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[Curriculum Vitae]

  • Foto
    • GUTIÉRREZ PEINADO, MARINA
    • CIENCIAS QUÍMICAS
    • INVESTIGADOR DOCTOR
    • [Email]: marina.gutierrez@uca.es
    • [Departamento]: CIENCIA DE LOS MATERIALES E INGENIERÍA METALÚRGICA Y QUÍMICA INORGÁNICA
    • [Centro]: FACULTAD DE CIENCIAS
    • [Telefono]: 956016351

[Participación Proyectos I+D]

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    • DIAMANTE SINTETICO: PROPIEDADES Y EVALUACION PARA SU USO EN APLICACIONES FUNCIONALES
    • [Programa]: PETRI
    • [Fecha de inicio]: 3/7/2007
    • DESARROLLO DE NANO ESTRUCTURAS DE IN(GA)N DE ALTA CALIDAD PARA APLICACIONES EN DISPOSITIVOS OPTO Y MCRO ELECTRÓNICOS.
    • [Programa]: PLAN NACIONAL I+D
    • [Fecha de inicio]: 1/10/2007
    • [Fecha de finalizacion]: 3/8/2010
    • DESARROLLO DE NANO ESTRUCTURAS DE IN(GA)N DE ALTA CALIDAD PARA APLICACIONES EN DISPOSITIVOS OPTO Y MCRO ELECTRÓNICOS.
    • [Programa]: PLAN NACIONAL I+D
    • [Fecha de inicio]: 1/10/2007
    • [Fecha de finalizacion]: 3/8/2010
    • REGLAS DE DISEÑO PARA LA INGENIERÍA DE NANOMATERIALES SEMICONDUCTORES AUTO-ENSAMBLADOS. ENTIDAD FINANCIADORA: JUNTA DE ANDALUCIA
    • [Programa]: JUNTA DE ANDALUCÍA
    • [Fecha de inicio]: 1/1/2006
    • [Fecha de finalizacion]: 31/12/2008
    • SELF-ASSEMBLED SEMICONDUCTOR NANOSTRUCTURES FOR NEW DEVICES IN PHOTONICS AND ELECTRONICS (SANDIE)
    • [Programa]: PROGRAMA MARCO DE LA UE (VI)
    • [Fecha de inicio]: 1/4/2004
    • [Fecha de finalizacion]: 31/3/2008
    • EVALUACIÓN DEL IMPACTO DEL SUSTRATO SOBRE LA CALIDAD DE CAPAS DE INN PARA DISPOSITIVOS OPTOELECTRÓNICOS
    • [Programa]: PLAN NACIONAL I+D
    • [Fecha de inicio]: 13/12/2004
    • [Fecha de finalizacion]: 13/12/2007
    • MATERIALS AND DESIGN SCHEME FOR LONG WAVELENGTH OPTOELECTRONIC DEVICES ON GALLIUM ARSENIDE USING HIGH-INDEX SUBSTRATES
    • [Programa]: OTROS PROGRAMAS DEL MEC
    • [Fecha de inicio]: 1/5/2001
    • [Fecha de finalizacion]: 1/5/2002
    • LÁSERES SINTONIZABLES EN LA BANDA 1-1.3 MICRAS SOBRE SUSTRATOS GAAS (III) B.
    • [Programa]: PLAN NACIONAL I+D
    • [Fecha de inicio]: 1/12/1998
    • [Fecha de finalizacion]: 30/11/2001

[Contratos I+D dirigidos]

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    • OBSERVATIONS ET PREPARATIONS DE MICROSCOPIE ELECTRONIQUE EN TRANSMISSION (CONTRAT ANR RUBAN SOLAIRE)
    • [Programa]: OTROS CONTRATOS (PÚBLICO)
    • [Fecha de inicio]: 28/10/2009
    • [Fecha de finalizacion]: 28/11/2009
    • CARACTERIZACION ETRUCTURAL MEDIANTE MICROSCIPIA ELECTRONICA DE HOJAS FINAS DE ALUMINIO 1050 AAM OBTENIDAS POR LAMINACION EN FRIO DE ESBOZOS DE COLADA CONTINUA Y DE LAMINACION EN CALIENTE
    • [Programa]: CONTRATO art. 11/45 LRU - 68/83 LOU
    • [Fecha de inicio]: 1/12/2008
    • [Fecha de finalizacion]: 31/12/2008
    • DETERMINACION DE LA DUREZA DE CORREDERAS METALICAS DEL MOLDE CUERPO CAPTOR SEGÚN NORMA UNE-EN ISO 6508-1
    • [Programa]: CONTRATO art. 11/45 LRU - 68/83 LOU
    • [Fecha de inicio]: 22/12/2006
    • [Fecha de finalizacion]: 5/1/2007

[Participación Contratos I+D]

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    • OBSERVATIONS ET PREPARATIONS DE MICROSCOPIE ELECTRONIQUE EN TRANSMISSION (CONTRAT ANR RUBAN SOLAIRE)
    • [Programa]: OTROS CONTRATOS (PÚBLICO)
    • [Fecha de inicio]: 28/10/2009
    • [Fecha de finalizacion]: 28/11/2009
    • CARACTERIZACION ETRUCTURAL MEDIANTE MICROSCIPIA ELECTRONICA DE HOJAS FINAS DE ALUMINIO 1050 AAM OBTENIDAS POR LAMINACION EN FRIO DE ESBOZOS DE COLADA CONTINUA Y DE LAMINACION EN CALIENTE
    • [Programa]: CONTRATO art. 11/45 LRU - 68/83 LOU
    • [Fecha de inicio]: 1/12/2008
    • [Fecha de finalizacion]: 31/12/2008
    • DETERMINACION DE LA DUREZA DE CORREDERAS METALICAS DEL MOLDE CUERPO CAPTOR SEGÚN NORMA UNE-EN ISO 6508-1
