
    • [Pagina final]: 298
    • ELECTRON BEAM INDUCED CURRENT AND CATHODOLUMINESCENCE STUDY OF PROTON IRRADIATED INASXP1-X/INP QUANTUM-WELL SOLAR CELLS
    • JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
    • [Año]: 2001
    • [Volumen]: 90
    • [Numero]: 6
    • [Pagina inicial]: 2840
    • [Pagina final]: 2846
    • SIC THIN FILMS OBTAINED BY SI CARBONIZATION
    • MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -ADVANCED FUNCTIONAL SOLID-STATE MATERIALS
    • [Año]: 2001
    • [Volumen]: 80
    • [Numero]: 1-3
    • [Pagina inicial]: 342
    • [Pagina final]: 344
    • ELECTRON BEAM INDUCED CURRENT AND CATHODOLUMINESCENCE STUDY OF PROTON IRRADIATED MULTIPLE QUANTUM WELL SOLAR CELLS FOR SPACE
    • PROCEEDINGS OF THE 28TH IEEE PVSC
    • [Año]: 2000
    • [Pagina inicial]: 1312
    • [Pagina final]: 1315
    • CONTROL OF PHASE MODULATION IN INGAAS EPILAYERS
    • APPLIED PHYSICS LETTERS
    • [Año]: 2000
    • [Volumen]: 76
    • [Numero]: 22
    • [Pagina inicial]: 3236
    • [Pagina final]: 3238
    • EFFECT OF IN-CONTENT ON THE MISFIT DISLOCATION INTERACTION IN INGAAS GAAS LAYERS
    • THIN SOLID FILMS
    • [Año]: 1999
    • [Volumen]: 344
    • [Pagina inicial]: 302
    • [Pagina final]: 304
    • MULTIPLE QUANTUM WELL GAAS/ALGAAS SOLAR CELLS: TRANSPORT AND RECOMBINATION PROPERTIES BY MEANS OF EBIC AND CATHODOLUMINESCENCE
    • MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -ADVANCED FUNCTIONAL SOLID-STATE MATERIALS
    • [Año]: 1999
    • [Volumen]: 66
    • [Numero]: 1-3
    • [Pagina inicial]: 151
    • [Pagina final]: 156
    • ELECTRON MICROSCOPY STUDY OF SIC OBTAINED BY CARBURIZATION OF SI(111)
    • THIN SOLID FILMS
    • [Año]: 1999
    • [Volumen]: 343/344
    • [Pagina inicial]: 305
    • [Pagina final]: 308
    • FAILURE ANALYSIS OF HEAVILY PROTON IRRADIATED P+-N INGAP SOLAR CELLS BY EBIC AND CATHODOLUMINESCENCE
    • MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -ADVANCED FUNCTIONAL SOLID-STATE MATERIALS
    • [Año]: 1999
    • [Volumen]: 66
    • [Numero]: (1-3)
    • [Pagina inicial]: 189
    • [Pagina final]: 193
    • EFFECT OF PROTON IRRADIATION ON THE SPATIAL DEFECT DISTRIBUTION OF N+-P INP/SI SOLAR CELLS
    • PROCEEDING 11TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON PHOTOVOLTAIC ENERGY (PVSEC11)
    • [Año]: 1999
    • [Pagina inicial]: 169
    • [Pagina final]: 172
    • EFFECT OF PROTON IRRADIATION ON THE SPATIAL DEFECT DISTRIBUTION OF N(+)-P INP/SI SOLAR CELLS
    • INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES
    • [Año]: 1999
    • [Numero]: 164
    • [Pagina inicial]: 673
    • [Pagina final]: 676
    • DETAILED DEFECT STUDY IN PROTON IRRADIATED INP/SI SOLAR CELLS
    • JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
    • [Año]: 1999
    • [Volumen]: 86
    • [Numero]: 7
    • [Pagina inicial]: 3584
    • [Pagina final]: 3589
    • SPATIAL DISTRIBUTION OF RADIATION-INDUCED DEFECTS IN P(+)-N INGAP SOLAR CELLS
    • APPLIED PHYSICS LETTERS
    • [Año]: 1999
    • [Volumen]: 74
    • [Numero]: 25
    • [Pagina inicial]: 3812
    • [Pagina final]: 3814
    • TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY STUDY OF INGAAS INP SUPERLATTICES GROWN ON V-SHAPED SURFACE INP SUBSTRATES
    • APPLIED SURFACE SCIENCE
    • [Año]: 1999
    • [Volumen]: 145
    • [Pagina inicial]: 488
    • [Pagina final]: 491
    • RADIATION-INDUCED ORDER-DISORDER TRANSITION IN P(+)-N INGAP SOLAR CELLS
    • APPLIED PHYSICS LETTERS
    • [Año]: 1999
    • [Volumen]: 74
    • [Numero]: 18
    • [Pagina inicial]: 2684
    • [Pagina final]: 2686
    • PIEZOELECTRIC INGAAS/GAAS (111)B MULTIPLE QUANTUM WELL PHOTODIODES: OPTOELECTRONIC PROPERTIES BY ELECTRON BEAM INDUCED CURRENT AND CATHODOLUMINESCENCE
    • MICROELECTRONICS JOURNAL
    • [Año]: 1999
    • [Volumen]: 30
    • [Numero]: 4-5
    • [Pagina inicial]: 413
    • [Pagina final]: 417
    • MULTIPLE QUANTUM WELL GAAS/ALGAAS SOLAR CELLS: TRANSPORT AND RECOMBINATION PROPERTIES BY MEANS OF EBIC AND CATHODOLUMINESCENCE
    • MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -ADVANCED FUNCTIONAL SOLID-STATE MATERIALS
    • [Año]: 1999
    • [Volumen]: 66
    • [Numero]: 1-3
    • [Pagina inicial]: 151
    • [Pagina final]: 156
    • EFFECT OF THE TEMPERATURE RAMP RATE DURING CARBONIZATION OF SI (111) ON THE CRYSTALLINE QUALITY OF SIC PRODUCED
    • INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES
    • [Año]: 1999
    • [Numero]: 164
    • [Pagina inicial]: 521
    • [Pagina final]: 524
    • GROWTH RATE AND CRITICAL TEMPERATURES TO AVOID THE MODULATION OF COMPOSITION OF INGAAS EPITAXIAL LAYERS
    • APPLIED PHYSICS LETTERS
    • [Año]: 1999
    • [Volumen]: 74
    • [Numero]: 18
    • [Pagina inicial]: 2649
    • [Pagina final]: 2651
    • ELECTRON MICROSCOPY STUDY OF SIC OBTAINED BY THE CARBONIZATION OF SI(111)
    • THIN SOLID FILMS
    • [Año]: 1999
    • [Numero]: 343-344
    • [Pagina inicial]: 305
    • [Pagina final]: 308
    • CHARACTERISATION BY TEM AND X-RAY DIFFRACTION OF LINEARLY GRADED COMPOSITION INGAAS BUFFER LAYERS ON (001) GAAS