    • [Programa]: CONTRATO art. 11/45 LRU - 68/83 LOU
    • [Fecha de inicio]: 22/12/2006
    • [Fecha de finalizacion]: 5/1/2007

[Capitulos de libros publicados]

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    • CARACTERIZACIÓN ESTRUCTURAL Y ÓPTICA DE POZOS CUÁNTICOS DE GAINNAS/GAAS(001)
    • ACTAS
    • [Pagina inicial]: 1295
    • [Pagina final]: 1300
    • [ISBN]: 84-9705-594-2
    • [Editorial]: EDITORIAL DE LA UNIVERSIDAD POLITÉCNICA DE VALENCIA
    • [Año]: 2004
    • FLUCTUACIONES DE COMPOSICIÓN EN POZOS CUÁNTICOS DE GAINNAAS/GAAS
    • ACTAS
    • [Pagina inicial]: 1301
    • [Pagina final]: 1306
    • [ISBN]: 84-9705-594-2
    • [Editorial]: EDITORIAL DE LA UNIVERSIDAD POLITÉCNICA DE VALENCIA
    • [Año]: 2004

[Publicaciones en revistas]

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    • COMPARISON OF THE CRYSTALLINE QUALITY OF HOMOEPITAXIALLY GROWN CVD DIAMOND LAYER ON CLEAVED AND POLISHED SUBSTRATES
    • PHYSICA STATUS SOLIDI. A, APPLIED RESEARCH
    • [Año]: 2010
    • [Volumen]: 207
    • [Numero]: 9
    • [Pagina inicial]: 2023
    • [Pagina final]: 2028
    • COMPOSITION MODULATION ANALYSIS OF INGAP LAYERS GROWN ON (001) GERMANIUM SUBSTRATES
    • APPLIED SURFACE SCIENCE
    • [Año]: 2010
    • [Pagina inicial]: 5681
    • [Pagina final]: 5683
    • INFLUENCE OF IN CONTENT ON DEFECTS AND SPINODAL DECOMPOSITION IN INGAP LAYERS
    • JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY
    • [Año]: 2010
    • [Pagina inicial]: XX
    • [Pagina final]: XX
    • MECHANISM OF PHASE SEPARATION GENERATION IN GE-BASED SOLAR CELL TUNNEL JUNCTIONS
    • JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY
    • [Año]: 2010
    • [Volumen]: 10
    • [Pagina inicial]: 1
    • [Pagina final]: 5
    • INAS/GAAS QUANTUM DOTS MORPHOLOGY: NANOMETRIC SCALE HAADF SIMULATIONS
    • MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B
    • [Año]: 2009
    • [Pagina inicial]: 88
    • [Pagina final]: 93
    • KINETIC CONSIDERATIONS ON THE PHASE SEPARATION OF GIINNAS QUANTUM WELLS
    • PHYSICA STATUS SOLIDI. C, CONFERENCES AND CRITICAL REVIEWS
    • [Año]: 2007
    • [Volumen]: 4
    • [Pagina inicial]: 1477
    • [Pagina final]: 1480
    • 1.3 MU M INAS/GAAS QUANTUM-DOT LASER WITH LOW-THRESHOLD CURRENT DENSITY AND NEGATIVE CHARACTERISTIC TEMPERATURE ABOVE ROOM TEMPERATURE
    • ELECTRONICS LETTERS
    • [Año]: 2006
    • [Volumen]: 42
    • [Numero]: 16
    • [Pagina inicial]: 922
    • [Pagina final]: 923
    • HIGH PERFORMANCE 1.3 MM INAS/GAAS QUANTUM DOT LASERS WITH LOW THRESHOLD CURRENT AND NEGATIVE CHARACTERISTIC TEMPERATURE
    • MICROELECTRONICS JOURNAL
    • [Año]: 2006
    • [Volumen]: 153
    • [Numero]: 6
    • [Pagina inicial]: 280
    • [Pagina final]: 283
    • ROLE OF ELASTIC ANISOTROPY IN THE VERTICAL ALIGNMENT OF IN(GA)AS QUANTUM DOT SUPERLATTICES
    • APPLIED PHYSICS LETTERS
    • [Año]: 2006
    • [Volumen]: 88
    • [Numero]: 19
    • [Pagina inicial]: 193118-1
    • [Pagina final]: 193118-3
    • STRUCTURAL AND OPTICAL PROPERTIES OF HIGH IN AND N CONTENT GAINNAS QUANTUM WELLS
    • THIN SOLID FILMS
    • [Año]: 2005
    • [Volumen]: 483
    • [Numero]: 1-2
    • [Pagina inicial]: 185
    • [Pagina final]: 190
    • EFFECT OF THE GROWTH PARAMETERS ON THE STRUCTURE AND MORPHOLOGY OF INAS/INGAAS/GAAS DWELL QUANTUM DOT STRUCTURES
    • JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
    • [Año]: 2005
    • [Volumen]: 278
    • [Numero]: 1-4
    • [Pagina inicial]: 151
    • [Pagina final]: 155
    • COMPOSITION MODULATION IN GAINNAS QUANTUM WELLS: COMPARISON OF EXPERIMENT AND THEORY
    • JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
    • [Año]: 2005
    • [Volumen]: 97
    • [Numero]: 7
    • UNFAULTING OF DISLOCATION LOOPS IN THE GAINNAS ALLOY: AN ESTIMATION OF THE STACKING FAULT ENERGY
    • JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
    • [Año]: 2005
    • [Volumen]: 98
    • [Numero]: 2
    • [Pagina inicial]: 023521-1
    • [Pagina final]: 023521-7
    • STRAIN INTERACTIONS AND DEFECT FORMATION IN STACKED INGAAS QUANTUM DOT AND DOT-IN-WELL STRUCTURES
    • PHYSICA E
    • [Año]: 2005
    • [Volumen]: 26
    • [Pagina inicial]: 245
    • [Pagina final]: 251
    • SPINODAL DECOMPOSITION IN GAINNAS/GAAS MULTI-QUANTUM WELLS
    • PHYSICA STATUS SOLIDI. C, CONFERENCES AND CRITICAL REVIEWS
    • [Año]: 2005
    • [Volumen]: 2
    • [Numero]: 4
    • [Pagina inicial]: 1292
    • [Pagina final]: 1297
    • EFFECT OF ANNEALING ON ANTICORRELATED INGAAS/GAAS QUANTUM DOTS
    • INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES
    • [Año]: 2005
    • [Pagina inicial]: 255
    • [Pagina final]: 258
    • VERTICAL CORRELATION-ANTICORRELATION TRANSITION IN INAS/GAAS QUANTUM DOT STRUCTURES GROWN BY MOLECULAR BEAM EPITAXY
    • INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES
    • [Año]: 2005
    • [Volumen]: 107
    • [Pagina inicial]: 251
    • [Pagina final]: 254
    • DEFECT GENERATION IN HIGH IN AND N CONTENT GAINNAS QUANTUM WELLS: UNFAULTING OF FRANK DISLOCATION LOOPS
    • INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES
    • [Año]: 2005
    • [Volumen]: 107
    • [Pagina inicial]: 139
    • [Pagina final]: 142
    • ACTIVATION ENERGY FOR SURFACE DIFUSSION IN GAINNAS QUANTUM WELLS
    • INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES
    • [Año]: 2005
    • [Volumen]: 107
    • [Pagina inicial]: 279
    • [Pagina final]: 282
    • INFLUENCE OF STRUCTURE AND DEFECTS ON THE PERFORMANCE OF DOT-IN-WELL LASER STRUCTURES
    • MICROELECTRONICS JOURNAL
    • [Año]: 2005
    • [Volumen]: 5840
    • [Pagina inicial]: 486
    • [Pagina final]: 497
    • CHARACTERIZATION OF STRUCTURE AND DEFECTS IN DOT-IN-WELL LASER STRUCTURES
    • MATERIALS SCIENCE & ENGINEERING: C, BIOMIMETIC MATERIALS, SENSORS AND SYSTEMS
    • [Año]: 2005
    • [Volumen]: 25
    • [Pagina inicial]: 793
    • [Pagina final]: 797
    • CRITICAL BARRIER THICKNESS FOR THE FORMATION OF INGAAS/GAAS QUANTUM DOTS
    • MATERIALS SCIENCE & ENGINEERING: C, BIOMIMETIC MATERIALS, SENSORS AND SYSTEMS
    • [Año]: 2005
    • [Volumen]: 25
    • [Pagina inicial]: 798
    • [Pagina final]: 803
    • AN APPROACH TO THE FORMATION MECHANISM OF THE COMPOSITION FLUCTUATION IN GAINNAS QUANTUM WELLS
    • SEMICONDUCTOR SCIENCE TECHNOLOGY
    • [Año]: 2005
    • [Volumen]: 20
    • [Numero]: 10
    • [Pagina inicial]: 1096
    • [Pagina final]: 1102
    • GROWTH AND CHARACTERIZATION OF MULTIPLE LAYER QUANTUM DOT LASERS
    • MICROELECTRONICS JOURNAL
    • [Año]: 2005
    • [Volumen]: 5738
    • [Pagina inicial]: 332
    • [Pagina final]: 347
    • LASING AND SPONTANEOUS EMISSION CHARACTERISTICS OF 1.3 MM IN(GA)AS QUANTUM-DOT LASERS
    • PHYSICA E
    • [Año]: 2005
    • [Volumen]: 26
    • [Numero]: 1-4
    • [Pagina inicial]: 382
    • [Pagina final]: 385
    • OPTIMIZING THE GROWTH OF 1.3 MM INAS/INGAAS DOTS-IN-A-WELL STRUCTURE: ACHIEVEMENT OF HIGH-PERFORMANCE LASER
    • MATERIALS SCIENCE & ENGINEERING: C, BIOMIMETIC MATERIALS, SENSORS AND SYSTEMS
    • [Año]: 2005
    • [Volumen]: 25
    • [Numero]: 5-8
    • [Pagina inicial]: 779
    • [Pagina final]: 783
    • IMPROVED PERFORMANCE OF 1.3 MM MULTI-LAYER INAS QUANTUM DOT LASERS USING A HIGH GROWTH TEMPERATURE GAAS SPACER LAYER
    • APPLIED PHYSICS LETTERS
    • [Año]: 2004
    • [Volumen]: 85
    • [Numero]: 5
    • [Pagina inicial]: 704
    • [Pagina final]: 706
    • COMPOSITION MODULATION AND GROWTH-ASSOCIATED DEFECTS IN GAINNAS/GAAS MULTI QUANTUM WELLS
    • INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES
    • [Año]: 2004
    • [Numero]: 179
    • [Pagina inicial]: 103
    • [Pagina final]: 106
    • INVESTIGATIONS OF 1.55 MM GAINNAS/GAAS HETEROSTRUCTURES BY OPTICAL SPECTROSCOPY