    • MATERIALS SCIENCE AND TECHNOLOGY
    • [Año]: 1998
    • [Volumen]: 14
    • [Numero]: 12
    • [Pagina inicial]: 1273
    • [Pagina final]: 1278
    • INFLUENCE OF INTERFACE DISLOCATIONS ON SURFACE KINETICS DURING EPITAXIAL GROWTH OF INGAAS
    • APPLIED SURFACE SCIENCE
    • [Año]: 1998
    • [Volumen]: 123-124
    • [Pagina inicial]: 303
    • [Pagina final]: 307
    • DIFFUSION LENGTH, CARRIER REMOVAL AND DEFECT STUDIES IN HEAVILY PROTON IRRADIATED INP/SI SOLAR CELLS USING EBIC, CATHODOLUMINESCENCE AND QUANTUM EFFICIENCY MEASUREMENTS
    • PROCEEDINGS OF THE 28TH IEEE PVSC
    • [Año]: 1998
    • [Pagina inicial]: 3650
    • [Pagina final]: 3654
    • FAILURE ANALYSIS OF NEUTRON-IRRADIATED MQW INGAASP/INP LASERS BY EBIC
    • SOLID STATE PHENOMENA
    • [Año]: 1998
    • [Volumen]: 63-4
    • [Pagina inicial]: 443
    • [Pagina final]: 456
    • CRITICAL THICKNESS FOR THE SATURATION STATE OF STRAIN RELAXATION IN THE INGAAS/GAAS SYSTEMS
    • APPLIED PHYSICS LETTERS
    • [Año]: 1998
    • [Volumen]: 72
    • [Numero]: 15
    • [Pagina inicial]: 1875
    • [Pagina final]: 1877
    • FAILURE ANALYSIS OF HEAVILY PROTON IRRADIATED P+-N INGAP SOLAR CELLS BY EBIC AND CATHODOLUMINESCENCE
    • MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -ADVANCED FUNCTIONAL SOLID-STATE MATERIALS
    • [Año]: 1998
    • [Volumen]: 66
    • [Pagina inicial]: 189
    • [Pagina final]: 193
    • CHARACTERIZATION BY TEM AND X-RAY DIFFRACTION OF LINEARLY GRADED COMPOSITION INGAAS BUFFER LAYERS ON (001) GAAS
    • MATERIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY
    • [Año]: 1998
    • [Volumen]: 14
    • [Numero]: 12
    • [Pagina inicial]: 1273
    • [Pagina final]: 1278
    • CATHODOLUMINESCENCE STUDY OF HEAVILY PROTON IRRADIATED HETEROEPITAXIAL N(+)-P INP/SI SOLAR CELLS
    • SOLID STATE PHENOMENA
    • [Año]: 1998
    • [Volumen]: 63-4
    • [Pagina inicial]: 497
    • [Pagina final]: 508
    • ADVANTAGES OF THIN INTERFACES IN STEP-GRADED BUFFER STRUCTURES
    • MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -ADVANCED FUNCTIONAL SOLID-STATE MATERIALS
    • [Año]: 1997
    • [Volumen]: 44
    • [Numero]: 1-3
    • [Pagina inicial]: 41
    • [Pagina final]: 45
    • DEPENDENCE OF ELECTRON-HOLE GENERATION FUNCTION ON EBIC CONTRAST OF DEFECTS
    • INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES
    • [Año]: 1997
    • [Numero]: 157
    • [Pagina inicial]: 643
    • [Pagina final]: 646
    • WORK-HARDENING BASED MODEL OF THE STRAIN RELIEF IN MULTILAYER GRADED-BUFFER STRUCTURES
    • APPLIED PHYSICS LETTERS
    • [Año]: 1997
    • [Volumen]: 71
    • [Numero]: 21
    • [Pagina inicial]: 3099
    • [Pagina final]: 3101
    • WORK-HARDENING EFFECTS IN THE LATTICE RELAXATION OF SINGLE LAYER HETEROSTRUCTURES
    • APPLIED PHYSICS LETTERS
    • [Año]: 1997
    • [Volumen]: 71
    • [Numero]: 17
    • [Pagina inicial]: 2475
    • [Pagina final]: 2477
    • EBIC MODE CHARACTERIZATION OF TRANSPORT PROPERTIES ON LASER HETEROSTRUCTURES
    • MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -ADVANCED FUNCTIONAL SOLID-STATE MATERIALS
    • [Año]: 1997
    • [Volumen]: 44
    • [Numero]: 1-3
    • [Pagina inicial]: 57
    • [Pagina final]: 60
    • EBIC AND TEM INVESTIGATIONS OF LASER HETEROSTRUCTURES GROWN ON LINEARLY-GRADED AND STEP-GRADED BUFFER LAYERS
    • INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES
    • [Año]: 1997
    • [Numero]: 157
    • [Pagina inicial]: 547
    • [Pagina final]: 550
    • CATHODOLUMINESCENCE STUDY OF THE SPATIAL DISTRIBUTION OF ELECTRON-HOLE PAIRS GENERATED BY AN ELECTRON BEAM IN AL0.4GA0.6AS
    • JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
    • [Año]: 1996
    • [Pagina inicial]: 8693
    • [Pagina final]: 8703
    • ENERGY-LOSS DEPENDENCE OF INELASTIC INTERACTIONS BETWEEN HIGH-ENERGY ELECTRONS AND SEMICONDUCTORS: A MODEL TO DETERMINE THE SPATIAL DISTRIBUTION OF ELECTRON-HOLE PAIRS GENERATION
    • MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -ADVANCED FUNCTIONAL SOLID-STATE MATERIALS
    • [Año]: 1996
    • [Volumen]: 42
    • [Numero]: 1-3
    • [Pagina inicial]: 168
    • [Pagina final]: 171
    • SCH LASER RECOMBINATION RATE FROM EBIC PROFILES
    • MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -ADVANCED FUNCTIONAL SOLID-STATE MATERIALS
    • [Año]: 1996
    • [Volumen]: 42
    • [Numero]: 1-3
    • [Pagina inicial]: 172
    • [Pagina final]: 175
    • DISLOCATION BEHAVIOR IN INGAAS STEP-GRADED AND ALTERNATING STEP-GRADED STRUCTURES - DESIGN RULES FOR BUFFER FABRICATION
    • APPLIED PHYSICS LETTERS
    • [Año]: 1995
    • [Volumen]: 67
    • [Numero]: 24
    • [Pagina inicial]: 3632
    • [Pagina final]: 3634
    • DESIGN OF INGAAS LINEAR GRADED BUFFER STRUCTURES
    • APPLIED PHYSICS LETTERS
    • [Año]: 1995
    • [Volumen]: 66
    • [Numero]: 24
    • [Pagina inicial]: 3334
    • [Pagina final]: 3336
    • COMPARISON OF THE LATERAL CARRIER TRANSPORT BETWEEN A GAAS SINGLE-QUANTUM-WELL AND THE ALGAAS BARRIER DURING CATHODOLUMINESCENCE EXCITATION
    • JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
    • [Año]: 1994
    • [Volumen]: 76
    • [Numero]: 1
    • [Pagina inicial]: 342
    • [Pagina final]: 346
    • TRANSMISSION ELECTRON-MICROSCOPY STUDY OF INXGA1-XAS/GAAS MULTILAYER BUFFER STRUCTURES USED AS DISLOCATION FILTERS
    • MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -ADVANCED FUNCTIONAL SOLID-STATE MATERIALS
    • [Año]: 1994
    • [Volumen]: 28
    • [Numero]: 1-3
    • [Pagina inicial]: 515
    • [Pagina final]: 519
    • STRAIN RELIEF IN LINEARLY GRADED COMPOSITION BUFFER LAYERS - A DESIGN SCHEME TO GROW DISLOCATION-FREE (LESS-THAN-10(5) CM(-2)) AND UNSTRAINED EPILAYERS
    • APPLIED PHYSICS LETTERS
    • [Año]: 1994
    • [Volumen]: 65
    • [Numero]: 19
    • [Pagina inicial]: 2460
    • [Pagina final]: 2462
    • ONE-STEP GROWTH OF BURIED HETEROSTRUCTURES BY CHEMICAL BEAM EPITAXY OVER PATTERNED INP SUBSTRATES
    • JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
    • [Año]: 1994
    • [Volumen]: 136
    • [Numero]: 1-4
    • [Pagina inicial]: 173
    • [Pagina final]: 178
    • STEP-GRADED BUFFER LAYER STUDY OF THE STRAIN RELAXATION BY TRANSMISSION ELECTRON-MICROSCOPY
    • MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -ADVANCED FUNCTIONAL SOLID-STATE MATERIALS
    • [Año]: 1994
    • [Volumen]: 28
    • [Numero]: 1-3
    • [Pagina inicial]: 497
    • [Pagina final]: 501
    • CATHODOLUMINESCENCE AND PHOTOLUMINESCENCE STUDIES OF DISLOCATIONS IN GAAS/ALGAAS QUANTUM WELLS
    • JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
    • [Año]: 1993
    • [Pagina inicial]: 1997
    • [Pagina final]: 2003
    • TEM AND PL STUDY OF STRAIN RELAXATION IN INGAAS/GAAS MQW STRUCTURES
    • INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES
    • [Año]: 1993
    • [Numero]: 138
    • [Pagina inicial]: 313
    • [Pagina final]: 316
    • CATHODOLUMINISCENCE AND TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY STUDY OF ISLAND FORMATION IN INAS/INP QW STRUCTURES DURING GROWTH INTERRUPTIONS
    • INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES
    • [Año]: 1993
    • [Volumen]: 138
    • [Pagina inicial]: 317
    • [Pagina final]: 320
    • DETERMINATION OF THE LATERAL DISTRIBUTION OF ELECTRON-HOLE PAIRS GENERATED BY AN ELECTRON BEAM IN AL0.4GA0.6AS BY CATHODOLUMINESCENCE
    • MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -ADVANCED FUNCTIONAL SOLID-STATE MATERIALS
    • [Año]: 1993
    • [Pagina inicial]: 124
    • [Pagina final]: 130
    • ONE STEP GROWTH OF BURIED HETEROSTRUCTURES ON NON-PLANAR INP SUBSTRATES USING CHEMICAL BEAM EPITAXY
    • PROCEEDINGS OF THE 28TH IEEE PVSC
    • [Año]: 1993
    • [Pagina inicial]: -
    • [Pagina final]: -
    • SELF-INTERSTITIAL MECHANISM FOR ZN DIFFUSION-INDUCED DISORDERING OF GAAS/ALXGA1-XAS (X=0.1-1) MULTIPLE- QUANTUM-WELL STRUCTURES
    • JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
    • [Año]: 1993
    • [Pagina inicial]: 3769
    • [Pagina final]: 3781
    • CHEMICAL BEAM EPITAXY OF INP, INGAAS AND INGAASP ON NON-PLANAR INP SUBSTRATES
    • SEMICONDUCTOR SCIENCE TECHNOLOGY
    • [Año]: 1993
    • [Pagina inicial]: 1063
    • [Pagina final]: 1068
    • LATERAL TRANSPORT IN GAAS/ALGAAS QUANTUM WELLS
    • APPLIED PHYSICS LETTERS
    • [Año]: 1993
    • [Pagina inicial]: 2992
    • [Pagina final]: 2995
    • MEASUREMENTS OF THE DIFFUSION LENGTH IN GAAS/ALGAAS QUANTUM-WELL (QW) STRUCTURES BY CATHODOLUMINESCENCE - COMPARISON OF THE BULK AND QW DIFFUSION CHANNELS
    • INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES
    • [Año]: 1993
    • [Numero]: 134
    • [Pagina inicial]: 643
    • [Pagina final]: 646
    • LOW-TEMPERATURE EBIC STUDY OF ZN-DIFFUSED GAAS P-N JUNCTIONS
    • PHYSICA STATUS SOLIDI. A, APPLIED RESEARCH
    • [Año]: 1992
    • [Pagina inicial]: 555
    • [Pagina final]: 567
    • LUMINESCENCE PECULIARITIES ON (ALGA)AS SINGLE QUANTUM WELL
    • JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
    • [Año]: 1992
    • [Volumen]: 71
    • [Numero]: 3
    • [Pagina inicial]: 1552
    • [Pagina final]: 1554
    • THERMAL CONVERSION OF N-TYPE GAAS:SI TO P TYPE IN EXCESS ARSENIC VAPOR
    • JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
    • [Año]: 1991
    • [Pagina inicial]: 3887
    • [Pagina final]: 3891
    • A MODEL FOR THE ZN DIFFUSION IN GAAS BY A PHOTOLUMINESCENCE STUDY
    • JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
    • [Año]: 1991
    • [Pagina inicial]: 7585
    • [Pagina final]: 7593
    • CATHODOLUMINESCENCE AND ELECTRON BEAM INDUCED CURRENT STUDY OF HYDROGEN TREATMENT OF P-N GAAS JUNCTION
    • JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER
    • [Año]: 1991
    • [Pagina inicial]: C6/225
    • [Pagina final]: C6/230
    • CATHODOLUMINESCENCE STUDY OF OVAL DEFECTS ON QW STRUCTURES
    • INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES
    • [Año]: 1991
    • [Pagina inicial]: 703
    • [Pagina final]: 707
    • LUMINESCENCE STUDY OF ZN DIFFUSED GAAS
    • PHYSICA E
    • [Año]: 1990
    • [Pagina inicial]: 831
    • [Pagina final]: 833