    • IEE PROCEEDINGS-OPTOELECTRONICS
    • [Año]: 2004
    • [Volumen]: 151
    • [Numero]: 5
    • [Pagina inicial]: 331
    • [Pagina final]: 334
    • INFLUENCES OF THE SPACER LAYER GROWTH TEMPERATURE ON MULTILAYER INAS/GAAS QUANTUM DOTS STRUCTURES
    • JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
    • [Año]: 2004
    • [Volumen]: 96
    • [Numero]: 4
    • [Pagina inicial]: 1988
    • [Pagina final]: 1992
    • STRUCTURAL DEFECTS CHARACTERISATION OF GAINNAS MQWS BY TEM AND PL
    • IEE PROCEEDINGS-OPTOELECTRONICS
    • [Año]: 2004
    • [Volumen]: 151
    • [Numero]: 5
    • [Pagina inicial]: 385
    • [Pagina final]: 388
    • IMPROVEMENT IN THE OPTICAL QUALITY OF GAINNAS/GAINAS QUANTUM WELL STRUCTURES BY INTERFACIAL STRAIN REDUCTION
    • IEE PROCEEDINGS-OPTOELECTRONICS
    • [Año]: 2004
    • [Volumen]: 151
    • [Numero]: 5
    • [Pagina inicial]: 301
    • [Pagina final]: 304
    • COMPOSITION FLUCTUATIONS IN GAINNAS MULTI-QUANTUM WELLS
    • IEE PROCEEDINGS-OPTOELECTRONICS
    • [Año]: 2004
    • [Volumen]: 151
    • [Numero]: 5
    • [Pagina inicial]: 271
    • [Pagina final]: 274
    • STRUCTURAL AND OPTICAL QUALITY OF INGAASN QUANTUM WELLS GROWN ON MISORIENTED GAAS (111)B SUBSTRATES BY MOLECULAR BEAM EPITAXY
    • JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
    • [Año]: 2004
    • [Volumen]: 270
    • [Pagina inicial]: 62
    • [Pagina final]: 68
    • INFLUENCE OF GROWTH TEMPERATURE ON THE STRUCTURAL AND OPTICAL QUALITY OF GAINNAS/GAAS MULTI-QUANTUM WELLS
    • SEMICONDUCTOR SCIENCE TECHNOLOGY
    • [Año]: 2004
    • [Volumen]: 19
    • [Numero]: 7
    • [Pagina inicial]: 813
    • [Pagina final]: 818
    • CHARACTERIZATION OF INGAAS (N)/GAASN MULTI-QUANTUM WELLS USING TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY
    • INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES
    • [Año]: 2003
    • [Numero]: 180
    • [Pagina inicial]: 143
    • [Pagina final]: 146
    • IMPROVING THE OPTICAL PROPERTIES OF 1550 NM GAINNAS/GAAS MULTIPLE QUANTUM WELLS WITH GA(IN)NAS BARRIER AND SPACER LAYER
    • APPLIED PHYSICS LETTERS
    • [Año]: 2003
    • [Volumen]: 83
    • [Numero]: 24
    • [Pagina inicial]: 4951
    • [Pagina final]: 4953
    • RELAXATION STUDY OF ALGAAS CLADDING LAYERS IN INGAAS/GAAS (111)B LASERS DESIGNED FOR 1.0-1.1 [MU]M OPERATION
    • MICROELECTRONICS JOURNAL
    • [Año]: 2002
    • [Volumen]: 33
    • [Numero]: 7
    • [Pagina inicial]: 553
    • [Pagina final]: 557
    • BARRIER THICKNESS INFLUENCE ON PLASTIC RELAXATION IN (111)B MISORIENTATED INGAAS/GAAS DOUBLE QUANTUM WELLS
    • INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES
    • [Año]: 2002
    • [Numero]: 169
    • [Pagina inicial]: 133
    • [Pagina final]: 136
    • STRAIN RELAXATION BEHAVIOR OF INXGA1-XAS QUANTUM WELLS ON VICINAL GAAS (111)B SUBSTRATES
    • APPLIED PHYSICS LETTERS
    • [Año]: 2002
    • [Volumen]: 80
    • [Numero]: 9
    • [Pagina inicial]: 1541
    • [Pagina final]: 1543
    • THE ROLE OF CLIMB AND GLIDE IN MISFIT RELIEF OF INGAAS/GAAS(111)B HETEROSTRUCTURES
    • MICROELECTRONICS JOURNAL
    • [Año]: 2002
    • [Volumen]: 33
    • [Numero]: 7
    • [Pagina inicial]: 559
    • [Pagina final]: 563
    • EFFECT OF GRADED BUFFER DESIGN ON THE DEFECT STRUCTURE IN INGAAS/GAAS (111)B HETEROSTRUCTURES
    • MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -ADVANCED FUNCTIONAL SOLID-STATE MATERIALS
    • [Año]: 2001
    • [Volumen]: 80
    • [Numero]: 1-3
    • [Pagina inicial]: 27
    • [Pagina final]: 31
    • BARRIER THICKNESS INFLUENCE ON PLASTIC RELAXATION IN (111)B MISORIENTED INGAAS/GAAS DOUBLE QUANTUM WELLS
    • INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES
    • [Año]: 2001
    • [Numero]: 169
    • [Pagina inicial]: 133
    • [Pagina final]: 136
    • STRAIN RELAXATION BEHAVIOUR IN INXGA1-XAS QUANTUM WELLS ON MISORIENTATED GAAS (111)B SUBSTRATES
    • INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES
    • [Año]: 2001
    • [Numero]: 169
    • [Pagina inicial]: 137
    • [Pagina final]: 140
    • ESPESORES CRÍTICOS DE RELAJACIÓN EN POZOS CUÁNTICOS DE INGA / GAAS SOBRE SUSTRATOS DE GAAS (001) Y (111)B.
    • BOLETIN DE LA SOCIEDAD ESPAÑOLA DE CERÁMICA Y VIDRIO
    • [Año]: 2000
    • [Volumen]: 39
    • [Numero]: 4
    • [Pagina inicial]: 482
    • [Pagina final]: 486
    • RELAXATION STUDY OF INXGA1-XAS/GAAS QUANTUM-WELL STRUCTURES GROWN BY MBE ON (001) AND (111)B GAAS FOR LONG WAVELENGTH APPLICATIONS
    • JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
    • [Año]: 1999
    • [Volumen]: 206
    • [Numero]: 4
    • [Pagina inicial]: 287
    • [Pagina final]: 293
    • INFLUENCE OF SUBSTRATE MISORIENTATION ON THE STRUCTURAL CHARACTERISTICS OF INGAAS GAAS MQW ON (111)B GAAS GROWN BY MBE
    • THIN SOLID FILMS
    • [Año]: 1999
    • [Volumen]: 344
    • [Pagina inicial]: 558
    • [Pagina final]: 561
    • CATHODOLUMINESCENCE STUDY OF PYRAMIDAL FACETS IN PIEZOELECTRIC INGAAS/GAAS MULTIPLE QUANTUM WELL PIN PHOTODIODES
    • MICROELECTRONICS JOURNAL
    • [Año]: 1999
    • [Volumen]: 30
    • [Numero]: 4-5
    • [Pagina inicial]: 427
    • [Pagina final]: 431
    • NEW RELAXATION MECHANISMS IN INGAAS/GAAS (111) MULTIPLE QUANTUM WELL
    • MICROELECTRONICS JOURNAL
    • [Año]: 1999
    • [Volumen]: 30
    • [Pagina inicial]: 467
    • [Pagina final]: 470
    • OPTICAL PROPERTIES OF INXGA1-XAS/GAAS MQW STRUCTURES ON (111)B GAAS GROWN BY MBE: DEPENDENCE ON SUBSTRATE MISCUT
    • JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
    • [Año]: 1999
    • [Volumen]: 202
    • [Pagina inicial]: 1085
    • [Pagina final]: 1088
    • INFLUENCE OF SUBSTRATE MISORIENTATION ON THE OPTICAL AND STRUCTURAL PROPERTIES OF INGAAS/GAAS SINGLE STRAINED QUANTUM WELLS GROWN ON (111)B GAAS BY MOLECULAR BEAM EPITAXY
    • MICROELECTRONICS JOURNAL
    • [Año]: 1999
    • [Volumen]: 30
    • [Numero]: 4-5
    • [Pagina inicial]: 373
    • [Pagina final]: 378
    • STUDY OF THE RELAXATION IN INGAASSQW GROWN ON (111)B SUBSTRATES
    • INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES
    • [Año]: 1999
    • [Numero]: 164
    • [Pagina inicial]: 223
    • [Pagina final]: 226

[Aportaciones a congresos]

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    • INFLUENCE OF THE DEFECT MORPHOLOGY OF HPHT AND CVD SUBSTRATES ON THE EPILAYER QUALITY AND DOPING LEVEL
    • [Tipo de participacion]: CARTEL
    • [Anio de celebracion]: 2010
    • [Lugar del congreso]: BUDAPEST, HUNGRÍA
    • INFLUENCE OF IN CONTENT ON DEFECTS AND SPINODAL DECOMPOSITION IN INGAP LAYERS FOR MULTIJUNCTION SOLAR CELLS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2009
    • [Lugar del congreso]: ROMA,ITALIA
    • SPINODAL DECOMPOSITION OF TUNNEL JUNCTION: ONE OF THE PROBLEMS OF MULTI-JUNCTION SOLAR CELLS
    • [Tipo de participacion]: PONENCIA
    • [Anio de celebracion]: 2009
    • [Lugar del congreso]: MALAGA
    • COMPOSITION MODULATION ANALYSIS OF INXGA1-XP LAYERS GROWN ON (001) GERMANIUM SUBSTRATES
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2009
    • [Lugar del congreso]: FIRENZE
    • PHOTOVOLTAIC HETEROSTRUCTURES FOR IVTH GENERATION CELLS: INAS/GAAS QDS MORPHOLOGY BY HAADF
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2008
    • [Lugar del congreso]: BARCELONA
    • INAS/GAAS QUANTUM DOTS MORPHOLOGY: NANOMETRIC SCALE HAADF SIMULATIONS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2008
    • [Lugar del congreso]: LODZ, POLONIA
    • DISLOCATION CHARACTERIZATION IN HOMOEPITAXIAL <111> CVD GROWN DIAMOND LAYERS BY TEM
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2008
    • [Lugar del congreso]: BARCELONA