    • ETUDE DES RECOMBINAISONS RADIATIVES ET NON-RADIATIVES DANS DES MULTIPUITS QUANTIQUES
    • PHYSICA E
    • [Año]: 1990
    • [Pagina inicial]: 519
    • [Pagina final]: 521

[Aportaciones a congresos]

[Volver a principio de pagina]
    • MULTI-TECHNIQUE ANALYSIS OF HIGH QUALITY HPHT DIAMOND CRYSTAL
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2010
    • [Lugar del congreso]: HASSELT, BÉLGICA
    • INFLUENCE OF THE DEFECT MORPHOLOGY OF HPHT AND CVD SUBSTRATES ON THE EPILAYER QUALITY AND DOPING LEVEL
    • [Tipo de participacion]: CARTEL
    • [Anio de celebracion]: 2010
    • [Lugar del congreso]: BUDAPEST, HUNGRÍA
    • EM GRAIN NANOSTRUCTURE OF DIAMOND MEMBRANES FOR MEMS/NEMS APPLICATIONS
    • [Tipo de participacion]: CARTEL
    • [Anio de celebracion]: 2010
    • [Lugar del congreso]: BUDAPEST, HUNGRÍA
    • STUDIES OF SUPERCONDUCTIVE POLYCRYSTALLINE DIAMOND SAMPLE BY TEM
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2010
    • [Lugar del congreso]: ESTRASBURGO (FRANCIA)
    • TENACIDAD A LA FRACTURA Y SENSIBILIDAD A LA ENTALLA DE EPOXIS TERMOESTABLES
    • [Tipo de participacion]: CARTEL
    • [Anio de celebracion]: 2010
    • [Lugar del congreso]: ZARAGOZA, ESPAÑA
    • MORFOLOGÍA DE CAPAS DE DIAMANTE POLICRISTALINO DOPADO CON BORO CRECIDAS MEDIANTE CVD
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2010
    • [Lugar del congreso]: ZARAGOZA, ESPAÑA
    • PREPARACIÓN FIB PARA LA CUANTIFICACIÓN DEL CONTENIDO DE BORO MEDIANTE TEM EN DIAMANTE HOMOEPITAXIAL CRECIDO MEDIANTE CVD
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2010
    • [Lugar del congreso]: ZARAGOZA, ESPAÑA
    • LEY DE COMPORTAMIENTO DE ENSAYOS EN COMPRESIÓN DE RESINAS EPOXIES RTM
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2010
    • [Lugar del congreso]: ZARAGOZA, ESPAÑA
    • BORON DOPING EVALUATION IN CVD DIAMOND STRUCTURE BY TEM AND CL
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2010
    • [Lugar del congreso]: HALLE, GERMANY
    • STRUCTURAL AND OPTICAL PROPERTIES OF DIAMOND NANOTUBES
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2010
    • [Lugar del congreso]: HASSELT, BÉLGICA
    • TEM DIFFRACTION CONTRAST MODE TO EVALUATE QUALITY OF DIAMOND HOMOEPITAXIAL LAYERS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2010
    • [Lugar del congreso]: HASSELT, BÉLGICA
    • COMPOSITION MODULATION ANALYSIS OF INXGA1-XP LAYERS GROWN ON (001) GERMANIUM SUBSTRATES
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2009
    • [Lugar del congreso]: FIRENZE
    • BORON DOPING QUANTIFICATION OF CVD GROWN DIAMOND EPILAYERS BY A TEM DIFFRACTION CONTRAST RELATED METHOD
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2009
    • [Lugar del congreso]: BOSTON (USA)
    • TEM STUDY OF HOMOEPITAXIAL DIAMOND LAYERS SCHEDULED HIGH POWER DEVICES: FIB METHOD OF SAMPLE PREPARATION
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2009
    • [Lugar del congreso]: MALAGA
    • INFLUENCE OF IN CONTENT ON DEFECTS AND SPINODAL DECOMPOSITION IN INGAP LAYERS FOR MULTIJUNCTION SOLAR CELLS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2009
    • [Lugar del congreso]: ROMA,ITALIA
    • SPINODAL DECOMPOSITION OF TUNNEL JUNCTION: ONE OF THE PROBLEMS OF MULTI-JUNCTION SOLAR CELLS
    • [Tipo de participacion]: PONENCIA
    • [Anio de celebracion]: 2009
    • [Lugar del congreso]: MALAGA
    • BORON LOCATION IN SYNTHETIC P-DOPED HPHT AND CVD DIAMOND
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2009
    • [Lugar del congreso]: ATENAS, GRECIA
    • A MICROSTRUCTURAL STUDY OF SUPERCONDUCTIVE NANOCRYSTALLINE DIAMOND
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2009
    • [Lugar del congreso]: HASSELT (BÉLGICA)
    • FIB DUAL-BEAM TEM SAMPLE PREPARATION OF HOMOEPITAXIAL DIAMOND LAYERS
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2009
    • [Lugar del congreso]: HASSELT (BÉLGICA)
    • OBTENCIÓN DE LA LEY DE COMPORTAMIENTO A COMPRESIÓN UNIAXIAL PARA UN EPOXI RTM
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2008
    • [Lugar del congreso]: EL BOSQUE (CÁDIZ)
    • EFECTO DE LAS CONDICIONES DE CURADO SOBRE EL COMPORTAMIENTO MECÁNICO DE UNA RESINA EPOXI
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2008
    • [Lugar del congreso]: EL BOSQUE (CÁDIZ)
    • CARACTERIZACIÓN DEL ENDURECIMIENTO DE LA ZONA PLÁSTICA DE ENDURECIMIENTO DE POLÍMEROS AMORFOS:PMMA
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2008
    • [Lugar del congreso]: EL BOSQUE (CÁDIZ)
    • OBTENCIÓN DE LA LEY DE COMPORTAMIENTO A COMPRESIÓN UNIAXIAL PARA UN EPOXI RTM
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2008
    • [Lugar del congreso]: EL BOSQUE (CÁDIZ)
    • INAS/GAAS QUANTUM DOTS MORPHOLOGY: NANOMETRIC SCALE HAADF SIMULATIONS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2008
    • [Lugar del congreso]: LODZ, POLONIA
    • EFECTO DE LAS CONDICIONES DE POLIMERIZACIÓN SOBRE EL COMPORTAMIENTO, MECÁNICO DE UNA RESINA EPOXI RTM
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2008
    • [Lugar del congreso]: VERACRUZ, VERACRUZ. MÉXICO.