    • INFLUENCE OF INGA(AL)P PHASE SEPARATION ON MULTI-JUNCTION SOLAR CELLS
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2008
    • [Lugar del congreso]: BARCELONA
    • BROADBAND INGAAS QUANTUM DOT SUPERLUMINESCENT DIODES
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2007
    • [Lugar del congreso]: GRANADA, ESPAÑA
    • CHARACTERISATION OF DEFECTS AND THEIR EFFECT ON THE PERFORMANCE OF MULTILAYER INGAAS QUANTUM DOT LASERS
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2006
    • [Lugar del congreso]: CADIZ (SPAIN)
    • STRAIN-ENGINEERED INGAAS QUANTUM DOT STRUCTURES FOR LONG WAVELENGTH EMISSION
    • [Tipo de participacion]: CONFERENCIA
    • [Anio de celebracion]: 2006
    • [Lugar del congreso]: CADIZ (SPAIN)
    • EXPERIMENTAL EVIDENCE OF ANISOTROPY EFFECTS IN INAS/GAAS QUANTUM DOT STRUCTURES GROWTH BY MOLECULAR BEAM EPITAXY
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2005
    • [Lugar del congreso]: GRINDELWALD, SUIZA
    • ENERGÍA DE ACTIVACIÓN PARA LA DIFUSIÓN EN POZOS CUÁNTICOS DE GAINNAS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2005
    • [Lugar del congreso]: GRANADA, ESPAÑA
    • EFFECT OF ANNEALING ON ANTICORRELATED INGAAS/GAAS QUANTUM DOTS
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2005
    • [Lugar del congreso]: OXFORD, REINO UNIDO
    • VERTICAL CORRELATION-ANTICORRELATION TRANSITION IN INAS/GAAS QUANTUM DOT STRUCTURES GROWN BY MOLECULAR BEAM EPITAXY
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2005
    • [Lugar del congreso]: OXFORD, REINO UNIDO
    • DEFECT GENERATION IN HIGH IN AND N CONTENT GAINNAS QUANTUM WELLS: UNFAULTING OF FRANK DISLOCATION LOOPS
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2005
    • [Lugar del congreso]: OXFORD, REINO UNIDO
    • ACTIVATION ENERGY FOR SURFACE DIFFUSION IN GAINNAS QUANTUM WELLS
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2005
    • [Lugar del congreso]: OXFORD, REINO UNIDO
    • INFLUENCE OF STRUCTURE AND DEFECTS ON THE PERFORMANCE OF DOT-IN-WELL LASER STRUCTURES
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2005
    • [Lugar del congreso]: SEVILLA, ESPAÑA
    • IMPROVING OPTICAL PROPERTIES OF 1550 NM GAINNAS/GAAS MULTIPLE QUANTUM WELLS BY GAINNAS QUATERNARY BARRIER AND SPACER LAYER
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2004
    • [Lugar del congreso]: STRASBOURG (FRANCIA)
    • COMPOSITION MODULATION AND GROWTH-ASSOCIATED DEFECTS IN GAINNAS/GAAS MULTI QUANTUM WELLS
    • ELECTRON MICROSCOPY AND ANALYSIS GROUP CONFERENCE
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2004
    • [Lugar del congreso]: OXFORD, REINO UNIDO
    • COMPOSITION FLUCTUATIONS IN GAINNAS MULTI-QUANTUM WELLS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2004
    • [Lugar del congreso]: STRASBOURG (FRANCIA)
    • STRUCTURAL DEFECTS CHARACTERIZATION OF GAINNAS MQWS BY TEM AND PL
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2004
    • [Lugar del congreso]: STRASBOURG (FRANCIA)
    • CARACTERIZACIÓN ESTRUCTURAL Y ÓPTICA DE POZOS CUÁNTICOS DE GAINASN/GAAS(001)
    • [Tipo de participacion]: CONFERENCIA
    • [Anio de celebracion]: 2004
    • [Lugar del congreso]: VALENCIA, ESPAÑA
    • FLUCTUACIONES DE COMPOSICIÓN EN DE POZOS CUÁNTICOS DE GAINASN/GAAS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2004
    • [Lugar del congreso]: VALENCIA, ESPAÑA
    • CARACTERIZACIÓN ESTRUCTURAL Y ÓPTICA DE POZOS CUÁNTICOS DE GAINASN/GAAS(001)
    • [Tipo de participacion]: CONFERENCIA
    • [Anio de celebracion]: 2004
    • [Lugar del congreso]: VALENCIA, ESPAÑA
    • FLUCTUACIONES DE COMPOSICIÓN EN DE POZOS CUÁNTICOS DE GAINASN/GAAS
    • [Tipo de participacion]: CONFERENCIA
    • [Anio de celebracion]: 2004
    • [Lugar del congreso]: VALENCIA, ESPAÑA
    • CHARACTERIZATION OF STRUCTURE AND DEFECTS IN DOT-IN-WELL LASER STRUCTURES
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2004
    • [Lugar del congreso]: STRASBOURG (FRANCIA)
    • CRITICAL BARRIER THICKNESS FOR THE FORMATION OF INGAAS/GAAS QUANTUM DOTS
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2004
    • [Lugar del congreso]: STRASBOURG (FRANCIA)
    • 1.34 MM GAINNAS/GAINNAS MULTI QUANTUM WELL LASER
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2004
    • [Lugar del congreso]: CARDIFF
    • CHAACTERISTICS OF LOW THRESHOLD QUANTUM DOT LASERS OPERATING AT 1.31 MM AND A STUDY OF THEIR CARRIER RECOMBINATION PROCESSES
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2004
    • [Lugar del congreso]: CARDIFF
    • STRAIN INTERACTIONS AND DEFECT FORMATION IN STACKED INGAAS QUANTUM DOT AND DOT-IN-WELL STRUCTURES
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2004
    • [Lugar del congreso]: BANFF, CANADA
    • COMPOSITION MODULATION AND GROWTH-ASSOCIATED DEFECTS IN INGAASN/GAAS MULTI QUANTUM WELLS
    • ELECTRON MICROSCOPY AND ANALYSIS GROUP CONFERENCE
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2004
    • [Lugar del congreso]: OXFORD, REINO UNIDO
    • IMPROVEMENT IN THE OPTICAL QUALITY OF GAINNAS/GAINNAS QUANTUM WELL STRUCTURES BY INTERFACIAL STRAIN REDUCTION
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2004
    • [Lugar del congreso]: MARBURG, GERMANY
    • STRAIN INTERACTIONS AND DEFECT FORMATION IN STACKED INGAAS QUANTUM DOT AND DOT-IN-WELL STRUCTURES
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2004
    • [Lugar del congreso]: BANFF, CANADA
    • EFFECT OF THE GROWTH PARAMETERS ON THE STRUCTURE AND MORPHOLOGY OF INAS/INGAAS/GAAS DWELL QUNTUM DOT STRUCTURES
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2004
    • [Lugar del congreso]: EDINBURGH, REINO UNIDO
    • USE OF STRAIN REDUCTION LAYERS TO IMPROVE THE OPTICAL QUALITY OF INGANAS QUANTUM WELLS EMITTING AT 1.3 MM
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2004
    • [Lugar del congreso]: EDINBURGH, REINO UNIDO
    • DEFECTOS ESTRUCTURALES EN MULTI-POZOS CUÁNTICOS DE INGAASN
    • XXI BIENAL DE LA SOCIEDAD DE MICROSCOPIA DE ESPAÑA
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2003
    • [Lugar del congreso]: SAN FERNANDO (CÁDIZ)
    • COMPARISON BETWEEN GROWTH MECHANISMS IN DILUTE NITRIDES GROWN ON (111)B AND (001)GAAS SUBSTRATES
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2003
    • [Lugar del congreso]: STTUART, ALEMANIA
    • RELAJACIÓN EN POZOS CUÁNTICOS DE INGAAS/GAAS SOBRE SUSTRATOS (001) Y (111)B DE GAAS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2003
    • [Lugar del congreso]: GRANADA, ESPAÑA
    • CHARACTERIZATION OF INGAAS(N)/GAAS MULTI-QUANTUM WELLS USING TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY
    • INTERNATIONAL CONFERENCE OF MICROSCOPY OF SEMICONDUCTING MATERIALS
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 2003
    • [Lugar del congreso]: CAMBRIDGE, REINO UNIDO
    • DEFECT STRUCTURE OF INGAAS/GAAS(001)
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2002
    • [Lugar del congreso]: CERCEDILLA (MADRID)
    • THE ROLE OF CLIMB AND GLIDE IN MISFIT RELIEF OF INGAAS/GAAS (111)B HETEROSTRUCTURES
    • INTERNATIONAL WORKSHOP ON MODELLING, GROWTH, PROPERTIES AND DEVICES OF EPITAXIAL SEMICONDUCTORS ON NOVEL INDEX SURFACES
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2001
    • [Lugar del congreso]: ASPET, FRANCIA
    • RELAXATION STUDY OF ALGAAS CLADDING LAYERS IN INGAAS/GAAS (111)B LASERS DESIGNED FOR 1.0-1.1 MICRONS OPERATION
    • INTERNATIONAL WORKSHOP ON MODELLING, GROWTH, PROPERTIES AND DEVICES OF EPITAXIAL SEMICONDUCTORS ON NOVEL INDEX SURFACES
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2001
    • [Lugar del congreso]: ASPET, FRANCIA
    • LIMITATIONS OF THE CRITICAL LAYER THICKNESS OF INGAAS QUANTUM WELLS GROWN ON (111)B GAAS LONG WAVELENGTH EMISSION