    • MORPHOLOGY OF SUPERCONDUCTING NANOCRYSTALLINE DIAMOND GROWN ON SIO2/SI SUBSTRATE BY TEM
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2008
    • [Lugar del congreso]: BARCELONA
    • MORPHOLOY OF SUPERCONDUCTING NANOCRYSTALLINE DIAMOND GROWN NO SI/SIO2 SUBSTRATE BY TEM
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2008
    • [Lugar del congreso]: BARCELONA
    • DISLOCATION CHARACTERIZATION IN HOMOEPITAXIAL <111> CVD GROWN DIAMOND LAYERS BY TEM
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2008
    • [Lugar del congreso]: BARCELONA
    • PHOTOVOLTAIC HETEROSTRUCTURES FOR IVTH GENERATION CELLS: INAS/GAAS QDS MORPHOLOGY BY HAADF
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2008
    • [Lugar del congreso]: BARCELONA
    • INFLUENCE OF INGA(AL)P PHASE SEPARATION ON MULTI-JUNCTION SOLAR CELLS
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2008
    • [Lugar del congreso]: BARCELONA
    • MECANIZADO LÁSER DE RESINA EPOXY REFORZADA CON FIBRA DE CARBONO MEDIANTE MÚLTIPLES PASADAS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2006
    • [Lugar del congreso]: VIGO,ESPAÑA
    • LASER MACHINING OF CARBON REINFORCED POLYMER BY MICROSECOND LASER PULSES
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2006
    • [Lugar del congreso]: BIARRITZ, FRANCIA
    • MICROSECOND ND:YAG CFRP LASER MACHINING NEURAL NETWORK ANALYSIS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2006
    • [Lugar del congreso]: BIARRITZ, FRANCIA
    • CUBIC GAN QUANTUM DOTS NUCLEATED ON PLANAR DEFECTS
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2005
    • [Lugar del congreso]: OXFORD, REINO UNIDO
    • EVALUACIÓN MEDIANTE DIFRACCIÓN DE ELECTRONES DE LA CALIDAD CRISTALINA DE CAPAS DE 3C-SIC CRECIDAS EPITAXIALMENTE SOBRE SI CARBURIZADO
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2005
    • [Lugar del congreso]: GRANADA, ESPAÑA
    • CARBON FIBER REINFORCED POLYMERS (CFRP) ND:YAG LASER MACHINING
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2004
    • [Lugar del congreso]: SAN FRANCISCO (EEUU)
    • CARBON FIBER REINFORCED PLASTIC CO2 LASER MACHINING.
    • EUROPEAN MATERIALS RESEARCH SOCIETY SPRING MEETING
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2004
    • [Lugar del congreso]: ESTRASBURGO (FRANCIA)
    • HEAT AFFECTED ZONE MEASURE OF CO2 LASER MACHINED CARBON FIBER REINFORCED PLASTIC USING NEURAL NETWORKS
    • EUROPEAN MATERIALS RESEARCH SOCIETY SPRING MEETING
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2004
    • [Lugar del congreso]: ESTRASBURGO (FRANCIA)
    • DEFECT MORPHOLOGY AND STRAIN OF CVD GROWN 3C-SIC LAYERS: EFFECT OF THE CARBONIZATION PROCESS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2004
    • [Lugar del congreso]: MONTPELLIER, FRANCIA
    • ANALYSIS OF SIC ISLANDS FORMATION DURING FIRST STEPS OF SI CARBONIZATION PROCESS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2004
    • [Lugar del congreso]: BOLOGNA, ITALIA
    • PLANAR DEFECTS, VOIDS AND THEIR RELATIONSHIP IN 3C-SIC LAYERS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2004
    • [Lugar del congreso]: BOLOGNA, ITALIA
    • DEFECT MORPHOLOGY AND STRAIN OF CVD GROWN 3C-SIC LAYERS: EFFECT OF THE CARBONIZATION PROCESS
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2004
    • [Lugar del congreso]: MONTPELLIER, FRANCIA
    • APORTACIÓN DE LA MICROSCOPÍA ELECTRÓNICA DE BARRIDO A LA CARACTERIZACIÓN DEL MECANIZADO LÁSER DE FIBRA DE CARBONO
    • XXI BIENAL DE LA SOCIEDAD DE MICROSCOPIA DE ESPAÑA
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2003
    • [Lugar del congreso]: SAN FERNANDO (CÁDIZ)
    • COMPARATIVE TEM INVESTIGATION OF MBE AND RTCVD CONVERSION OF SI INTO SIC
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2003
    • [Lugar del congreso]: LINKÖPING, SUECIA
    • STRUCTURAL STUDY OF GAN LAYERS GROWN ON CARBONIZED SI(111) SUBSTRATES
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2003
    • [Lugar del congreso]: LINKÖPING, SUECIA
    • STRUCTURAL STUDY OF MICRO AND NANOTUBES SYTHESIZED BY RAPID THERMAL CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
    • EMAS2003
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2003
    • [Lugar del congreso]: CHICLANA (ESPAÑA)
    • DETERMINATION OF HEAT TRANSMISSION PARAMETERS IN LASER MACHINED CARBON FIBER COMPOSITES
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2003
    • [Lugar del congreso]: SARAJEVO, BOSNIA-HERZEGOVINA
    • EXPERIMENTAL EVALUATION OF LASER CUTING APPLIED TO CFR COMPOSITES
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2003
    • [Lugar del congreso]: SARAJEVO, BOSNIA-HERZEGOVINA
    • OBTENCIÓN DE PLANTILLAS EFICIENTES PARA EL RECRECIMIENTO DE SIC Y/O ALEACIONES III-N MEDIANTE CARBURIZACIÓN E IMPLANTACIÓN IÓNICA DE SI
    • XXI BIENAL DE LA SOCIEDAD DE MICROSCOPIA DE ESPAÑA
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2003
    • [Lugar del congreso]: SAN FERNANDO (CÁDIZ)
    • THE ROLE OF GE PREDEPOSITION TEMPERATURE IN THE EPITAXY OF SIC ON SILICON
    • [Tipo de participacion]: PONENCIA
    • [Anio de celebracion]: 2003
    • [Lugar del congreso]: POLONIA
    • INTERFACIAL STRAIN AND DEFECTS IN SI (001) CARBONISATION LAYERS FOR 3C-SIC HETERO-EPITAXY
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2003
    • [Lugar del congreso]: LYON, FRANCIA
    • FATIGUE BAHAVIOR OF LASER MACHINE 2024T3 AERONAUTIC ALUMINIUM ALLOY
    • E-MRS 2002
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2002
    • [Lugar del congreso]: STRASBOURG (FRANCE)
    • ESTUDIO POR MICROSCOPÍA ELECTRÓNICA Y ESPECTROSCOPÍA DE INFRA-ROJOS DE CAPAS DE SIC OBTENIDAS MEDIANTE CARBURIZACIÓN DE OBLEAS DE SI
    • CONGRESO NACIONAL DE MATERIALES. 42 CONGRESO ANUAL DE S.E.C.V.
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2002
    • [Lugar del congreso]: MADRID, ESPAÑA
    • SIC VOIDS, MOSAIC MICROSTRUCTURE AND DISLOCATIONS DISTRIBUTION IN SI CARBONIZED LAYERS
    • DIAMOND2002
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2002
    • [Lugar del congreso]: GRANADA (ESPAÑA)
    • MICROSTRUCTURAL STUDY OF CO2 LASER MACHINED HEAT AFFECTED ZONE OF 2024T3 ALUMINUIUM ALLOY
    • E-MRS 2002
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2002
    • [Lugar del congreso]: STRASBOURG (FRANCE)
    • TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY STUDY OF ULTRA-THIN SIC LAYERS OBTAINED BY RAPID THERMAL CARBONISATION OF SI WAFERS
    • INTERNATIONAL WORKSHOP ON EXPERT EVALUATION & CONTROL OF CMPOUND SEMICONDUCTOR MATERIALS & TECHNOLOGIES
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2002
    • [Lugar del congreso]: BUDAPEST, HUNGRÍA
    • CATHODOLUMINESCENCE STUDY OF PROTON IRRADIATED MULTIPLE QUANTUM-WELL SOLAR CELLS FOR SPACE
    • IEEE PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2000
    • [Lugar del congreso]: ANCHORAGE, ALASKA (EEUU)
    • OPTIMISATION OF SIC THIN FILMS OBTAINED BY SI CARBONIZATION
    • EXPERT EVALUATION AND CONTROL OF COMPOUND SEMICONDUCTOR MATERIALS AND TECHNOLOGY
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2000
    • [Lugar del congreso]: CRETE
    • PROTON INDUCED DAMAGE IN P+-N INP SOLAR CELLS: THE ROLE OF CARRIER CAPTURE AT HIGH FLUENCES
    • EXPERT EVALUATION AND CONTROL OF COMPOUND SEMICONDUCTOR MATERIALS AND TECHNOLOGY
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2000
    • [Lugar del congreso]: CRETE
    • SPATIAL DISTRIBUTION OF PROTON IRRADIATION-INDUCED DEFECTS IN INP/SI SOLAR CELLS
    • INTERNATIONAL PHOTOVOLTAIC SCIENCE AND ENGINEERING CONFERENCE
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1999
    • [Lugar del congreso]: SAPPORO, JAPÓN
    • EFFECT OF PROTON IRRADIATION ON THE SPATIAL DISTRIBUTION OF N+-P INP/SI SOLAR CELLS
    • MICROSCOPY OF SEMICONDUCTING MATERIALS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1999
    • [Lugar del congreso]: OXFORD
    • ANALISIS MEDIANTE CATODOLUMINISCENCIA DE LA DEGRADACION INDUCIDA POR EXPOSICION A LA RADIACION EN CELDAS SOLARES N+-P INP/SI
    • REUNION NACIONAL DE MATERIALES
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1999
    • [Lugar del congreso]: SAN SEBASTIAN, ESPAÑA
    • CARACTERIZACION MEDIANTE MICROSCOPIA ELECTRONICA DE SIC OBTENIDO POR CARBURIZACION DE SI (111)
    • REUNIÓN BIENAL DE LA SOCIEDAD ESPAÑOLA DE MICROSCOPÍA ELECTRÓNICA
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1999
    • [Lugar del congreso]: MURCIA
    • THE EFFECT OF TEMPERATURE RAMP RATE DURING CARBONIZATION OF SI(111) ON THE OBTAINED SIC CRYSTALLINE QUALITY
    • MICROSCOPY OF SEMICONDUCTING MATERIALS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1999
    • [Lugar del congreso]: OXFORD
    • PIEZOELECTRIC INGAAS/GAAS (111)B MQW PHOTODIODES: OPTOELECTRONIC PROPERTIES BY EBIC AND CATHODOLUMINISCENCE
    • NOVEL INDEX SURFACES
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1998
    • [Lugar del congreso]: SEGOVIA, ESPAÑA
    • EFFECT OF IN CONTENT ON THE MISFIT DISLOCATION INTERACTION IN INGAAS/GAAS LAYERS
    • INTERNATIONAL VACUUM CONGRESS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1998
    • [Lugar del congreso]: BIRMINGHAM, REINO UNIDO
    • ELECTRON MICROSCOPY STUDY OF SIC OBTAINED BY CARBONIZATION OF SI(111)