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2001
    • [Lugar del congreso]: AMSTERDAM, THE NETHERLANDS
    • STRAIN RELAXATION BEHAVIOR IN INGAAS QUANTUM WELLS ON MISORIENTATED GAAS (111)B SUBSTRATES
    • MICROSCOPY OF SEMICONDUCTING MATERIALS XII 2001
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2001
    • [Lugar del congreso]: OXFORD, REINO UNIDO
    • BARRIER THICKNESS INFLUENCE ON PLASTIC RELAXATION IN (111)B MISORIENTATED INGAAS/GAAS DOUBLE QUANTUM WELLS
    • MICROSCOPY OF SEMICONDUCTING MATERIALS XII 2001
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2001
    • [Lugar del congreso]: OXFORD, REINO UNIDO
    • LASER DEGRADATION DUE TO ALGAAS CLADDING LAYER RELAXATION OF INGAAS/GAAS (111)B LASERS IN THE 1.0-1.1 MICRONS
    • MICROSCOPY, BARCELONA 2001
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2001
    • [Lugar del congreso]: BARCELONA
    • EFFECT OF GRADED BUFFER DESIGN ON THE DEFECT STRUCTURE IN INGAAS/GAAS(111)B HETEROSTRUCTURES
    • EXPERT EVALUATION AND CONTROL OF COMPOUND SEMICONDUCTOR MATERIALS AND TECHNOLOGY
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 2000
    • [Lugar del congreso]: CRETE
    • ESTUDIO DE LA ACTIVIDAD ELECTRICA Y OPTICA DE MICROFACETAS EN FOTODIODOS PIEZOELECTRICOS DE MULTIPLES POZOS CUANTICOS DE INGAAS/GAAS (111)B
    • REUNION NACIONAL DE MATERIALES
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1999
    • [Lugar del congreso]: SAN SEBASTIAN, ESPAÑA
    • RELAJACION EN POZOS CUANTICOS DE INGAAS/GAAS SOBRE SUSTRATOS (001) Y (111)B DE GAAS
    • REUNION NACIONAL DE MATERIALES
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1999
    • [Lugar del congreso]: SAN SEBASTIAN, ESPAÑA
    • STUDY OF THE RELAXATION IN INGAAS SQW GROWN ON (001) AND (111)B SUBSTRATES
    • MICROSCOPY OF SEMICONDUCTING MATERIALS
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1999
    • [Lugar del congreso]: OXFORD
    • ESTRUCTURA DE DEFECTOS EN MULTIPOZOS CUANTICOS DE INGAAS/GAAS CRECIDOS SOBRE SUBSTRATOS DE GAAS(111)B
    • REUNIÓN BIENAL DE LA SOCIEDAD ESPAÑOLA DE MICROSCOPÍA ELECTRÓNICA
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1999
    • [Lugar del congreso]: MURCIA
    • CATHODOLUMINISCENCE STUDY OF PYRAMIDAL FACETS IN PIEZOELECTRIC INGAAS/GAAS MULTIPLE QUANTUM WELL P-I-N PHOTODIODES
    • NOVEL INDEX SURFACES
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1998
    • [Lugar del congreso]: SEGOVIA, ESPAÑA
    • INFLUENCE OF SUBSTRATE MISORIENTATION ON THE STRUCTURAL CHARACTERISTICS OF INGAAS/GAAS QUANTUM WELLS ON (111)B GAAS GROWN BY MBE
    • INTERNATIONAL VACUUM CONGRESS (IVC-14) AND 10THINTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID SURFACES (ICSS-10)
    • [Tipo de participacion]: POSTER
    • [Anio de celebracion]: 1998
    • [Lugar del congreso]: BIRMINGHAM (REINO UNIDO)
    • OPTICAL PROPERTIES OF INXGA1-XAS/GAAS MQW STRUCTURES ON (111)B GAAS GROWN BY MBE: DEPENDENCE WITH SUBSTRATE MISCUT
    • INTERNATIONAL CONFERENCE ON MOLECULAR BEAM EPITAXY
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1998
    • [Lugar del congreso]: CANNES
    • INFLUENCE OF SUBSTRATE MISORIENTATION ON THE OPTICAL AND STRUCTURAL PROPERTIES OF INGAAS/GAAS SINGLE STRAINED QW GROWN ON (111)B GAAS BY MBE
    • NOVEL INDEX SURFACES
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1998
    • [Lugar del congreso]: SEGOVIA, ESPAÑA
    • NEW RELAXATION MECHANISM IN INGAAS/GAAS (111)B MQW GROWN BY MBE
    • NOVEL INDEX SURFACES
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1998
    • [Lugar del congreso]: SEGOVIA, ESPAÑA
    • LAMINAS DE LA-B-ALUMINA/ALUMINA OBTENIDAS POR LA VÍ SOL-GEL MEDIANTE TECNICAS DE COLADO EN CINTA
    • REUNION BIENAL DE LA REAL SOCIEDAD ESPAÑOLA DE QUÍMICA
    • [Tipo de participacion]: COMUNICACION
    • [Anio de celebracion]: 1997
    • [Lugar del congreso]: CADIZ