    • INTERNATIONAL VACUUM CONGRESS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1998
    • [Lugar del congreso]: BIRMINGHAM, REINO UNIDO
    • MBE GROWTH OF GAN AND ALGAN LAYERS ON SI(111) SUBSTRATES: DOPING EFFECTS
    • INTERNATIONAL CONFERENCE ON MOLECULAR BEAM EPITAXY
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1998
    • [Lugar del congreso]: CANNES
    • DIFFUSION LENGTH, CARRIER REMOVAL AND DEFECT STUDIES IN HEAVILY PROTON IRRADIATED INP/SI SOLAR CELLS USING EBIC, CATHODOLUMINISCENCE AND QUANTUM EFFICIENCY MEASUREMENTS
    • WORLD CONFERENCE AND EXHIBITION ON PHOTOVOLTAIC SOLAR ENERGY CONVERSION
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1998
    • [Lugar del congreso]: VIENA, AUSTRIA
    • MULTIPLE QUANTUM WELL GAAS/ALGAAS SOLAR CELLS: TRANSPORT AND RECOMBINATION PROPERTIES BY MEANS OF EBIC AND CATHODOLUMINESCENCE
    • EXPERT EVALUATION AND CONTROL OF COMPOUND SEMICONDUCTOR MATERIALS AND TECHNOLOGIES
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1998
    • [Lugar del congreso]: CARDIFF, REINO UNIDO
    • TEM STUDY OF QUANTUM WELL WIRES DEFECT STRUCTURES GROWN ON V-SHAPED SURFACE INP SUBSTRATES
    • INTERNATIONAL VACUUM CONGRESS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1998
    • [Lugar del congreso]: BIRMINGHAM, REINO UNIDO
    • FAILURE ANALISIS OF HEAVILY PROTON IRRADIATED P+-N INGAP SOLAR CELLS BY EBIC AND CATHODOLUMINISCENCE
    • [Tipo de participacion]: CONFERENCIA
    • [Anio de celebracion]: 1998
    • [Lugar del congreso]: CARDIFF, REINO UNIDO
    • MULTIPLE QUATUM WELL GAAS/ALGAAS SOLAR CELLS: TRANSPORT AN RECOMBINATION PROPERTIES BY MEANS OF EBIC AND CATHODOLUMINISCENCE
    • [Tipo de participacion]: CONFERENCIA
    • [Anio de celebracion]: 1998
    • [Lugar del congreso]: CARDIFF, REINO UNIDO
    • TEM STUDY OF QUANTUM WELLS WIRES DEFECT STRUCTURES GROWN ON V-SAHPED SURFACE INP SUBSTRATES
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 1998
    • [Lugar del congreso]: BIRMINGHAM (REINO UNIDO)
    • CATHODOLUMINESCENCE STUDY OF HEAVILY PROTON IRRADIATED HETEROEPITAXIAL N+- P INP/SI SOLAR CELLS
    • BEAM INJECTION ASSESSMENT OF DEFECTS IN SEMICONDUCTORS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1998
    • [Lugar del congreso]: BERLIN, ALEMANIA
    • FAILURE ANALYSIS OF NEUTRON-IRRADIATED MQW INGAASP/INP LASERS BY EBIC
    • BEAM INJECTION ASSESSMENT OF DEFECTS IN SEMICONDUCTORS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1998
    • [Lugar del congreso]: BERLIN, ALEMANIA
    • EBIC AND TEM INVESTIGATIONS OF LASER HETEROSTRUCTURES GROWN ON LINEARLY-GRADED AND STEP-GRADED BUFFER LAYERS
    • TENTH INTERNATIONAL CONFERENCE ON MICROSCOPY OF SEMICONDUCTING MATERIALS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1997
    • [Lugar del congreso]: OXFORD
    • DEPENDENCE OF ELECTRON-HOLE GENERATION FUNCTION ON EBIC CONTRAST OF DEFECTS
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 1997
    • [Lugar del congreso]: OXFORD (REINO UNIDO)
    • EVALUACION DE LAS PROPIEDADES DE TRANSPORTE Y CORRELACION CON LA ESTRUCTURA DE DEFECTOS DE LASERES CRECIDOS SOBRE CAPAS AMORTIGUADORAS
    • REUNIÓN BIENAL DE LA SOCIEDAD ESPAÑOLA DE MICROSCOPÍA ELECTRÓNICA
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1997
    • [Lugar del congreso]: TOLEDO
    • DEPENDENCE OF ELECTRON-HOLE GENERATION FUNCTION ON EBIC CONTRAST OF DEFECTS
    • TENTH INTERNATIONAL CONFERENCE ON MICROSCOPY OF SEMICONDUCTING MATERIALS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1997
    • [Lugar del congreso]: OXFORD
    • ENERGY-LOSS DEPENDENCE OF INELASTIC INTERACTIONS BETWWEN HIGH ENERGY ELECTRONS AND SEMICONDUCTORS: A MODEL TO DETERMINE THE SPATIAL DISTRIBUTION OF ELECTRON-HOLE PAIRS GENERATION
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 1996
    • [Lugar del congreso]: MADRID
    • EFECTO DE LA INTERACCIÓN ENTRE DISLOCACIONES EN EL RÉGIMEN DE ENDURECIMIENTO MECÁNICO DE CAPAS EPITAXIALES TENSADAS
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 1996
    • [Lugar del congreso]: BARCELONA
    • DETERMINACIÓN DE LA VELOCIDAD DE RECOMBINACIÓN R DE ESTRUCTURAS DE MULTIPOZO CUÁNTICO
    • REUNION NACIONAL DE MATERIALES
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 1996
    • [Lugar del congreso]: CADIZ
    • DETERMINACIÓN TEÓRICA DE LA DENSIDAD DE DISLOCACIONES DE DESAJUSTE EN ESTRUCTURAS ESCALONADAS DE INGAAS/GAAS
    • REUNION NACIONAL DE MATERIALES
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 1996
    • [Lugar del congreso]: CADIZ
    • EBIC MODE CHARACTERIZATION OF TRANSPORT PROPERTIES ON HETEROSTRUCTURE LASERS STUDY
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 1996
    • [Lugar del congreso]: FRIBURGO, ALEMANIA
    • ADVANTAGES OF THIN INTERFACES IN STEP-GRADED BUFFER STRUCTURES
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 1996
    • [Lugar del congreso]: FRIBURGO, ALEMANIA
    • SCH LASER RECOMBINATION RATE FRON EBIC PROFILES
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1996
    • [Lugar del congreso]: MADRID
    • ESTUDIO DEL EFECTO DEL CAMBIO DE SALTO COMPOSICIONAL EN LA RELAJACIÓN DE ESTRUCTURAS ESCALONADAS DE INGAAS/GAAS MEDIANTE TEM
    • REUNION BIENAL DE LA SOCIEDAD ESPAÑOLA DE MICROSCOPIA ELECTRÓNICA
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 1995
    • [Lugar del congreso]: OVIEDO, ESPAÑA
    • MULTILAYER STRAIN RELAXATION DETERMINATION BY XTEM IN INGAAS STEP GRADED STRUCTURES
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 1994
    • [Lugar del congreso]: PARÍS, FRANCIA
    • COMPARISON OF THE MISFIT AND THREADING DISLOCATION BEHAVIOR IN INGAAS STEP AND INVERSE STEP-GRADED STRUCTURES BY TEM
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 1994
    • [Lugar del congreso]: BARCELONA
    • RELAXED BEHAVIOUR OF INGAAS LAYERS GROWN BY MBE ON GAAS SUBSTRATES
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 1994
    • [Lugar del congreso]: BARCELONA
    • TEM AND X-RAY DIFRACTION CHARACTERIZATION OF LINEARLY-GRADED COMPOSITION INGAAS BUFFER LAYERS ON GAAS (001)
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1994
    • [Lugar del congreso]: BARCELONA
    • STEP GRADED BUFFER LAYER STUDY OF THE STRAIN RELAXATION BY TEM
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 1994
    • [Lugar del congreso]: PARMA, ITALIA
    • TEM STUDY OF DISLOCATION DISTRIBUTION IN LINEARLY-GRADED COMPOSITION INGAAS LAYERS ON GAAS (001
    • INTERNATIONAL CONGRESS ON ELECTRON
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1994
    • [Lugar del congreso]: PARIS
    • TEM STUDY OF THE INGAAS/GAAS MULTILAYER BUFFER USED AS DISLOCATION FILTERS
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 1994
    • [Lugar del congreso]: PARMA, ITALIA
    • METAMORPHIC INGAAS/GAAS BUFFER STRUCTURES
    • GENERAL CONFERENCE OF THE CONDENSED MATTER DIVISION
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1994
    • [Lugar del congreso]: MADRID (SPAIN)
    • CATHODOLUMINISCENCE AND TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY STUDY OF ISLAND FORMATION IN INAS/INP QW STRUCTURES DURING GROWTH INTERRUPTIONS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1993
    • [Lugar del congreso]: SANTANDER, ESPAÑA
    • TEM AND PL STUDY OF STRAIN RELAXATION IN INGAAS/GAAS MQW STRUCTURES
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 1993
    • [Lugar del congreso]: LIVERPOOL, REINO UNIDO
    • ESTUDIO POR TEM Y DCXRD SOBRE LA RELAJACIÓN DEL SISTEMA HETEROESPITAXIAL GAASP:GAAS (001)
    • REUNION NACIONAL DE MATERIALES
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 1993
    • [Lugar del congreso]: OVIEDO, ESPAÑA

[Tesis dirigidas]

[Volver a principio de pagina]
    • DESARROLLO Y OPTIMIZACIÓN DEL PROCESO DE MECANIZADO LÁSER DE RESINA EPOXY REFORZADA CON FIBRA DE CARBONO (CFRP)
    • [Autor]: ANTONIO J. GARCÍA FUENTES
    • [Fecha de lectura]: 16/6/2006
    • [Calificacion]: SOBRESALIENTE CUM LAUDE
    • DESARROLLO DE SUSTRATOS DE CARBURO DE SILICIO MEDIANTE CARBURIZACIÓN E IMPLANTACIÓN IÓNICA DE SILICIO MONOCRISTALINO
    • [Autor]: FRANCISCO MIGUEL MORALES SÁNCHEZ
    • [Fecha de lectura]: 29/7/2003
    • [Calificacion]: SOBRESALIENTE CUM LAUDE
    • [Descargar]
    • EVALUACION DEL DAÑO POR IRRADIACION EN DISPOSITIVOS OPTOELECTRONICOS Y FOTOVOLTAICOS
    • [Autor]: MANUEL JESÚS ROMERO FLOREZ
    • [Fecha de lectura]: 1/2/2000
    • [Calificacion]: SOBRESALIENTE CUM LAUDE

[Patentes y propiedad intelectual]

[Volver a principio de pagina]
    • MÉTODO DE MECANIZADO LÁSER DE MATERIALES COMPUESTOS DE RESINA EPOXI REFORZADA CON FIBRAS DE CARBONO.
    • [Resumen]: LA INVENCIÓN ES UN MÉTODO NOVEDOSO DE MECANIZADO LÁSER DE CFRP MEDIANTE LA APLICACIÓN DEL LÁSER. MEDIANTE EL MÉTODO SE CONSIGUE EL CORTE LINEAL Y CIRCULAR DEL MATERIAL CON UNA EXTENSIÓN REDUCIDA DE ZONA AFECTADA TÉRMICAMENTE POR LA ACCIÓN DEL LÁSER, CON L
    • SISTEMA DE CATODOLUMINISCENCIA PARA MICROSCOPIO ELECTRÓNICO DE BARRIDO
    • CRIOSTATO DE HELIO LÍQUIDO
    • SISTEMA DE CARBURIZACIÓN DE SILICIO
    • [Resumen]: EL PRESENTE SISTEMA DE CARBURIZACIÓN CONSTA DE 3 PARTES PRINCIPALES: EL REACTOR DE CARBURIZACIÓN DONDE SE ENCUENTRA EL TUBO DE REACCIÓN, EL SISTEMA DE BOMBEO Y EL DE DISTRIBUCIÓN DE GASES. EN EL DISEÑO, MONTAJE Y MATERIALES UTILIZADOS PARA FABRICAR EL REA